Способ изготовления носителя информации на цилиндрических магнитных доменах

Способ изготовления носителя информации на цилиндрических магнитных доменах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советсник

Соцмалнстнчесннк

Республнн (и)951392 (6l ) Дополнительное к авт. свнд-ву (22) 3a в eH0 01. 12. 80 (21) 3210586/18-24 с присоединением заявки,% (23) Приоритет (51) М. Кл.

G 11 С 11/00

Геаударстаанный квннтет

СССР но делам нзобретаннй н открытнй (53) УД К 681, 327. (088.8) Опубликовано 15, 08. 82 ° Бюллетень № 30

Дата опубликования описания 1 7 . 08. 82 (72) Авторы изобретения

Р.Д. Иванов, В.В. Покровский, М.Б. Гущин и Е.С. Лабутин (7l ) Заявитель (54) CrlOC05 И ГОТОВЛЕНИ HOCuTEaR ИНФОРМАЦИИ

НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении носителей информации на цилиндрических магнитных доменах.

Известен способ изготовления носителей информации с. использованием

"взрывной" фотолитографии, при кото" ром в слое фоторезиста формируют требуемую топологию схемы, после чего производят металлизацию и удаление слоя фоторезиста с нанесенным на него металлом f 1).

Недостатком известного способа является сложность изготовления носителя.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является способ, согласно которому на поверхность эпитаксиальной феррит" гранатовой пленки наносят диэлектрик, магниторезистивный слой, слой резис" та или электронорезиста, формируют в слое резиста негативный рисунок элементов схемы, кроме датчика, осаждают трехслойную пленку - сначала половину необходимой толщины магнитного слоя, затем слой проводящего материала, далее вторую половину магнитного слоя с превышением толщины на величину, равную толщине магниторезистивного датчика, удаляют трехслойную пленку с поверхности резиста методом "взрыва", формируют в оставшемся слое резиста позитивный рисунок магниторезистивного датчика и ионным травлением бормируют магниторезистивный датчик 12).

Недостатком известного способа является низкая надежность изготовления носителя из"за необходимости Формировать на различных этапах изготовления в одном и том же влое резиста как негативное, так и позитивное изображение рисунка схемы.

Цель изобретения - повышение наде . ности изготовления носителя информа95139 ции на цилиндрических магнитных доменах.

Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления носителя информации на цилиндрических магнитных доменах, основанном на нанесении на пластину с доменосодержащим слоем слоя диэлектрика, нанесении слоя резис, тивного мате риала, нанесении хлоя резиста, формировании в слое резиста сквоз1 ных каналов трапецеидального поперечного сечения, последующем последовательном нанесении первого слоя магнитного материала, слоя проводящего мате" риала, второго слоя магнитного матеI

:,риала с последующим их удалением с пб верхности резиста и удалении части резиста в области между смежными сквозными каналами, нанесение слоя резистивного материала осуществляют непо- 20 средственно -на слой диэлектрика, а нанесение резиста осуществляют на слой резистивного материала, последовательное нанесение первого слоя магнитного материала, слоя проводя- 25 щего материала и второго слоя магнитного материала осуществляют на слой резиста и слой резистивного материа" ла в сквозных каналах резиста, последующее их удаление. с поверхности ре- з<> зиста осуществляют приклеиванием эластичного листового материала к поверхности второго слоя магнитного материала и отрыванием первого магнит" ного слоя от поверхности резиста, а после удаления части резиста в области между смежными сквозными каналами осуществляют напыление слоя магниторезистивного материала на слой резиста, слой второго магнитного ма- 4„ териала и слой резистивного материала в области между смежными сквозными каналами и последующее удаление резис та со всей поверхности слоя резистивного материала °

На чертеже изображены этапы изготовления носителя информации, Носитель информации содержит подложку 1 из немагнитного граната с эпитаксиальной феррит-гранатовой плен.

50 кой 2, на поверхности которой расположен слой 3 диэлектрика, слой 4 резистивного материала, слой резиста 5, слой 6 магнитного материала, слой 7 проводящего материала, слой 8 магни55 торезистивного материала, слой 9 защитного диэлектрика.

Способ реализуется следующим образом.

2 4

На подложку l с эпитаксиальной пленкой 2 наносят слой 3 двуокиси кремния толщиной 0,8мкм,,слой 4 толщиной 5-8 мкм, слой резиста или электронорезиста и формируют в нем негативное изображение схемы, кроме датчика, наносят половину требуемой толщины пермаллоя 200-300 нм и слой золота или меди толщиной 100-200 нм, вторую половину требуемой толщины пер" маллоя 200-300 нм, удаляют трехслойную пленку с поверхности резиста механическим путем, например, используя кистевую мойку или наносят толстый слой лака толщиной 20 мкм, после затвердевания пленку лака механически отслаивают, формируют в оставшемся резисте негативное изображение магниторезистивного датчика, наносят слой магниторезистивного датчика толщиной

30-70 нм, удаляют магниторезистивный, слой с поверхности резиста механичес- ким путем и удаляют резист в ацетоне или плазме кислорода в зависимости от типа резиста, наносят защитный слой Si0> толщиной 1 мкм и произ« водят вскрытие контактных площадок °

Предлагаемое изобретение позволяет изготовить МИС с толстопленочным датчиком, и существенно повысить надежность изготовления носителя информации на цилиндрических магнитных доменах.

Формула изобретения

Способ изготовления носителя информации на цилиндрических магнитных доменах, основанный на нанесении на пластину с доменосодержащим слоем слоя диэлектрика, нанесении слоя резистивного материала, нанесении слоя резиста, формировании в слое резиста сквозных каналов трапецеидального поперечного сечения, последующем последовательном нанесении первого слоя маг. нитного материала, слоя проводящего материала, второго слоя магнитного материала с последующим их удалением с поверхности резиста и удалении части реЗиста в области между смежными сквозными каналами, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления носителя. нанесение слоя резистивного материала.осуществляют непосредственно на слой диэлектрика, а нанесение резиста уществляют на слой резистивного

95 материала, последовательное нанесение первого слоя магнитного материала, слоя проводящего материала и второго слоя магнитного материала осуществляют на слой резиста и слой резистивного материала в сквозных каналах резиста, последующее их удаление:с поверхности резиста осуществляют приклеиванием эластичного. листового материала к поверхности второго слоя магнитного материала и отрыванием первого магнитного слоя от поверхности резиста, а после удаления части резиста в области между смежными сквозными каналами осуществляют напыление слоя магниторезис1392 тивного материала на слой резиста, слой второго магнитного материала и

i слой резистивного материала в области между смежными сквозными каналами и.

5 последующее удаление резиста со всей поверхности слоя рези сти вного материала.

Источники инФормации, принятые во внимание при экспертизе.

1. Appl Phys I ett 31, II 5, р. 337"339, 1977.

2. IBM Techniñàl Disclose Bulettiп, N 20,, И 1, Sune, 1977 (прототйп).

Рецакто

Заказ 5

Составитель В. Костин к Техред М. Тепер Корректор С. Шекмар

9 Тираж 622 Подпи сное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, )(-35, Рауаская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4