Многоустойчивый элемент памяти
Патент 942143
Авторы
Классы МПК
Многоустойчивый элемент памяти
Иллюстрации
Реферат
О П И С А Н И Е (942143
ИЗО6РЕТЕН ИЯ
Союз Советскин
Социалистическими республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Закале"o 20. 10. 80 (21) 3213918/18-24 с присоединением заявки М(23) Приоритет (51)М. Кл.
G l1 С 11/00
3Ьвудэрстюцшы1 кемнтет
CCCP. ав дшшм нзобрвтеннй н юткрытнй
Опубликовано 0у Оу.82. Бюллетень Жв 2g (53) УДК 681,32У (088.8) Лата онубликоваиля описания pZ.О т.82 (72) Авторы изобретения
Б. Б. Дремов и Б. Л. Останков
Специальное конструкторское бюро пишущих-нташин (71) Заявитель (54 ) ИНОГОУСТОЙЧИВЫЙ ЭЛЕНЕНХ ПАНЯТИ
Изобретение относится к запоминаю-: щим устройствам.
Известен элемент памяти, имеющий .;, десятичный выход и содержащий десять
:элементов И-НЕ, выход каждого из которых соединен со входами всех осталь. ных f1).
Недостаток элемента состоит в . большом количестве межэлементных свя-N зей.
Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является многоИ устойчивый элемент памяти с десятичным выходом, содержащий две группы по десять элементов И-НЕ, первая из которых представляет собой четырехфазный десятичный элемент памяти, а вторая - дешифратор состояний, причем в первой группе элементов И-НЕ выход первого из них соединен со входами пятого, шестого и седьмого, 2 выход второго соединен со входами шестого, седьмого и восьмого и т.д., т.е. с увеличением номера выходного элемента на единицу; настолько же увеличиваются и номера элементов,со входами которых соединяется выход данного, причем в последовательности номеров вслед за десятым идет первый кроме того, выходы элементов И-НЕ первой группы соединен со входами элементов И-НЕ второй, а именно со входами первого элемента И-НЕ второй группы соединены выходы пятого, шестого и десятого элементов И-НЕ первой группы, входы второго элемента
И"HE второй группы соединены с выходами шестого, седьмого и первого элементов И-НЕ первой группы, и т.д. увеличивая на единицу значение элемента первой группы, увеличиваем на единицу see значения злементов И-НЕ второй группы, причем за десятым элементом И-НЕ первой группы следует первый $2). выходов элементов И-HE
Номера состо яний
Значения
1. (5 6 7 8 (l- ( ((3 4
1 О О
О .О
О О О 1 1
О О 1, О О 0 1
1 1 1
1 1 1
1 1
1 1
1 О
О 0
1 1
1 О
1 . 1
О О О
О О О
О 0 1
1 О О
1 1 О
О 0 О
О О О о
1 1
О 1
О О
0 0 0
1 О О
1 1 О
1О
О . О О
1 1
1 1 1
3 9421
Недостаток элемента заключается в низкой надежности вследствие его сложности, а именно большого коли» чества связей.
Цель изобретения - повышение надежности элемента за счет упрощения его.
Поставленная цель достигается тем, что в многоустойчивый элемент памяти, содержащий две группы по десять элементов И-НЕ, причем выходы элементов И"НЕ первой группы с перво. го по четвертый соединены соответственно с первыми входами элементов И-НЕ первой группы с седьмого по десятый и с вторыми входами элементов И-НЕ первой группы с шестого по девятый, выходы элементов И-НЕ первой группы с седьмого по десятый подключены соответственно к первым . входам элементов И-HE первой группы с второго по пятый и к вторым входам элементов И-НЕ первой группы с первого по четвертый, первые входы элементов И-НЕ второй группы с второго по десятый соединены соответственно с выходами элементов И-НЕ первой группы с первого по девятый, вторые входы элементов И-НЕ второй группы с первого по пятый подключены соответственно к выходам элементов
И-HE первой группы с шестого по десятый, а вторые входы элементов И-HE второе группы с седьмого по десятый соедьйены соответственно с выходами
43 4 элементов И-НЕ первой группы с перво.
ro no четвертый, одни из входов элементов И-НЕ первой группы являются входами, а выходы элементов И-НЕ второй группы - выходами элемента памяти, введен дополнительный элемент
И-НЕ, первый вход которого соединен с выходом пятого и вторым входом десятого элементов И-НЕ первой группы, второй вход дополнительного элемента И-НЕ подключен к первому входу первого и выходу шестого элементов И-НЕ первой группы, а выход соединен с первым входом шестого и вторым входом пятого элементов.
