Вакуумная многослойная изоляция криогенных систем

Вакуумная многослойная изоляция криогенных систем

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОВРКтКНИЯ ""970027

Союз Советскик

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свмд-ву(22) Заявлено 2310ЯО (21) 2998783/23-08

151) М. Кл.

F 17 С 3/08//

F 16 L 59/06 с присоединением заявки ¹â€”

Государственный комитет

СССР но делам изобретений и открытий (23) Приоритет—

Опубликовано 301082. Бюллетень ¹ 40

Дата опубликования описания 301082 (ЮЗ) УДК 621.643 (088.8) l н °

" 1.11 1,„,, НИГ; ;-„„„,1 й1И.1, 1, и, -- — . (72) Авторы изобретения

РУбцов и Н.В. Шепелев

Омский политехнический институт (71) Заявитель (54) ВАКУУМНАЯ, МНОГОСЛОЙНАЯ ИЗОЛЯЦИЯ КРИОГЕННЫХ СИСТЕМ

Изобретение относится к криоген-. ной технике, в частности, к устройствам теплозащиты криогенного оборудбвания и криогенной жидкости.

Известно устройство защиты криогенного оборудования, в котором экраны покрыты пленкой с .малой степенью черноты (1).

Наиболее близкой по технической сущности является вакуумная многослойная изоляция, содержащая порядка

100 отражающих экранов, покрытых слоем алюминиевой фольги (2).

Недостатком этих устройств является то, что увеличение внешней температуры от 300 до 400 К приводит к увеличению коэффициента теплопроводности и теплового потока, а это в свою очередь приводит к увеличению массы испаряемой криогенной жидкости, что нежелательно.

Цель изобретения — стабилизация теплового потока при изменении температуры внешней среды.

Эта цель достигается тем, что вакуумная многослойная изоляция содержит ряд отражающих экранов, которые покрыты пленкьй окиси переходного металла, имеющего в рабочем диапазоне фазовый переход металл — полупроводник. В качестве покрытия могут быть использованы окислы У О,УО>, Т1З05 И Т,П, На фиг. 1 показана вакуумная мно5 гослойная изоляция; на фиг. 2 — график распределения температур по экранам.

Изоляция содержит в вакуумированной полости 1 ряд экранов 2, располо10 женных произвольно, например, на резервуаре 3 с криогенной жидкостью, экраны покрыты пленкой окиси переходного металла, имеющего в рабочем диапазоне 77-500 К фазовый переход. металл - полупроводник.

Число экранов, находящихся в одной из фаз, определяют по графику (фиг. 2, где по оси абсцисс дано число экранов, по оси ординат — температура.

Прямая A соответствует максимальной температуре внешней среды 300 К.

По прямой В определяется число экранов при внешней температуре 400 K.

В зависимости от изменения температуры внешней среды изменяется распределение температуры по экранам.

Использование покрытия У10 приводит к уменьшению коэффициента теплопроводности и уменьшению теплового в0 потока при изменении температуры внешней среды.

970027

Формула изобретения

Составитель Л. Карпикова

Техред Ж.Кастелевич Корректор 5. Макаренко

i äàêòoð П. Макаревич

Тираж 539 . Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам .изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 8355/43

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Вакуумная многослойная изоляция криогенных систем, выполненная в виде ряда отражающих экранов, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью стабилизации теплового потока при изменении температуры внешней среды, экраны покрыты пленкой окиси переход ного металла, имеющего фазовый переход металл - полупроводник в рабочем диапазоне температур.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США Р 2396456, кл. 74-330, опублик. 1977.

2. Патент, США 9 3007596, кл. 220-9, опублик. 1961 (прототип).