Устройство для напайки кристаллов полупроводниковых приборов

Устройство для напайки кристаллов полупроводниковых приборов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Севетснйк е

Республик О П И С А Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

<>929376 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 101080 (2I) 2992095/25-27

Р1 М К з

В 23 К 31/02 с присоединением заявки ¹

Государственный комитет

СССР оо делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 230582.Бюллетень ¹ 19

Дата опубликования описания 230582 (53) УДК 621 ° 791 ° . 3 (088. 8) A,Ì.CêoMîðoõoa, Г.К.Соколов, В.Ф.Соло .и М.П.Щепин (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАПАЙК И KPHCTAJIJIOB

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Изобретение относится к пайке, .в частности к специальным устройствам для пайки микроэлементов, и может быть использовано в приборостроении.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому эффекту является устройство для напайки кристаллов полупроводниковых приборов, содержащее основание, механизм подачи и нагрева корпусов, механизмы перемещения и подъема кристаллов, проектор и механизм установки кристаллов на корпуса приборов, выполненный в виде привода, системы передач и рычага с вакуумным захватомЩ.

В известном устройстве механизм подачи и нагрева корпусов расположен между механизмом установки кристаллов на корпуса приборов и механизмом перемещения кристаллов. При работе устройства рычаг механизма установки кристаллов совершает возвратно-поступательное горизонтальное движение с вертикальным перемещением в крайних

,положениях. Вакуумный захват рычага берет кристалл с механизма подъема кристаллов и переносит его на нагретый

:корпус прибора. движение рычага с вакуумным захватом должно быть точным и повторяемым в процессе работы установки. Кристалл с помощью механизма перемещения совмещается с трафаретом на экране, закупленного на кронштейне. Столик механизма перемещения корпуса в процессе работы нагревается до 400-450оС.

Недостатком устройства является то, что рычаг с вакуумным захватом и кронштейн проектора расположены над нагретым столиком, и в процессе работы, нагреваясь, изменяют свои размеры. Это приводит к рассовмещению относительно положения инструмента проектора и корпуса полупроводникового прибора, резко снижает качество напайки и требует дополнительных подстроек при работе.

Цель изобретения — повышение точности напайки кристаллов.

Поставленная цель достигается тем, что в устройстве для напайки кристаллов полупроводниковых приборов,содержащее основание, механизм подачи и нагрева корпусов приборов, механизмы перемещения и подъема кристаллов, проектор и механизм установки кристаллов на корпуса приборов, выполненный в виде привода, системы передачи и рычага с вакуумным зах92937б механизма 7 подъема кристаллов (фиг.1) отделяется от липкого носите ля,забирается вакуумным захватом 4 и переносится на корпус полупроводникового прибора, после чего происходит пайка. После выхода рычага 3 в исходное положение. включается механизм перемещения корпусов б, который перемещает кассету с корпусами на шаг. Для повторения цикла в полуавтоматическом режиме необходимо нажать кнопку Пуск .

В автоматическом режиме цикл повторяется непрерывно совмещение проекции кристалла с трафаретом производится оператором в момент присоединения кристалла.

Изобретение позволяет разместить рычаг с вакуумным захватом и кронштейн проектора в стороне от нагретого столика, тем самым исключить температурное воздействие на них.

Формула изобретения ватом, механизм перемещения и подьема кристаллов размещены между механизмом установки кристаллов и механизмом подачи и нагрева корпусов, а в. рычаге механизма установки кристаллов выполнено смотровое окно 5

При этом устраняется температурное воздействие на рччаг с вакуумным захватом и кронштейн проектора в процессе работы устройства. Совмещение проекции кристалла с трафаретом íà )Q проекторе производится через смотро-. вое окно в рычаге.

На фиг. 1 представлено устройство

1 вид сбоку; на фиг. 2 — то же, разрез

А-A с видом на рычаг со смотровым окном, на фиг.. 3 — рычаг.

t5

Устройство для напайки кристаллов полупроводниковых приборов состоит из основания 1, представляющего со бой жесткую литую конструкцию. На основании 1 установлен механизм установки кристаллов 2, содержащий ïðèвод, систему передачи и рычаг 3 с вакуумным захватом 4, механизм перемещения кристаллов 5, механизм подачи и нагрева б корпусов полупровод- >> никовых приборов, механизм подъема кристаллов 7. На кронштейне 8 установлен проектор 9. В рычаге 3 (фиг.3) выполнено смотровое окно 10.

Устройство работает следующим 30 образом.

Предварительно наклеенную на липкий носитель и разделенную на кристаллы пластину устанавливают иа механизм перемещения кристаллов 5 35 (фиг.2), оператор с помощью механизма перемещения совмещает проекцию кристалла с трафаретом на экране проектора (фиг.1), при этом рычаг 3 (фиг. 1) находится в переднем крайнем 4О положении и совмещение проекции кристалла с трафаретом проводят через окно 10(фиг.3)рычага 3 (фиг.1).

Нажав кнопку "Пуск", оператор запускает механизм напайки, рычаг 3 перемещается в заднее крайнее поло- 4 жение вакуумный захват становится над кристаллом. Кристалл с помощью

Устройство для напайки кристаллов полупроводниковых приборов, содержащее основание, механизм подачи и нагрева корпусов приборов, механизм перемещения и подъема кристаллов, проектор и механизм установки кристаллов на корпуса приборов, выполненный в виде привода, системы передач и рычага с вакуумнйм захватом, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности .напайки, механизмы перемещения и подъема кристаллов размещены между механизмом установки кристаллов и механизмом подачи и нагрева корпусов, а в Рычаге механизма установми кристаллов выполнено смотровое окно.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Электронная техника. Технология, организация производства и обоРудование, сер.7, вып.б, 1978, с.99-102 (прототип).

929376

Составитель Ф. Конопелько

Редактор Н. Пушненкова Техред М. Гергель Корректор A. Ференц

Заказ 3385/18 Тираж 1151 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035,Москва,Ж-35,Раушская наб,,д.4/5

Филиал ППП Патент, r.Óæãîðîä,óë.Ïðîåêòíàÿ, 4