Интегральный инжекционный логический элемент

Интегральный инжекционный логический элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(72) Авторы изобретения

В. Я. Кремлев, В. Н. Струков, Г. И. Стороженко и l0. И. Щетинин (7I ) Заявитель (54) ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ

ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к логическим и запоминающим устройствам и может найти широкое применение в различных устройствах автоматики и вычислительной техники.

По основному авт. св. N 860315 известен интегральный инжекционный логический элемент, содержащий интектирующий, выходной и дополнительные транзисторы (11.

Недостатком известного логического В элемента является отсутствие согласования его выходных уровней с уровнями транзисторно-транзисторных логических элементов.

Целью изобретения является согласо- > вание выходных уровней с уровнями транзисторно-транзисторных и диоднотранзисторных логических элементов.

Поставленная цель достигается

2о тем, что в интегральном инжекционном логическом элементе базы инжектирующего и дополнительных р-и-р транзисторов соединены с

2 общей шиной через последовательно соединенные первые диоды, эмиттеры дополнительных р- и- р транзисторов соединены с входными шинами через вторые диоды.

На фиг. 1 приведена электрическая схема интегрального инжекционного логического элемента; на фиг. 2 вариант его выполнения.

Логический элемент содержит выходной и-р-и транзистор 1, эмиттер которого соединен с общей шиной, коллектор - с выходной шиной 2, инжектирующий транзистор 3, последовательно.с ним и между собой соединенные дополнительные р-и-р транзисторы 4 и 5. Эмиттер транзистора 3 подключен к шине 6 питания, базы транзисторов 3-5 через последовательно соединенные диоды

7 и 8 соединены с общей шиной, эмиттеры транзисторов 4 и 5 соединены с входинам шинами 9 и 10 через диоды 11 и 12 соответственно.

3 9537

Логический элемент работает следующим образом.

Если на шине 9 и 10 подается высокое положительное напряжение, то выходной транзистор 1 насыщен, т.е. на выходе выдается низкий потенциал близкий к нулю. При этом диоды 11 и

12 закрыты, а транзисторы 3-5 открыты и обеспечивают базовый ток выходного транзистора 1. Напряжение на ба- 10 зах транзисторов 3-,5 равно удвоенному прямому падению напряжения на диоде. Если на один из входов 9 или 10, или на оба входа. подается низкий потенциал, близкий к нулю, то диод 11 15 или 12, или соответственно оба отрываются и отводят коллекторный ток транзисторов 4 или 5, или 4 и 5 на землю. В результате базовый ток транзистора 1 уменьшается и он закрывает- 20 ся, что соответствует логической единице на выходе.

Таким образом, логический элемент выполняет логическую функцию И-НЕ для логических переменных: "0" - низ- 2S кий потенциал, "1" — высокий потенциал, и логическую функцию ИЛИ-HE для логических переменных: "0 - высокий потенциал, "1" - низкий потенциал.

При изменении напряжения на входах 30 элемента от низкого к высокому и наоборот переключение выхода из одного логического состояния в другое происходит при напряжении, примерно равном двум прямым падениям напряжения на диоде, т.е. при том же напряжении, что и в элементах транзисторно-транзисторной и диодно-транзисторной логики.

Работоспособность (выполнение логи-щ ческой функции) данного элемента

30 4 обеспечивается при выполнении следующего условия

1 . ""5 Ь В„ гдеe >, e 4, Фg - коэффициенты усиления по току в схеме с общей фазой тран- . зисторов 3-5; ток, втекающий в шину 6 питания; ток, втекающий в выходную шину 2;

8q - коэффициент усиления

:по току в схеме с общим эмиттером транзистора 1.

В логическом элементе, представленном на фиг. 2, показано, что на входе может быть включена диодная сборка, Формула изобретения

Интегральный инжекционный логический элемент по авт. св. 1 860315, отличающийсятем, что, с целью согласования выходных уровней с уровнями транзисторно-транзисторных и диодно-транзисторных логических элементов, базы р-и-р транзисторов соединены с общей шиной через последовательно соединенные первые диоды, эмиттеры дополнительных р-и-р транзисторов соединены с входными шинами через вторые диоды.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство CCCP

N 860315, кл. H 03, К 19/08, 07.05.74.

953730 г,г

Составитель Л. Дарьина

Редактор Р. Цицика Техреду i<.Èûébo Корректор Г. Решетник

Заказ 6293/81 Тираж 959 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

11 035 Москва й- 5 Ра шская наб. . 4/

) s Ó z л 6

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4