Датчик магнитного поля вальтаса и.а.

Датчик магнитного поля вальтаса и.а.

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(ii) 928269

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соввтсннх

Соцнапнстнчвсннх

Республик (81) Дополнительное к авт. санд-ву— (22) Заявлено 16 . 1 1 . 79 (21) 2838568/1 8-21 с присоединением заявки М— (23) Приоритет—.(53)М. Кл.

G 01 R 33/02

9кудоретеснкык коиктет

СССР до делам изаоретений н открытка

Опубликовано 15 ° 05 ° 82 Ьктллетень Рв (5З) УДК 621.317 ° .44(088.8) Дата опубликования описания 15 05 ° 82

И.А.Вальтас

1

Вильнюсское отделение Всесоюзного йаучно-исследовательского проектно-конструкторского и технологичвского института

I; малых элект ических машин "т =Д (72) Автор . изобретения (7l) Заявитель (54) ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ ВАЛЬТАСА И.А.

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано в устройствах автоматики и измерительной технике.

Известен датчик магинтного поля, содержащий полупроводниковую пластину с токовыми электродами, установленными в ее торцах, и областью с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока, располо-!

6 женной на одной из граней пластины и занимающей половину ее площади, выходной электрод, установленный между областями с различными скоростями поверхностной рекомбинации

1$ носителей тока (11 .

Недостатком известного датчика .является сравнительно низкая чувствительность к магнитному полю из-за малого пути прохождения носителей тока и однопорядкового изменения сопротивлений обеих частей пластины.

Цель изобретения - повышение чувствительности датчика магнитного поля.

Для достижения поставленной цели в датчике магнитного поля содержащем полупроводниковую пластину с токовыми электродами, установленными на ее торцах, двумя, равными по площади, областями с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока, на одной из граней выходной электрод на половине грани полупроводниковой пластины выполнен токопроводящий растр, а область с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока расположена на одной из граней пластины, перпендикулярной грани токопроводящим растром.

Кроме того, для наибольшего увеличения чувствительности, скорости поверхностной рекомбинации носителей тока выбраны из соотношения

Яе/ЯД. 20, где $г - скорость поtO

Формула изобретения

1. Датчик магнитного поля, содержащий полупроводниковую пластину с токовыми электродами на ее торцах, Is двумя, равными по.площади областями с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока, на одной из граней выходной электрод, отличающийся тем, что, щ с целью повышения чувствительности, на половине грани полупроводниковой пластины выполнен токопроводящий растр, а область с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации

И носителей тока расположена на одной из граней пластины, перпендикулярной грани с токопроводящим растром.

2. Датчик по п.1, о т л и ч а юшийся тем, что скорости поверхностной рекомбинации носителей тока выбраны из соотношения Sр>

Источники информации, т. принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

У 574012, кл. С 01 4 33/02, 1975.

3 92 верхностной рекомбинации носителей тока одной области, S» - скорость поверхностной рекомбинации носителей тока другой области.

На чертеже изображен предлагаемый датчик.

Датчик содержит полупроводниковую пластину 1, к торцам 2 которой присоединены электроды токовые 3.

Грань 4 пластины 1 имеет область 5 с повышенной и область 6 с меньшей скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока, занимающие соответствующую половину площади грани 4. На половину грани 7 пластины 1 нанесен токопроводящий раст 8 крайний проводник 9 которого служит основанием выходного электрода 10.

Отношение скоростей поверхностной рекомбинации области 5 и области 6 выбрано не меньшим двадцати. Скорость поверхностной рекомбинации на грани 11, параллельной грани 4, такая же как в области 6.

Датчик работает следующим образом.

При воздействии магнитного поля параллельно грани 4 на пластину 1, по которой между контактами 3 и по растру 8 протекает электрический ток, происходит перераспределение носителей тока в сбчетании между гранями 4 и i 1. При этом изменение сопротивления части 1 с растром 8 значительно превышает изменение сопротивления другой части пластины 1. Разнос ный сигнал частей пластины 1 пропорционален значению напряженности воз8269 ф дей ствующего на датчи к магнитного поля.

При отношении скоростей поверхностной рекомбинации насителей тока, не меньшем двадцати, чувствительность на два порядка превышает чувствительность датчика, выбранного в качестве прототипа.

928269

Составитель Ф.Тарнопольская

Редактор Т.Парфенова Техред Т. Фанта Корректор. А. Гриценко

Заказ 3231/57 Тираж 719 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, N-35, Раувская наб., д. 4/5 ееее еееее ееееее

Филиал ППП "Патент",г. Ужгород, ул. Проектная, 4