Микрополосковая нагрузка
Иллюстрации
Показать всеРеферат
O ll H C A H H E
ИЗО6РЕТЕН Ия
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик (11) 964798
l (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 05.09.80 (21) 2980759/18-09 с присоединением заявки М (23) Приоритет
Опубликовано 07.10.82. Бюллетень № 37
Дата опубликования описания 08.10.82 (53)M. Кл.
Н01 P 1/26
@еударстеееиы1 кеинтет
СССР ао далем кзебретеккй н отерыткк (53) УД К621.372. .855.4 (088.8) (72) Автор изобретения.А.Я. Лехциер
К ) 9fy .т jq
ТЕХБГБ;С ИЯ ."
БИБЛИОТЕКА (71) Заявитель (54) МИКРОПОЛОСКОИАЯ НАГРУЗКА
Изобретение относится к технике сверхвысоких частот.
Известна микрополосковая нагрузка, содержащая отрезок микрополосковой ли нии, подключенный к реэистивному слою, закороченному металлизированным отверотием, выполненным в диэлектрической под- . ложке на продольной оси отрезка микрополосковой линии, причем ширина резистивного слоя выполнена увеличивающейся в направлении к металлизирова иному отверстию по закону, описывавмому соотношением 2 =R„, me Z„- волновое сопротив ление микрополосковой линии, имеющей ширину токонесущего. проводника, равную !
5 ширину реэистивного слоя в сечении 1, R - активное сопротивление реэистивно1 го слоя, размещенного между сечением и металлнэированным отверстием (1 1.
Однако в данной микрополосковой нагрузке недостаточно хорошее согласование и сложная конструкция, что .связано с нв обходимостью выполнять металлнэирован2 ное отверстие в виде изогнутой узкой щели.
Бель изобретения — улучшение согласования и упрощение конструкции..
Бель достигается тем, что в микропо- лосковой нагрузке, содержащей отрезок микрополосковой линии, подключенный z реэистивному слою, закороченйому металлизированным отверстием, выполненным в диэлектрической подложке на продольной оси отрезка микрополосковой линии, причем ширина реэистивного слоя выполнена увеличивающейся в направлении к металлиэированному отверстию по .закону,. описываемому соотношением 1„. .R. где 2; - волновое сопроттвлейие микрополосковой линий, имеющей ширину токонесущего проводника, равную ширине реэистивного слоя в сечении 1, R - активное сопротивление резистивного слов, размещенного между сечением i и металлизированным отверстием, металлиэированное отверстие выполнено в виде окружности, центр которой. удален от конца отоезкв
964198 к =Р
je j
3 микрополосковой линии на расстояние, равное сумме длины резистивного слоя вдоль его продольной оси и радиуса окружности.
Иа чертеже показано устройство микро-% полосковой нагрузки.
Микрополосковая нагрузка содержит отрезок 1 микрополосковой пинии, подключенный к резистивному слою 2, закороченному круглым металлизированным отверстием 3, выполненным в диэлектрической подложке на продольной оси отрезка . микрополосковой линии, причем ширина реэистивного слоя выполнена увеличиваю-. щейся в направлении к металлизированно- 1 му отверстию по закону Z„. =Я., где = 1,2,3... сечения резистивного слоя, выполненные в виде окружностей, центр, которых совпадает с центром металлизированного отверстия, удаленного от кон-20 ца отрезка 1 микрополосковой линии на расстояние, равное сумме длины резистивного слоя 2 вдоль его продольной оси и радиуса металлизированного отверстия.
Ьикрополосная нагрузка работает 25 следующим образом.
Сверхвысокочастотная мощность, поступающая по отрезку 1 микрополосковой линии, рассеивается в резистивном слое
2. Согласование обеспечивается выбором зо ширины реэистивного слоя в каждом сечении 1, при которой выполняется соотношение 2 = R., где 2 — волновое
1 1 1 сопротивление микрополосковой линии, имеющей ширину токонесушего проводника, равную ширине резистивного слоя, отсчитанную по сечению i, R„ -активное сопротивление резистивного слоя размещенного между сечением < и металлизированным отверстием.
Микрополосковая нагрузка обеспечивает работу при высоком уровне сверхвысоко частотной мощности, обеспечивает хорошее согласование, имеет малые габариты и проста в изготовлении.
Формула изобретения
Микрополосковая нагрузка, содержащая отрезок микрополосковой линии, подключенный к резистивному слою, закороченному металлиэированным отверстием, выполненным в диэлектрической подложке на продольной оси отрезка микрополосковой линии, причем ширина резистивного слоя выполнена увеличивающейся в направлении к металлизированному отверстию по закону, описываемому соотношением Z„= R„:, где Z - -— волновое сопротивление микро1 полосковой линии, имеющей ширину токонесушего проводника, равную ширине резиотивного слоя в сечении 1, R . . - -активное
1 сопротивление резистивного слоя, размещенного между сечением 1 и металлизированным отверстием, о т л и ч а ю щ а— я с я тем, что, с целью улучшения согласования,и упрощения конструкции, металлизированное отверстие выполнено в виде окружности, центр которой удален от конца отрезка микрополосковой линии на расстояние, равное сумме длины резистивного слоя вдоль его продольной оси и радиуса окружности.
Источники информации принятые во внимание при экспертизе
1. Патент ФРГ, No. 2260058, кл. Н 01 Р 1/26, опублик. 1975 (прототип) .
ВНИИПИ Заказ 7646/37
Тираж 630 Подписное
Филиал ППП ",Патент", Г.УжГОРОП,УЛ.! 1Ро К1наЯ, 7