Микрополосковая нагрузка

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

O ll H C A H H E

ИЗО6РЕТЕН Ия

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 964798

l (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 05.09.80 (21) 2980759/18-09 с присоединением заявки М (23) Приоритет

Опубликовано 07.10.82. Бюллетень № 37

Дата опубликования описания 08.10.82 (53)M. Кл.

Н01 P 1/26

@еударстеееиы1 кеинтет

СССР ао далем кзебретеккй н отерыткк (53) УД К621.372. .855.4 (088.8) (72) Автор изобретения.А.Я. Лехциер

К ) 9fy .т jq

ТЕХБГБ;С ИЯ ."

БИБЛИОТЕКА (71) Заявитель (54) МИКРОПОЛОСКОИАЯ НАГРУЗКА

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот.

Известна микрополосковая нагрузка, содержащая отрезок микрополосковой ли нии, подключенный к реэистивному слою, закороченному металлизированным отверотием, выполненным в диэлектрической под- . ложке на продольной оси отрезка микрополосковой линии, причем ширина резистивного слоя выполнена увеличивающейся в направлении к металлизирова иному отверстию по закону, описывавмому соотношением 2 =R„, me Z„- волновое сопротив ление микрополосковой линии, имеющей ширину токонесущего. проводника, равную !

5 ширину реэистивного слоя в сечении 1, R - активное сопротивление реэистивно1 го слоя, размещенного между сечением и металлнэированным отверстием (1 1.

Однако в данной микрополосковой нагрузке недостаточно хорошее согласование и сложная конструкция, что .связано с нв обходимостью выполнять металлнэирован2 ное отверстие в виде изогнутой узкой щели.

Бель изобретения — улучшение согласования и упрощение конструкции..

Бель достигается тем, что в микропо- лосковой нагрузке, содержащей отрезок микрополосковой линии, подключенный z реэистивному слою, закороченйому металлизированным отверстием, выполненным в диэлектрической подложке на продольной оси отрезка микрополосковой линии, причем ширина реэистивного слоя выполнена увеличивающейся в направлении к металлиэированному отверстию по .закону,. описываемому соотношением 1„. .R. где 2; - волновое сопроттвлейие микрополосковой линий, имеющей ширину токонесущего проводника, равную ширине реэистивного слоя в сечении 1, R - активное сопротивление резистивного слов, размещенного между сечением i и металлизированным отверстием, металлиэированное отверстие выполнено в виде окружности, центр которой. удален от конца отоезкв

964198 к =Р

je j

3 микрополосковой линии на расстояние, равное сумме длины резистивного слоя вдоль его продольной оси и радиуса окружности.

Иа чертеже показано устройство микро-% полосковой нагрузки.

Микрополосковая нагрузка содержит отрезок 1 микрополосковой пинии, подключенный к резистивному слою 2, закороченному круглым металлизированным отверстием 3, выполненным в диэлектрической подложке на продольной оси отрезка . микрополосковой линии, причем ширина реэистивного слоя выполнена увеличиваю-. щейся в направлении к металлизированно- 1 му отверстию по закону Z„. =Я., где = 1,2,3... сечения резистивного слоя, выполненные в виде окружностей, центр, которых совпадает с центром металлизированного отверстия, удаленного от кон-20 ца отрезка 1 микрополосковой линии на расстояние, равное сумме длины резистивного слоя 2 вдоль его продольной оси и радиуса металлизированного отверстия.

Ьикрополосная нагрузка работает 25 следующим образом.

Сверхвысокочастотная мощность, поступающая по отрезку 1 микрополосковой линии, рассеивается в резистивном слое

2. Согласование обеспечивается выбором зо ширины реэистивного слоя в каждом сечении 1, при которой выполняется соотношение 2 = R., где 2 — волновое

1 1 1 сопротивление микрополосковой линии, имеющей ширину токонесушего проводника, равную ширине резистивного слоя, отсчитанную по сечению i, R„ -активное сопротивление резистивного слоя размещенного между сечением < и металлизированным отверстием.

Микрополосковая нагрузка обеспечивает работу при высоком уровне сверхвысоко частотной мощности, обеспечивает хорошее согласование, имеет малые габариты и проста в изготовлении.

Формула изобретения

Микрополосковая нагрузка, содержащая отрезок микрополосковой линии, подключенный к резистивному слою, закороченному металлиэированным отверстием, выполненным в диэлектрической подложке на продольной оси отрезка микрополосковой линии, причем ширина резистивного слоя выполнена увеличивающейся в направлении к металлизированному отверстию по закону, описываемому соотношением Z„= R„:, где Z - -— волновое сопротивление микро1 полосковой линии, имеющей ширину токонесушего проводника, равную ширине резиотивного слоя в сечении 1, R . . - -активное

1 сопротивление резистивного слоя, размещенного между сечением 1 и металлизированным отверстием, о т л и ч а ю щ а— я с я тем, что, с целью улучшения согласования,и упрощения конструкции, металлизированное отверстие выполнено в виде окружности, центр которой удален от конца отрезка микрополосковой линии на расстояние, равное сумме длины резистивного слоя вдоль его продольной оси и радиуса окружности.

Источники информации принятые во внимание при экспертизе

1. Патент ФРГ, No. 2260058, кл. Н 01 Р 1/26, опублик. 1975 (прототип) .

ВНИИПИ Заказ 7646/37

Тираж 630 Подписное

Филиал ППП ",Патент", Г.УжГОРОП,УЛ.! 1Ро К1наЯ, 7