И-HE первой группы и первым входом первого и вторым входом шестого элементов И-НЕ второй группы .
На чертеже изображена функциональная схема запоминающего элемента.
Иногоустойчивый запоминающий элемент содержит первую группу элементов И-HE 1-10, дополнительный элемент
И-НЕ 11 и вторую группу элементов
И"НЕ 12-21, Иногоустойчивый элемент памяти работает следующим образом.
Элементы И-НЕ 1-11 образуют элемент памяти на 11 состояний, а элементы
И-НЕ 12-21 - группу формирования вы:ходных сигналов и фиксируют состояния элементов И-НЕ 1-11.
8 таблице приведены состояния эле. ментов И-НЕ 1-11.
5 94214
В предлагаемом многоустойчивом элементе памяти используется десять состояний, соответствующие кодам состояний, приведенным 0 первых десяти строках таблицы, Например, первому состоянию соответствуют единицы на выходах элементов И-НЕ 6 и 11, укаванные в первой строке таблицы.Второму состоянию элемента памяти соот- . ветствуют единицы на выходах элемен- 10 тов И-HE 1 и 7, выделенные во второй строке таблицы, а другим состоянием соответствуют выделенные единицы в других строках таблицы.
Технико-экономическое прЕимуществс 1 предлагаемого многоустойчивого элемента памяти заключается в его более высокой надежности, так как он содер- жит на пятьдесят связей меньше, чем прототип 20
Формула изобретения
Многоустойчивый элемент памяти, содержащий две группы по десять элементов И-НЕ, причем выходы элементов
И-НЕ первой группы с первого по чет-. вертый соединены соответственно с первыми входами элементов И-НЕ первойз0 группы с седьмого по десятый и с вторыми входами элементов И-НЕ первой группй с шестого по девятый, выходы элементов И-НЕ первой группы с седьмого по десятый подключены соответственно к первым входам элементов И-НЕ первой группы с второго по пятый и к вторым входам элементов И-НЕ первой группы с первого по четвертый, первые входы элементов
И-НЕ второй группы с второго по де3, 6 сятый соединены соответственно с выходами элементов И-НЕ первой группы с первого по девятый, вторые входы элементов И-НЕ второй группы с первого по пятый подключены соответственно к выходам элементов И-НЕ первой группы с шестого по десятый, а вторые входы элементов И-HE второй группы с седьмого по десятый соединены соответственно с выходами элементов И-НЕ первой группы с первого по четвертый, одни из входов элементов И-НЕ первой группы являются входами, а выходы элементов И-НЕ второй группы - выходами элемента памяти, отличающийся тем. что, с целью повышения надежности элемента памяти, он содержит дополни4 тельный элемент И-НЕ, первый вход которого соединен с выходом пятого и вторым входом десятого элементов
И-HE первой группы, второй вход дополнительного элемента И-НЕ подключен к первому входу первого и выходу шестого элементов И-НЕ первой группы, а выход соединен с первым входом шестого и вторым входом пятого элементов И-НЕ первой группы и первым входом первого и вторым входом шестого элементов И-НЕ второй группы.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Букреев И.Н., Мансуров Б.M. u
Горячев В.И. Микроэлектронные схемы цифровых .устройств. M. "Советское радио", 1975, с.208-210.
2. Букреев И.H., Мансуров Б.М. и Горячев В.И. Микроэлектронные схемы цифровых устройств. М., "Советское радио", 1975, с.309-312 (прототип).
942143
Составитель Т.Зайцева
Редактор С.Юско Техред.Т. Маточка Корректор C.Решетни
Заказ 4851/45 Тираж 622 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4