Способ исследования оптических свойств фотографического слоя

Способ исследования оптических свойств фотографического слоя

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИИ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советсннк

Соцналнстмчасннв рве у6и (i iiS38304 (61) Дополннтельное к авт. свнд-ву (22) Заявлено 11.08.80 (21) 2971639/28-12 с присоединением заявки М(23)йрнорнтетОпублнковано 23.06.82. Бюллетень М 23 (53 ) М. Кл.

Gi 09 В 25/00 фтсудвреткккый кенктет

СССР йо делам вэееретеккв н втерытнк (53) УДК 371. .66/6 7(088.8) Дата опублнковання опнсання 27.06.82

В M Шварц Н Н Коротаев П В Мейкляр

Г. П. Сересов и Б. И. Пирожков

Казанский научно-исследовательский технологический и проектный институт фотографической промышленйосттт — --и Пермский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им. А. М. Горького (72) Авторы изобретения (7l) Заявители (54) СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

ФОТОГРАФИЧЕСКОГО СЛОЯ

Изобретение относится к способам изучения структурных свойств материалов путем применения модетатрования этих матери алсве

Известен способ исследования оптических свойств фотографического слоя, эакжочающнйся в изготсвжнии модели фотографического слоя, облучении ее электромагнитным излучением и измерении рас» пределення поля в различных точках моМ.

Однако известный способ не позволяет исследовать ряд оптических свойств фотографического слоя, в частности не поэ воляет определить зависимость оптических свойств фотографического слоя от его структуры.

Цель изобретения «расивтрение возмсекностей последования.

Цель достигается тем, что согласно спсс обу исследования оптических свойств фотографического слоя, заключающемся в изготовлении модели фотот афическоге слоя, облучении ее электромагнитным изиу

2 чением и измерении распределения поля в различных точках модели, моделируют кристаллы с различными показателями поглощения и преломления отклонения размеров, принимают равнымн отклснению длин волн злектромагиитиого излучения к виасмому излучению, а модель фогографического. слоя изготовляют из смоделированных кристаллов, расположенных в заданном порядке.

Для исследования оптических свойств фогографического слоя изготавливают модель фототрафического слоя в виде моделей кристаллов, иметощих различные коэффициенты поглотцетнтя и преломления и раснолсисеннмк в заданном порядке. В соответствии с теорией переноса излучения для одинакового ра спредэления излучения в модем и реальном фотографическом слое устанавливают соотношения коэффициентов преломления моделей кристаллов и моделей межкристалеттной среды, рав нъте соагношению коэффициентов преломления теристаллов и межкристаллийной сре3 93S30 ды реального фотографического слоя. Затем модель фотографического слоя облучают электромагнитным излучением, при атом отклонения размеров моделей крис таллов по отношению к размерам реальных кристаллов принимают равным отклонению длин аопп электромагнитного излучения к видимому изпучению. В дальнейшем производят измерения распределения поля в различных точках модели фотогра- а фического слоя.

Предложенный способ существенна упранает npatecc исследования оптических свойств фотографического слоя, а в psде случаев, например при изучении эави- 1$ симости оптических свойств от структуры фотографического слоя, только по этому способу мсекно nposecis это изучение.

Формула изобретения . Способ исследования оптических М свойств фотографического слоя. эаключа4 б ющийся в изготовлении модели фогографи ческого слоя, облучении ее электромаг нитным излучением и измерении распределения поля в различнъж точках модели, отличающийся тем, что, с аелью расширения воэможностей mccnego вания, моделируют цисталлы с различными показателями ноглсшения и преломления, отклонение размеров которых прйнимают равными отклонению длин вая электромагнитного излучения к видимому изю чению, а модель фотографического слоя изготовляют нэ.смоделированных кристаллов, распсасисенных в заданном порядке.

Источники информании, .принятые во внимание при экспертизе

1.»$ouendg а,1, ВщпабаИЮ1М„„п ап1С ащ а бел". A a4emi - ег Ч егй1п, 1976, Вап0Э, He0f A,с.93.

Составитель Б Зрелин

Редактор Н. Джуган Тезред С.Мигунова Корректор М. Шароши

Заказ 4470(74 Тираж 472 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

llo делам изобретений и o%ù éé

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Финал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4