Способ получения блестящих медных покрытий гальваническим путем из кислого электролита

Способ получения блестящих медных покрытий гальваническим путем из кислого электролита

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Класс 48а, 14

48а„Ы.

_#_ 95266

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

В. Г, Богатырев, Л. М

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ БЛЕСТЯЩИХ МЕДНЫХ ПОКРЫТИИ

ГАЛЬВАНИЧЕСКИМ ПУТЕМ ИЗ КИСЛОГО ЭЛЕКТРОЛИТА

Заявлено 13 февраля 1952 г. за Я 10290/445449 в Министерство транспортного машиностроения СССР

Опубликовано в «Б!оллетене пзобретс(и йъ М 3 за 1953 г.

Предмет из00ретения

3 известном спосоое получен:!я блест!I Ht ttx .,1Одных покрытий гя ihваническим путем из кислого электро.1и! а дг!1! последу!Ощего нан ес(:. H I! 11, 1 C ко р я 1 lf ВII О-заl:Ц!! Тн, i l О слоя метал, га (нап!ример никеля т .Ро 1;1 11 и МЕНЯ Ст Я;1ЕК;1ПИЧЕсKOC:toтирование иотзер.:ности мед1!ОГО СЛОЯ 11 ИОС,!(,I) 10!ЦЕ(ООЕЗгки1)llван!1(. э l 0(I 110Вс():;ност1i. !

1елв!о Hàñòîящего изобретсния

;IH.IItåTcit ttct;лнзчен!10 операций 11;)лир(. на ния и обезясиривания. ля этого сÎ! Icно изоОретепиlo пр!!меняют электролl!т следующего состава в г л): (ернокислой кивни . . . . . . . 200 †2

Серной кислоты . . . . . .. . 20 тиогионевины......... H,Î-I — 0,05

Патоки............ 0  — 0,9

А lt,on:èíà...,..... 0,3

Омеднение производится при плотности тока на катоде 7,5--8,0 а д.!1з при температуре электролита 10 — 15 .

Корректировка ванны производится введение.1 з нее c0ðHOêècлой меди и серной кислотht с периодическим добавлением и;1омочевины в виде 1 :- о;и раствора и патоки. Корректировка 1(я я.-и,бумин нс обязятелтг!я.

Снос;1б Ilîë IOíèÿ блестящик м е 1п1з1. ; !10 к ptitT!IH га.! ива нпч ее iit,xt п тем !1! кислого:-:. ск! рол 1тя для последую:цегÎ нянесс illÿ дскоратиВно защитного c,ioH к!ет1,,Iti (на

I1PlIМСО 1!1!КЕЛЯ il, !il :(«ОЗ!Я,1, О т Л Ичаю щH йся тем, и 1, с целью исключения операций полирования

li ОбсззкиривяниЯ !10(30(>xIIOc II ОЙ раоатываемой летал ., к электролиту из 200 — 1!1 г l серн Окислой меди и 20 г л сер ой к11сг!о!1.1 добяв IHIOT 0,04 — 0,05 г .1 . !1омочев!1ны, 0,8- 0,9 z .! пято;!I. Г1,8 г, л альбумина, и процесс ведут пр:i плотности тока на катоде,5 — 8,() (i д.1!а при температуре э,tel;Tpoлиia 10 — 15.