Способ изготовления литого микропровода

Способ изготовления литого микропровода

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистмческих

Республик 970483 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 01.12.80 (21) 3009219)24-07 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. К, Н 01 В 13/06

Государственный комнтет

СССР (53) УДК 621.315 (088.8) Опубликовано 30.10.82. Бюллетень № 40

Дата опубликования описания 05.11.82 по ленам нзобретеннй н открытий

В. И. Заборовский, А. М. Иойшер и, Б. П. Котрубенко !

Кишиневский научно-исследовательский институт электроприборостроения Научно-производственного1 объединения «Микропровод» (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛИТОГО МИКРОПРОВОДА

Изобре;ение относится к кабельной технике, в частности к технологии изготовления литого микропровода в стеклянной изоляции.

Известен способ изготовления литого s микропровода в стеклянной изоляции, включающий размещение навески жилообразующего материала. внутри стеклянной трубки, расплавленные трубки с навеской в поле высокочастотного индуктора, создание внут- 1о ри трубки давления, воздействующего на поверхность микрованны, формирование микрованны, вытягивание из нее капилляра. До начала расплавления осуществляют нагрев навески в зоне высокочастотного индуктора до температуры, при котором глубина навески становится равной ее поперечным размерам, указанный нагрев прекращают после начала плавления навески, одновременно производят обдув стеклянной трубки инертным газом изнутри и снаружи, причем давление на поверхность микрованны создают путем упомянутого внутреннего обдува и вытягивают стеклянный капиляр, заполненный жилообразующим материалом (1).

Однако, при использовании литых микропроводов, полученных известным способом, для производства различных изделий на его основе например, гальваномагнитных элементов, терморезисторов, тензодатчиков и др., возникает необходимость прецизионной шлифовки и травления указанного микропровода для получения из его жилы полупроводникового кристалла плоского профиля, при котором качество изделий и их надежность значительно выше, в частности, из-за упрощения технологии контактирования, чем при использовании микропровода с жилой круглого сечения. Необходи мость вышеописанной обработки микропровода усложняет технологию производства изделий на его основе, снижает коэффициент использования микропровода и приводит к повышению технологических расходов дорогостоящего полупроводникового материала.

Цель изобретения — расширение функциональных возможностей, повышение технологичности микропровода путем выполнения его жилы плоской.

Поставленная цель достигается созданием межфазного натяжения различным

970483

Формула изобретения

Составитель Ю. Герасичкин

Редактор А. Власенко Техред И. Верес Корректор Г. Ога р

Заказ 7412/66 Тираж 761 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР пс делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4 по величине в двух взаимно перпендикулярных радиальных -направлениях.

Обеспечение этой разницы достигается несколькими приемами: изменяют направление вытягивания капилляра в зоне его растяжения, включающей фронт кристаллизации жилы, например, путем огибания капилляром горизонтальной опоры, которую охлаждают, поддерживают объемный расход жилообразующего материала германия, висмута и антимонида индия, по крайней мере в 4 раза больший, чем объемный расход стекла.

В указанных вариантах предлагаемого способа различие значений поверхностного натяжения на границе стекло — жилообразующий материал возникает либо благодаря дополнительному силовому воздействию в одном из направлений, лежащих в поперечном сечении микропровода, либо благодаря уменьшению изотронного силового воздействия размягченного стеклянного капилляра на жилообразующий материал и проявления при этом собственной анизотропии свойств этого материала.

Как показали эксперименты, в процессе изготовления литого микропровода с жилой из полупроводниковых материалов при обеспечении на границе стекло жилообразующий материал .различных значений поверхностного натяжения ° в двух взаимно перпендикулярных направлениях происходит формирование и кристаллизация жилы в виде плоского кристалла, сечение которого имеет форму параллелепипеда и в частности прямоугольника.

Наибольшие поперечные размеры жилы формируются в направлении, вдоль которого поверхностное натяжение на границе стекло — жилообразующий материал имеет наименьшее значение.

1. Способ изготовления литого микропровода в стеклянной изоляции с жилой из полупроводниковых или полуметаллических материалов, включающий расплавление жилообразующего материала внутри стеклянной трубки с формированием микрованны, вытягивание из стеклянной оболочки микрованны капилляра, заполняемого расплавом упомянутого жилообразующего материала, путем создания между ними межфазного натяжения, с последующей кристаллизацией упомянутого материала внутри капилляра, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей повышения технологичности микропровода путем выполнения его жилы плоской, межфазное натяжение создают различным по величине в двух взаимно перпендикулярных радиальных направлениях.

2. Способ по и. 1, отличающийся тем, что различие межфазного натяжения обеспечивают соотношением между объемными

20 расходами стекла и жилообразующего материала.

3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что для микропровода с жилой из германия, висмута и антимонида индия, объемный расход жилообразующего материала поддерживают по крайней мере в 4 раза большим, чем объемный расход стекла.

4. Способ по и. 1, отличающийся тем, что различие межфазного натяжения обеспечивают изменением направления вытягивания капилляра на его участке от микрованны до точки, лежащей за фронтом кристаллизации жилы.

5. Способ по и. 4, отличающийся тем, 35 что изменение направления вытягивания осуществляют в точке кристаллизации жилы, например, путем огибания охлаждаемой горизонтальной опоры.

Источники информации, 40 принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

° № 765888, кл. Н 01 В 13/06, 1980.