Оптический дефлектор

Оптический дефлектор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

CoIo3 Советскик

Социалистических

Республик

gisj959016 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 19.02. 81 (21) 3253967/18-25

Р(М g< з с присоединением заявки ¹

G 02 F 1/29

Государственный комитет

СССР но делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано .15.09, 82.Бюллетень ¹ 34 (Щ УДК 5 35. 8 (088.8) Дата опубликования описания 15.09.82 (72) Авторы изобретения

Каринскнй, С.Н. Кондратьев и М.N..Î

-1 с

j (71) Заявитель (54) ОПТИЧЕСКИЙ ДЕФЛЕКТОР

Изобретение относится. к радиотехнике и радиоизмерительной технике в частности к элементам многоканального, быстродействующего аналогоцифрового преобразователя, и может

- быть использовано как элемент устройств, использующих оптические методы преобразования и обработки широкополосных радиосигналов.

Известны электрооптические дефлекторы, использующие электрооптический способ отклонения оптического излучения в. кристаллах (1).

Недостатком такчх устройств является их малая эффективность.

Наиболее близким к предлагаемовСу является оптический дефлектор, содержащий подложку с волноводнооптическим слоем на поверхности и структуру из 2-х систем встречно-штыревых электродов, одна из которых содержит штыри увеличивающейся дли-: ны, причем участки перекрытия штырей электродов, линейно нарастают.

Штыри второй системы электродов имеют постоянную длину (2 1.

К его недостаткам можно отнести неоднозначность преобразоваиия из,лучения и малую эффективность дефлектора.

Цель изобретения - исключение неоднозначности преобразования излучения и увеличение эффективности

5 дефлектора.

Это достигается за счет того, что в оптический дефлектор, содержащий подложку с волноводно-оптическим слоем на поверхности и структуру из 2-х систем встречно-штыревых электродов, первая из которых содержит штыри увеличивающейся длйны, причем участки перекрытия штырей электродов линейно нарастают, дополни» тельно введена, по крайней мере одна структура электродов, причем вторая система встречно-штыревых электродов каждой структуры,выпол нена из штырей убывающей длины, а длины штырей пеРвой и второй систем электродов соответственно возрастают и убывают по квадратичному закону.

На чертеже изображена схема опти»

25 ческого дефлектора.

Дефлектор содержит подложку 1 из электрооптического кристалла (например, LfNb0 Y-среза), на поверх» ности которой расположен волноводноЗ0 оптический слой 2 и нанесены струк959016

Составитель Н.. Назарова

Редактор Л. Авраменко Техред Т.фанта Корректор О. Билак,.

Заказ 7012/63 Тираж 518 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная, 4 туры из двух систем встречно-штыре.вых электродов 3.

Для более эффективной работы дефлектора в него введена дополнительная структура из двух систем встречно- штыревых электродов 4.

Встречно-штыревые электроды соединены с шинами 5.

Устройство работает следующим образом.

Напряжение Ч прикладывается к шинам 5. При этом на участках перекрытия встречно-штыревых электродов каждой структуры создается электрическое поле одного направления.

Изменение коэффициента преломления среды и под действием этого поля вызывает изменение фазового фронта проходящего светового луча и отклонение его на угол, пропорциональный приложенному .к электродам напряжению.

Использование изобретения позволяет увеличить эффективность оптического дефлектора.

Эа счет создания в областях перекрытия встречно-штыревых электродов электрического поля одного направления оптический дефлектор устраняет неоднозначность преобразования входного напряжения в угол отклонения луча при подаче на дефлектор

4 двуполярного сигнала и увеличивает интенсивность отклоненного луча.

Формула изобретения

Оптический дефлектор, содержащий

5 подложку с волноводно-оптическим. сло» ем на поверхности и структуру кз двух систем встречно-штыревых электродов, первая из которых содержит штыри увеличивающейся длины, причем о участки перекрытия штырей электродов линейно нарастают, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью.исключения неоднозначности преобразования излучения и увеличения эффективности дефлектора, в него дополнительно введена по крайней мере одна структура электродов, причем вторая. система встречно-штыревых электродов каждой структуры выполнена из штырей убывающей длины, а длины штырей первой и второй систем электродов соответственно возрастают и убывают по квадратичному закону.

Источники информации» принятые во внимание при экспертизе

25 1. Ребрин Ю.К. Управление оптическим лучом в пространстве. М., "Советское радио", 1977, с. 54-93.

2. Tsai С, and Sannier P. New

qulded wave acousto-optic and elect30 ro-optic devices asing LiКЬО Ferrb-

clectics, Ч. 10. р. 257-261, 1976. э