Способ управления переключающим транзистором

Способ управления переключающим транзистором

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических .Республик (i<>955414 (61) Дополнительное к авт. саид-ву(22) Заявлено 041280 (21) 3215446/24-07

Р 1М К з

Н 02 М 1/08 с присоединением заявки №вЂ”

Государственный комитет

СССР по делам изобретений н открытий (23) Приоритет—

ДЗ) УДК 621. 316. .727(088.8) Опубликовано 300882. Бюллетень ¹32

Дата опубликования описания 300882

Ю.И. Драбович, П.Н. Шевченко, Н.Н. Юрченко и И.Г. Пономарев (72) Авторы изобретения

Институт электродинамики AH

Украинской CCP (73) Заявитель (54 ) СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ -ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИМ

ТРАНЗИСТОРОМ

Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано в транзитных преобразователях напряжения и устройствах электропитания.

Известны способы формированного запирания транзисторов, состоящие в том, что формируют запирающие напряжения на переходах база-эмиттер и база-коллектор транзистора 113.

Недостатком известных способов является невысокое быстродействие, обусловленное значительными временами выключения и спада коллекторного тока.

Наиболее близким техническим решением к изобретению по средствам и достигаемому результату является способ управления транзистором и реализующее его устройство, состоящий в том, что сформированный импульсный сигнал управления подают одновременно на переходы база-эмиттер и базаколлектор транзистора f2).

Однако известный способ также отличается недостаточным быстродействием. Кроме того-, недостатком его является повышенное падение напряжений на транзисторе.

Цель изобретения — повышение быстродействия и уменьшение потерь мощности на транзисторе.

Поставленная цель достигается тем, что дополнительный сигнал подают в конце действия основного сигнала и снимают его в момент подачи запирающего сигнала.

На фиг. 1 дана принципиальная схема транзисторар на фиг. 2 — временные диаграммы последовательности операций по предлагаемому способу; на фиг; 3 — схема реализации управления

15транзистором.

В момент времени t источником ,тока формируется оптирающий сигнал (1„е 1) и подаетсЯ на пеРеход базаэмнттер транзистора. Транзистор из области отсечки переходит в область насыщения. Область насыщения характеризуется малым падением напряжения на транзисторе.и, следовательно, малыми потерями мощности в транзисторе ° В момент времени t,,предшествуюший запиранию транзистора, источник тока формирует дополнительный сигнал, который подается на переход коллектор - база. Запирающий импульс тока .()„е ),.проходящий через переход коллектор — база, выводит транэис955414

Tpl

Составитель В. гостюхин

Редактор A. Власенко ТехредМ.надь ЕорректорВ.Вутяга

Закаэ 6467/71 Тирах 721 Поднисное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб;, д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ухгород, ул. Проектная, 4