Запоминающий модуль

Запоминающий модуль

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(72) Авторы изобретения

П. Н; Богатов, А. С, Усатенко, и В. В. «ернобай

1 (7l ) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮШИИ МОДУЛЬ

Изобретение относится к конструированию устройств на цилиндрических доменах (ЦМЙ), в частности к конструированию логических и запоминающих усъройств íà UNll с управлением при помощи. вращающегося магнитного поля, 5 и может быть использовано в UBM, в телефонии, в автоматических станциях сбора и передачи информации, в бытовой воспроиэводяшей аппаратуре, а также в

>о других типтх логических и запоминающих устройств, с длительным хранением информации при отключенном питании. ! lo основному авт. св. М 763960

35 известен запоминающий модуль,.в котором на коммутационную плиту с выводными рамками установлены доменосодер- жащие кристаллы, внутренняя и внешняя взаимно ортогональнье катушки, магниты постоянного смешения и корпус, а выводные рамки расположены между внутренней и внешней взаимно ортогональными катушками f 1 ) .

Белью изобретения является упр4 щенке и повышение технологичности за-; поминающего модуля.

Поставленная цель достигается тем, что коммутационная плита с выводными рамками вынолнена в виде монолитной конструкции из диэлектрического эластичного материала.

На фиг. 1-7 представлены основные элементы конструкции запоминающего модуля.

Запоминающий модуль содержит коммутационную плату 1 с выводными рамками 2 и контактными площадками З, 4, 5 и 6, доменосодержащий кристалл 7 со структурами управления 8 доменами. внутреннюю 8 и внешнюю 10 катушки, магниты постоянного смещения. 11 и кор; пус 12.

Коммутационная плата 1 имеет 3образную форму и вйполнена аластичной из полиамщаой:пленки. Выводные рамки 2 и контактные площадки 3, 4, 5 и

R выполнены методом вакуумного напы3 928403 пения и фотолитографии. На плиту

4 ус- . ненных из фа ита ба тановлен доменосодержащий кристалл 7 ферр рия. Весь запоминав ыводы которого приварены к конт ктн кристалл 7, ющий модуль помещен в к п ор ус 12 и эа«« актным лит компаундом.. площадкам. йоменосодержащий кристалл Т представляет собой подложк аким об азом жку из галлий- между в р, расположение выводов гаделиниевого граната с в

5 нутренней и внешней катушками ата с выращенной маг- и выполнение к нитной эпитаксиальной пленкой н оммутационной платы гибнко, на ко- кой и монолитной конс торую нанесены управляющие структур струкции позволя8. На плиту из доменосодержащего с ук туры ет повысить надежность п предлагаемого талла одета внутренняя ка к 9 а его крис- запоминающего ющ го модуля, снизить габариты катушка, выво- fф а также алиэ

4 ды которой раэварены к контактн ре эовать ин рмационную тактным пло- . плотность до 104б т щадкам 4. Катушка расположена о ит/см, при диаметре на симмет- домена 5 мкм на рично относительно доменосодержащего м, на уровне устройства. кристалла таким образом, чтобы оставались открытыми контактные площадки 4 осле раэварки выводов внутренней а и д Формула иэ обре тенин катушки производится загибка свободн концов платы. На плату дных Запомни с доменосодер- N 763960 т дн нающий модуль по авт, св

° ° жашим кристаллом 7, внутр и ение катуш- тем, что с, отличающийся кой 9 и загнутыми. выводны, что, с целью упрощения и повышеыми рамками ния технолог одевают внешнюю катушк 10 ологичности запоминающего мошку, выводы дуля, ком та и которой разваривают к контактнь мутационная плата с выводными щадкам 5. Оси катушек ктным пло- рамками вып составляют меж- конс т олнена в виде монолитной онструкции ma rwaaez avecaovo eaacи доменосодержащий у кристалл изолированы д т у ИстОчники информации, и й () и 1. Авторское т детельсжo CCCP а в поле постони- No. 763960 кл. ных магнитов Ш-образной форм кл. G 11 С 5/00, 1979 ормы, выпол- (прототип).

928403

Составитель Ю. Розенталь

РедактоР Оа ПеРсиинцева ТехРед С. Мигунова Корректор Г. Огар

Закаэ 324S/64 Тираж 624 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113038, Москва, Ж-38, Раушская наб., д. 4/5

Фнлнаа ППП Патент . г.". Уигорон; ун. Проектное, 1