Устройство для охлаждения полупроводниковых приборов

Устройство для охлаждения полупроводниковых приборов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е,,945929

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советским

Социалистическим

Республик

\

Ф

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61 ) Допол н и тел ьное к а вт. с вид-ву(22) Заявлено 1б. 01. 81 (21) 3235б70/18-21 с присоединением заявки И— (23) П риоритет (53)M. Кл..Н О1 1. 23/36

Н 05 К 7/20

@вуднрстинный квинтет

CCC1 но двнаи нзвбретеннй н открытий

Опубликовано 23.07 82. Бюллетень Юв 27

Дата опубликования описания 23.07,82 (5З) УД 621. 542, .4б(088.8) 1 1М (72) Авторы изобретения ..Й

f4 i в.Я1Т1,:;;» ч у„, М.С.Караськов и Н.А.Кузнецов (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОХЛАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

Изобретение относится к вычислительной и радиоэлектронной технике и предназначено для охлаждения полупроводниковых приборов.

Известны ребристые радиаторы охлаждения полупроводниковых прибо1 ров, выполненные в виде плоского основания с ребрами. Такие радиаторы позволяют отводить тепло от корпусов полупроводниковых приборов внача-,, ле на основание, затем, по мере нагрева, на ребра с последующей передачей тепла в окружающую среду 0).

Недостатком этой конструкции ради- 15 аторов является то, что конструкция радиаторов жесткая, с постоянными зазорами между ребрами, не поддающаяся регулировке.

Наиболее близким по технической о сущности к предлагаемому является устройство для охлаждения приСоров, содержащее биметаллическое основание с ребрами (2). с

Недостатком известного устройства является недостаточная эффективность охлаждения.

Цель изобретения - повышение. эффективности охлаждения.

Поставленная цель достигается тем, что устройство для охлаждения полупроводниковых приборов, содержащее основание с ребрами охлаждения, снабжено биметаллической пластиной слоя, обладающего большим коэффициентом линейного расширения.

На фиг.1 показано предлагаемое устройство, общий вид; на фиг.2 - . устройство в работе.

Радиатор содержит пластину 1, биметаллическое основание 2, консольно закрепленное на пластине 1, ребра 3, установленные по всей длине основания 2, радиально ее изгибу, со стороны слоя 4 с большим коэффициентом линейного расширения. Между ребрами 3 имеются зазоры 5 для прохождения хладагента.

945929

Регулирование теплового режима устройства достигается путем изменения зазоров между ребрами, тем самым увеличивая либо уменьшая передачу тепла в окружающую среду. 5

Устройство работает следующим . образом.

Тепло, поступающее от полупроводникового прибора, закрепленного на пластине, через корпус .полупрОвод- 10 никового прибора передается на пластину, на биметаллическое основание, затем через него — на ребра с последующим рассеиванием тепла в окружающую среду. Биме-.аллическое ос- is нование, имеющее тепловой контакт с пластиной, под действием полученного тепла изгибается, и зазоры между ребрами, установленными на слое с большим коэффициент >м линейного рас- g0 ширения, увеличивается. Чем больше нагрев, тем больше изгиб и зазоры между реЬраМи, дающие возможность пройти большему ко. ичеству хладагента. Отбор тепла oò устройства уве-. личивается.

При уменьшении вы;.еляемого тепла биметаллическое оснсвание распрямляется, стараясь вернуться в исходное атос-,ояние. Зазоры между ребрами уменьшаются.

Таким образом, конструкция устройства позволяет повышать эффективность охлаждения полупроводникового прибора за счет измене (ия величины зазоров между ребрами, а следовательно, и количества хла,"агента, участвующего в отборе тепла. Это в свою очередь повышает эффективность работь полупроводниковых прибОров, сокраща". 40

4 количество их отказов и стабилизируя выходные параметры.

Устройство может быть выполнено как односторонним, так и двухсторонним. Для этого достаточно увеличить количество биметаллических оснований, установив их попарно слоями с наименьшим коэффициентом расширения друг к другу, а ребра устанавливаются по всей длине оснований с ! наружных сторон;

Устройство просто в изготовлении, надежно в эксплуатации и имеет улучшенные тепловые характеристики.

Устройство может найти .широкое применение в области вычислительной и радиоэлектронной техники, где необходимо производить охлаждение полупроводниковых приборов с регулировкой их тепловых режимов.

Формула изобретения

Устройство для охлаждения полупроводниковых приборов, содержащее основание с ребрами охлаждения, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения эффективности охлаждения, оно снабжено биметаллической пластиной, на которой размещены ребра охлаждения со стороны слоя, обладающего большим коэффициентом линейого расширения.

Источники информации, принятче во внимание при экспертизе

1. Патент Англии Ф 1307118, кл. Н1Т, 14.02.73.

2. ОСТ НГО 865000 (протот л рад.

17g).

945929

Юеулрайдюкой и

Составитель Е.Гаврилова

Редактор Т.Кугрышева Техред M.Надь КорректорЕ.Рошко

Заказ 5341/71 Тираж 7б! Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Рауаская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, Ч