Электротехническое стекло

Электротехническое стекло

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗО6РЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соввтских

Социалистических

Республик ()948914 (61) Дополнительное к авт. спид-ву (22) Заявлено 12.11.80 (2) ) 3230343/29-33 (51)M. Кл.

С 03 С 3/04 с присоединением заявки И (23) Приоритет

1Ьаударстеевинй кот«тет

СССР ао делам «зебаете«ий

«атхрмт««

Опубликовано 07.08.82. Бюллетень йЪ 29 (53) УДК666. .112.93 (086. 8) Дата опубликования описания 09.08.82

»

»» (72) Авторы изобретения

Г. М. Шапиро и Э. И. Пузырев (71) Заявитель (54) ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЕ СТЕКЛО

Изобретение относится к электронной и радиоэлектронной технике, приборостроению и другим областям техники, где испсетьзуются электротехнические стекла в качестве диэлектрика с низкими значениями диэлектрических потерь и диэлек,трической проницаемости.

Известно стекло (1) следующего состава, вес. %:

Si+ 52-54

Я Я 8-1 1,2 0 5-6,5

СаО 26 27

МттО О» 1 О»4 10 О 3 О 8 е,1о +Гео о, 1 о,g

Сх Я5 20-2 8

1,0 1,8

Однако укаэанный состав стекла не обеспечивает получение низких значений днэлектрыческих потерь и диэлектричес, mN щюницаемости.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому

2 результату является стекло Г2 3 следующего состава, вес. %:

% О 4 5-58, Аешь - 12-21

Mg0 18-32

5 Всх О 0,0 2-3

СТО О, 1-3

МаО 0,02-3, и кроме того»

Ьг 10 0,02 1

Т1 О О 02 0»5

Недостатком данного стекла является высокий фактор диэлектрических потерь (38,4-58) .-10 4и низкий KTP (38-46)х к10 11/ С, не позволяющий получить

15 согласованные спаи с молибденом и ко: варом.

Целью изобретения является снижение фактора диэлектрических потерь и повышение коэффициента термического расширения.

Поставленная цель достигается тем, что электротехническое стекло, включаю. щее О, АЙ О, NqO, Мп0» Grg0, 57 55 620 584- 55 1. 51 4 51 0 61 9 620

S Ог1

АО О

116 947 115 127 130 140 70

29,0 26,4 28,0 30,0 31,6 32,0 28,0

11,0

25,0

1,01

0,01

2,0

2пО

1,2

20 01 06

0,5

0,8

0,5 0,6

0,2

0,4 0,07

0,01

Сг О

1,0 2,0 0,01 :2,0

01 005 17

1,29

0,20

МрО

Т 01

Гангенс угла диэлектрических дотерь, Яс Ф10

g = 3-109Гц Диэлектрическая проницаемость, Я

0,2 0,19 0,08

0,05 0,01 0,1 О, 1

1,0 3,0 2,0 4,6 4,0 3,0 4,0 5,0

5г67 5г62 5г76 5г1 5г5 5г8 5го 5г4

61 62 65 50 57 52 56 54

КТР*-10 1 С

Температура варки,оС

Фактор диэлектрических потерьг

Ь -1О4 р

f 3 1ФГц

1550 1570 1550 1550 1550 1580 1560 1580

5,67 17 11,5 23,5 . 22 17,4 20

3 9

7 0г дополнитетп но содержит о О при следующем соотношении компонентов, вес. %:

5 г 0 1 5 1-62

A

25-32

NnO 0,0 1-2,0

Сго 03 0,01-0,8

Т бг 0,0 1-0,2

2пО 0,0 1-2,0, Введение добавки Zn0 в предложенный состав стекла стимулирует получение наиболее высоких диэлектрических свойств.

В таблице представлены составы предпагаемйх стекол и их некоторые жзико-химические свойства.

Состав стекла обеспечивает воэможность варки, пайки и эксплуатации иэделий в условиях восстановительной среды.

Коэффициент термического расширения, стекла согласован с металлами — коваром и молибденом. Приготовленную шихту обжигают на воздухе (на спек) до

48914

1100оС с выдержкой при этой температуре 1 ч. Затем шихту загружают в молибденовые лодочки. Варку стекла осушес:гвляют в водородной среде при темg пературе 1550-1580о в течение 1-2 ч.

После варки стекло резко охлаждают, измельчают до удельной поверхности (4-6) -10 смог и формуют изделия по

-методам, известным в порошковой техноло1О гииг Готовые иэделия обжигают до 1200t. ,Иэделия могут изготовляться и по стекольной технологии. В области сверхвысоких частот заявляемое стекло имеет <л в 25 раз более низкие значения диэлек15 трических потерь и диэлектрическую проницаемость в пределах 5, 1-5,7, Фактор диэлектрических потерь (1 с а » - 10 ) у предлагаемого стекла более низкий, а КТР - более-высокий, щ чем у известного, что позволяет получать спаи с молибденом и коваром.

Изоляторы, изготовленные из заявляемого стекла могут быть испопьзованы дпя уменьшения паразитных емкостей не25 KoTopbIx изделий.

948914

Формула изобретения

Электротехническое стекло, включающее BqO<, We O>, NcgO, МпО, СВОЗ, 730@, о т л и ч а ю ш е е с я тем, 5 что, с цепью снижения фактора диэлектрических потерь и повышения коэффициента термического расширения, оно дополнительно содержит Zn0 при следующем соотношении компонентов, вес. %: "r0

510о 5 1-62 де оз 7-j,4 q;O 25-32

М п0 0,0 1-2,0

Се О 0,0 1-0,8

Т 0 0,01-0,2

2л 0 0,0 1-2,0

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

N 519401, кл. С 03 С 3/22, 1976.

2. Авторское свидетельство по заявке l4 2708427/29-33, mr. С 03 С 3/04, 1979 (прототип).

Составитель С. Кузнецов

Редактор М. Товтин ТехредЕ.Харитончик, Корректор Л. Вокшан

Заказ 5689/2 Тираж 508 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская иаб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4