Дешифратор адреса

Дешифратор адреса

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

{72) Авторы изобретения

А. И. Стоянов и В. С. Хорошунов (71) Заявитель (54) ДЕШИФРАТОР АДРЕСА

2 зистор, МДП-транзистор связи, выход-г ной МДП-транзистор и первый и второй конденсаторы, затворы входных МДПтранзисторов, истоки которых соедине" ны с общей шиной, подклочены к входным шинам,объединенные стоки входных

МДП-транзисторов подклочены к истоку

МДП-транзистора связи и к истоку на г руэочного МДП-транзистора, затвор и сток которого соединены соответственно с первой шиной управления и с шиной источника питания, первые выводы конденсаторов объединены и подключены к истоку МДП-транзистора связи и к затвору выходного МДП-транзистора, сток которого соединен с второй обкладкой первого конденсатора, а исток подключен к второй обкладке второго конденсатора и к выходной ши" не f2).

Недостатком известного устройства является низкая надежность функционирования.

Изобретение относится к импульсной и вычислительной технике.и может быть использовано, например, при построении запоминающих устройств на МДПтранзисторах.

Известен дешиФратор адреса, содер- s жащий входные МДП-транзисторы, нагрузочный МДП-транзистор, МДП-транзистор связи и конденсатор, стоки входных транзисторов подклочены к истоку нагрузочного транзистора, сток нагрузоч-1о ного транзистора подсоединен к шине источника питания, а затвор объединен с затвором транзистора связи и с первым выводом конденсатора, исток .:.. транзистора связи соединен с выходной шиной, а второй вывод конденсатора подклочен к шине управления (1 1.

Недостатком этого устройства является сложность конструкции.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является дешиФратор адреса, содержащий входные МДПтранзисторы, нагрузочный МДП-транФ

3 93840

Цель изобретения - повышение надежности функционирования устройства.

Поставленная цель достигается тем, что в дешифратор адреса, содержащий входные МДП-транзисторы, наг рузочный s

МДП-транзистор, МДП-транзистор связи, выходной МДП-транзистор и первый и второй конденсаторы, затворы входных

МДП-транзисторов, истоки которых соединены с общей шиной, подключены к 1© входным шинам, объединенные стоки входных МДП-транзисторов подключены к стоку МДП-транзистора связи и к истоку нагрузочного МДП-транзистора, затвор и сток которого соединены со- 15 ответственно с первой шиной управления и с шиной источника питания, первые выводы конденсаторов объединены и подключены к источнику МДП-транзис.тора связи и к затвору выходного МДП- 2î транзистора, сток которого соединен с второй обкладкой первого конденса", тора, а исток подклочен ко второй обкладке второго конденсатора и к выходной шине, введены дополнительный zs выходной МДП-транзистор и дополнительный конденсатор, включенный между стоком МДП-транзистора связи и общей шиной сток выходного МДП-транзисто-.

1 ра подключен к первой шине управлениядв объединенные затворы МДП-транзистора связи и дополнительного выходного ИДПтранзистора, исток и сток которого соединены соответственно с общей ши" ной и выходной шиной, подключены к второй шине управления °

На чертеже приведена принципиальная схема устройства. е 4Q

Дешифратор адреса содержит входные МДП-транзисторы 1, нагрузочный

МДП-транзистор 2, ИДП-транзистор 3 связи, выходной МДП-транзистор 4, первый 5 и второй 6 конденсаторы, дополнительный выходной МДП-транзис-. тор 7 и дополнительный конденсатор

8. Затворы входных МДП-транзисторов

1 соединены с входными шинами 9, сток нагруэочного МДП-транзистора 2 подключен к шине 10 источника питания, сток выходного МДП-транзистора 4 и затвор нагрузочного ИДП-транзистора

2 соединены с первой шиной ll управления, объединенные затворы МД1-транзистора 3 связи и дополнительного вы- N ходного МДП-транзистора 7 подключены к второй шине 12 управления, исток выходного МДП-транзистора 4 и сток

8 ф дополнительного выходного МДП-транзистора 7 соединены с выходной шиной 13.

Дешифратор адреса работает следующим образом.

Во время действия сигнала выбора кристалла, подаваемого.:на первую ши-. ну 11 управления, транзистор 3 связи закрыт. На входные шины 9 при этом подаются низкие уровни напряжения и входные транзисторы 1 также заперты.

