Способ изготовления тонкопленочных тензорезисторов

Способ изготовления тонкопленочных тензорезисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советсиик

Социалис тически к

Республик

««963113 (Sl ) Дополнительное к авт. саид-ву-(22) ЗаЯвлено 21.03.81 (21) 3264658/18-21 (51) М. Кл.

Н Ol С 17/00 с присоединением заявки М (23) Приоритет

9eyaayneansN кеметет

CC Clt ие делам езееретеккй

/ к етермтеа (53) УЙК 621.316..8(088.8) Опубликовано 30.09,82. Бюллетень ¹ 36

Дата опубликования описания 30.09.82

Г. В. Соломенников, В. М. Геннадьев, H. А. Кузнецов и В. И. Мойбенко. (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

Рязанский радиотехнический институт (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ

ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологии изготовления тонкопленочных тензорезисторов.

Известен .способ изготовления тонкопленочных тензорезисторов, включающий нанесение. на подложку диэлектрического и резистивного слоев с последующеи их термообработкой f1 g.

Недостаток указанного способа изготовления тонкопленочного тензорезистора состоит в низкой тензочувствительности.

Наиболее близким к предлагаемому является способ изготовления тонкопле-, ночных тензорезисторов, включающий нанесение на металлическую пластину слоя диэлектрика и резистивного слоя . с последующей термообработкой их в среде кислорода (2 ).

zo

Недостаток известного способа изгото аления тон копле ночного тензо рези стора заключается в низкой тензочувствительности.

Цель изобретения - повышение тензочувст вительности.

Указанная цель достигается тем, что согласно способу изготовления тонкопленочных тензорезисторов, включающему нанесение на металлическую пластину сЬоя диэлектрика и резистивного слоя с последующей термообработкой их в среде кислорода, термообработку осуществляют при 600-750оС и давлении

- 1

10 - 1 Па в течение 2-10 мин.

Способ осуществляют следующим образом.

На пластину из стали 36НХТ толщиной 0,25 мм, диаметром 18 мм наносят слой диэлектрика и резистивный слой титана толщиной 1000 мкм. Затем пластину с нанесенными на нее слоями нагревают с помощью инфракрасного излу" чателя до 700оС в течение 2 мин при давлении кислорода 10 Да. Тензорезистор имеет удельное поверхностное сопротивление 4 кОм/о и коэффициент тензочувствительности 40. Изготовленный

13 формула изобретения

Составитель Ю.. Герасичкин

Редактор l0. Середа Техред Ж.Кастелевич, Корректор E° . Рошко

Заказ 7527/77

Тираж 761 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1 13035, Москва, 8-35, Раушская, наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул, Проектная, 4

3 9631 на его основе датчик имеет чувствительнесть не хуже 1-2 мВ/В ° атм.

Предлагаемое изобретение позволяет изготовлять тонкопленочные тензорезисторы с удельным поверхностным .сопротивлением 2- 50 кОм/о и коэффици ентом тензочувствительности 10-50.

Способ изготовления,тонкопленочных тензорезисторой, включающий нанесение на металлическую пластину слоя диэлектрика и резистивного слоя с последующей термообработкой их в среде кислорода, отличающийся тем, что, с целью повышения термочувствительности, термообработку осуществляют при температуре 600-750оС и давлении 10 -1 Па в течение 2-10 мин.

Источники информации, принятые Во внимание при экспертизе

1. Патент Англии N 1047412, кл. Н 01 С 17/00, 1966, 2. Патент США И 4944720, кл. Н 01 С 17/ОО, 1980 (прототип).