Корпус для интегральной микросхемы

Корпус для интегральной микросхемы

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Соцналнстнческнх

Республнк

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 30.10.80 (21) 2998814/18-21. ($$) М. Кл.з с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

Н 01 L 23/041

Н 05 К 5/06

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий

Опубликовано 2309.82. Бюллетень ¹35 (53) УДК 621 ° 396 ° .6.019.3 (088.8) Дата опубликования описания 23.09.82 (72) Авторы изобретения о о (" а,уу

„с

«" „" " 4

Ф.И.Мальков, A.Ä.Ðåáèýoâ и О.Н.Федор (7t) Заявитель (54) КОРПУС ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ

Изобретение относится к микро электронике и может быть использовано при конструировании и изготовлении корпусов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов.

Известен металлостеклянный корпус для интегральных микросхем, содержащий стеклянное основание с коммута-ционными выводами и металлическую крышку. Герметизация корпуса осуществляется путем припайки крышки с помощью припоя к коваровому кольцу, вваренному в торец боковой стенки основания 1).

Недостатком этой конструкции корпуса является малая термоустойчивость паяного герметиэирующего шва. Кроме того, нри флюсовой пайке продукты сварки проникают внутрь корпуса, осаждаются на кристалл интегральной микросхемы и могут изменять ее па-. раметры.

Наиболее близким к изобретению . по технической сущности является корпус для интегральной микросхемы, содержащий диэлектрическое основание, выполненное в виде полого цилиндра, с коммутационными выводами и с сечением Т-образной формы, присбединяемую при герметизации (сварке) непосредственно к торцевой поверхности боковой стенки основания (2).

Недостатком известной конструкции корпуса является низкая долговечность, так как стеклянное основание трудно проварить .на всю толщину стенки и при термических воздействиях в силу хрупкости используемых материалов в месте сварки возможно образование трещин.

В том случае, когда боковые стенки в корпусе выполняются тонкими и соответствующими.толщине крышки, можно осуществить проваривание стекла на всю толщину боковой стенки основания. Однако в этом случае в силу малой толщины опорной торцевой по верхности возможно разрушение корпуса при мембранном движении крышки, н вызванном внешними воздействиями.

Кроме того в известной конструкции возможно проникновение при сварке внутрь корпуса продуктов разложения стекла, что ухудшает параметры

25 микросхем.

Цель изобретения — повышение долговечности корпуса и уменьшение проникновения продуктов сварки в объем корпуса.

961006

Указанная цель достигается тем, что в корпусе для интегральной микросхемы, содержащем диэлектрическое основание, выполненное в виде полого цилиндра с коммутационными выводами, и .крышку с сечением Т-образной формы, в торце боковой стенки основания выполнена U-образная кольцевая канавка на расстоянии от наружной боковой поверхности стенки не превышающем ширины сварного шва меж- 10 ду основанием и крышкой, Наличие разделительной канавки в торце боковой стенки позволяет осуществлять надежную герметизацию за .счет полного проваривания шва от ка- g навки до внешней поверхности боковой стенки основания, и в то же время сохранить широкую опорную контактную площадку для крышки, что увеличива- ет прочность корпуса. 20

Кроме того, конструкция корпуса способствует уменьшению попадания продуктов сварки во внутренний объем корпуса эа счет пути проникновения продуктов, выделяющихся при сварке, на герметиэируемую микросхему.

На фиг. I изображен корпус для интегральной микросхемы, продольный разрез, на фиг. 2 — основание корпуса, вид сверху, на фиг. 3 — часть корпуса после герметизации.

Корпус содержит диэлектрическое основание 1, выполненное, например из стекла, с вваренными в стекло коммутационными выводами 2. В торце З5 боковой стенки основания 1 выполнена

U-образная кольцевая канавка 3 на расстоянии от наружной боковой поверхности стенки основания 1 меньшем или равном ширине сварного шва между 40 основанием 1 и крышкой 4. Ширина сварного шва определяется длч данного материала корпуса и способа его сварки и имеет определенное и постоянное значение. Кристалл 5 с микросхемой расположен на основании 1 корпуса и соединен с выводами 2, например проволочными перемычками 6.Крышка 4, выполненная также из стекла, имеет

Т-образную конфигурацию, причем диаметр центральной ее части соответствует внутреннему диаметру основания.

Предложенная конструкция корпуса позволяет увеличить. прочность корпуса, повысить его долговечность приваривания уменьшить возможность проникновения внутрь корпуса продуктов разложения материалов крышки и основания образующихся при сварке.

Формула изобретения

Корпус для интегральной микросхемы, содержащий диэлектрическое основание, выполненное в виде полого цилиндра с коммутационными выводами, и крышку с сечением Т-образной формы, отличающий с я тем, что, с целью повышения долговечности корпуса и уменьшения проникновения продуктов сварки в объем корпуса, в торце боковой стенки основания выполнена U-образная кольцевая канавка на расстоянии от наружной боковой поверхности стенки не превышающем ширины сварного шва между основанием и крышкой.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Технические условия V на корпус ИУЧ, 1.06.083 ТУ.

2. Парфенов О.Д. Технология микросхем, M. "Высшая школа", 1977, с. 231-233, рис, 3,7 (прототип) .

961006

Составитель О. Стручева

Техред А.Ач Корректор О.Билак

Редактор Г.ус

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Заказ 7303/69 Тираж 761 Подписное

BHHHIlH,ÃññóäàðñõàÅûíàãÎ комитета СССР по делам изобретений и открытий.

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб;, Д. 4/5.t