Через открытый нагрузочный транзистор

2 осуществляется заряд до высокого уровня напряжения дополнительного конденсатора 8.

По окончании действия сигнала выбора кристалла, нагрузочный транэис" тор 2 закрывается, на входные шины

9 подается адресная информация, а на вторую шину 12 управления подается сигнал, инверсный по отношению к сигналу выбора кристалла, Дополнительный выходной транзистор 7 открывает-. ся, обеспечивая низкий уровень напряжения на выходной шине 13.

Состояние входных транзисторов

1 определяется адресной информацией.

При этом возможны два случая, когда транзисторы 1 закрыты и хотя бы один из входных транзисторов 1 открыт.

В первом случае возможность разряда для дополнительного конденсатора 8 отсутствует. Через открытый транзистор 3 связи осуществляется заряд до высокого уровня напряжения конденсаторов 5 и 6. Величина емкости дополнительного конденсатора 8 выбирается с тем расчетом, чтобы в процессе перераспределения заряда между конденсаторами 5 и 6 и дополнительным конденсатором 8 суммарное напряжение было больше значения порогового напряжения используемых МДП-транзисторов.

С приходом сигнала выбора кристалла на первую вину 11 управления транзистор 3 связи и дополнительный выходной транзистор 7 закрываются, и через открытый выходной транзистор 4 осуществляется передача высокого уровня напряжения, примерно равного амплитуде сигнала выбора кристалла, на выходную шину 13. Одновременно заряжается дополнительный конденсатор 8, обеспечивая готовность к следующему циклу приема информации.

Во втором случае, когда хотя бы один из входных транзисторов 1 открыт, дополнительный конденсатор 8 и конденсаторы 5 и 6 разряжаются до низкого

5 93 уровня напряжения. С приходом синхро" низирующего сигнала выбора кристалла на первую шину 11 управления, выходной транзистор 4 будет закрыт и на выходной шине 13 сохранится низкий уровень напряжения.. Так ие как и в первом случае, при дейтсвии сигнала выбора кристалла происходит заряд дополнительного конденсатора 8, что обеспечивает готовность дешифратора ., к новому циклу приема адресной информации.

Дополнительный выходной транзистор

7 осуществляет разряд нагрузочной емкости, подключенной к выходной шине 13 во время действия сигнала выбора кристалла.и исклочает, таким образом, появление на выходе дешифратора ложной информации, что ведет к вы.сокой помехоустойчивости дешифратора. Вместе с тем, дешифратор характеризуется простотой управления, отсутствием статической потребляемой мощности, отсутствием статических инвер", торов, что и обусловливает высокую надежность функционирования предлагаемого.устройства.

8408 6 соединены с общей шиной, подключены к входным шинам, объединенные стоки входных ИДП-транзисторов подключены к стоку ИДП-транзистора связи и.к ucs току нагруэочного ИДП-транзистора, затвор и сток которого соединены соответственно с первой шиной управления и с шиной источника питания, первые выводы конденсаторов объединены я

1О подключены к истоку ИДП-транзистора связи и к затвору выходного ИДП-транзистора, сток которого соединен с второй обкладкой первого конденсатора, а исток подключен к второй обкладке

1 второго конденсатора и к выходной ши не, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности функционирования, в него введены дополнительный выходной ИДП-транзистор и допол2в нительный конденсатор, включенный между стоком ИДП-транзистора связи и o6-.; щей шиной, сток выходного ИДП-транзист тора подклочен к первой шине управления, объединенные затворы ИДП-транзис2s тора связи идополнительного выходного

ИДП-транзистора, исток и сток которого соединены соответственно с общей ши". ной и выходной шиной, подключены к второй шине управления. зо формула изобретения

Дешифратор адреса, содержащий входные ИДП"транзисторы, нагрузочный

ИДП-транзистор, ИДП-транзистор связи, выходной ИДП-транзистор и первый и второй конденсаторы, затворы входных ИДП-транзисторов, истоки которых

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе, 1. Авторское свидетельство СССР

У 741470, кл. Н 03 К 17/60, 29.06-77

2. Solid-State Circvits Conference. 1978 EEEE International, Dagest

of technical papers, р. 104.

938408

Составитель В, Нефедов

Редактор «Г» Ус «Техреду К.йыцьо . КорректорА ° Лзятко

Заказ 4480/799«Тираж 959 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

11ДОД Москва Ж-36 «Рамвская наб. а. 4I

»вдь АА»

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Прсйзктная, 4