Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ceca Ceaercw

Соцналнстнческнк

Республик

<>959160 (6!) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 050281 (21) 3243202/18 24 ($4) М. HA.З

G 11 С 11/14 с присоединением заявки Нов

Государственный комитет

СССР ио делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 150982 Бюллетень М9 34 (З) УДК 681. 327, .66 (088. 8) Дата опубликования описания 150982 (72) Авторы изобретения

B "ЧОЮЗБ1я

Н.В. Косинов и В.М. Кузьменко (71) Заявитель

ЬИБЛж0 r :I,:. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВлЕНия ЗАПОминАЮщИХ МАТРИЦ

НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении матриц памяти запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП).

Известен способ изготовления запоминающих матриц на: ЦМП, основанный на плетении обмоток на станке, содержащем две ремизные рамы, которые .заправляют числовым проводом и в процессе работы сдвигают поочередно вверх и вниз, образуя зев, через который пропускают стальной стержень и формуют вокруг него витки обмотки.

После набора необходимого числа стержней полученную ткань режут с двух сторон и крепят к основанию матрицы, соединяя проводники пайкой. Стержни при этом заменяют ЦМП (1).

Недостатком этого способа следует считать высокий процент брака, обус» ловленный пропусканием тонкого провора через ремизные рамы, где он подвергается многократной деформации и механическим повреждениям, а также 25 низкой надежностью паяных соединений в числовой обмотке.

Наиболее близким техническим решением кданному изобретению является способ изготовления запоминающих матриц на ЗО

ЦМП, который основан на натяжении технологических струн, образовании зева между ними путем их разведения, формовке проводника технологическими струнами, перемещении сформованного проводника к адресным обмоткам, заливке компаундом и извлечении технологических струн (2).

Недостатком известного способа является то, что формование проводника в момент закрытия зева происходит одновременно по всей длине проводника, -силы взаимодействия между струнами основы и проводником при этом препятствуют втягиванию свободного конца проводника, поэтому формование витков адресной обмотки про" исходит только за счет деформации ° отрезка проводника, зафиксированного в момент закрытия зева. Врзникающие деформации приводят к обрыву проводника, его утончению и нарушению его изоляции

Кроме того, струны, на которые уложен провод адресной обмотки при открытом зеве, не обладая достаточной жесткостью, а также под воздействием сил, прикладываемых .к формуемому проводу со стороны формующих его струн, несколько смещаются из своего

9591бО нейтрального положения, что не обеспечивает; элной формовки вплетаемого провода.

Целью изобретения является говышение надежности изготовления матриц.

Поставленная цель достигается тем, 5 что согласно способу изготовления запоминающих матриц на ЦМП основанному на натяжении технологических струн, образовании зева между ними

aóTåì их разведения, формовке про- 10 водника технологическими струнами, перемещении .сформованного проводника к адресным обмоткам, заливке компаундом и извлечении технологических струн, располагают плоскость разведенных технолс-ических струн под углом к плоскости неразведенных технологических струн при неизменном угле наклона между плоскостями зева, формовку проводника осуществляют в направлении от вершины угла, образованного плоскостями зева, посредством закрытия зева при неизменном угле наклона между плоскостями зева до полного завершения формовки, пос-, ле чего совмещают плоскости зева в зоне плетения.

На фиг. 1 изображен проводник, положение в момент закрытия зева; на фиг. 2 - разрез A-A на фиг. 1; на фиг. 3 — последовательное формование проводника в момент закрытия зева.

В.соответствии с предложенным способом изготовление запоминающих матриц на ЦМП осуществляется следу- 35 ющим образом.

На технологической основе натя. гивают технологические струны 1 (нечетные) и 2 (четные). Технологические струны 1 и 2,с помощью ремиз- 40 ных рам (не показаны) разводятся и образуют зев 3, при этом плоскость, образованная нечетными струнами 1, составляет с плоскостью, образованной четными струнами 2, угол Ы . В 45 зев вводится провод 4 адресной обмотки. Формование провода 4 происходит при закрытии зева 3 в направлении от вершины угла eL, образованного плоскостями четных 2 и нечетных 1 струн (фиг. 3). При этом угол cL сохраняется неизменным до окончания фор-мовки. Свободный конец провода 4 при формовке втягивается из более широкой части зева (фиг. 3).

В предложенном способе исключаются деформации провода адресной обмотки, так как формование витков происходит последовательно каждой парой струн, а за счет сохранения угла d. в процессе формовки постоянным,провод адресной обмотки имеет возможность свободно втягиваться в зону формовки,.

Кроме того, последовательное закрытие зева одновременным сведением струн из обеих плоскостей в зоне формовки позволяет провести полную формовку провода адресной обмотки в результате того, что на формуемый участок провода действуют две противоположно направленные силы.

Таким образом, расположение плоскостей четных и нечетных струн под углом друг к другу, сохранение угла до конца формовки витка посредством закрытия зева и совмещение плоскости. зева в зоне плетения позволяют устранить деформации провода при плетении и провести полную формовку провода, что повышает надежность изготавливаемых матриц

Формула изобретения

Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках, основанный на натяжении технологических струн, образовании зева между ними путем их разведения, формовке проводника технологическими струнами, перемещении сформованного проводника к адресным обмоткам, заливке компаундом и извлечении технологических струн, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления мат- риц, располагают плоскость разведенных технологических струн под углом . к плоскости неразведенных технологи-. ческих струн при неизменном угле наклона между плоскостями зева, формовку проводника осуществляют в направлении от вершины угла, образо-: ванного плоскостями зева, посредством закрытия зева при неизменном угле наклона между плоскостями зева до полного завершения формовки, после чего совмещают плоскости зева в зоне плетения.

Источники информации, принятые во внимание при .экспертизе

1. 1 ригорян Л.A. Запоминающие устройства на цилиндрических магнитных пленках. M.> "Энергия", 1975, ° с. 95.

2. Авторское свидетельство СССР

Р 282428, кл. G 11 С 11/14, 1970 (прототип).

959160

Заказ 7050/70

Тираж 622 Подписное

ВНИИПИ ГосударственногО комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель Ю. Розенталь

Редактор О. Персиянцева Техред H.Ãàéäó Корректор lO, Макаренко