Амплитудный селектор

Амплитудный селектор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соаетскик

Социалистических

Республик

<1>970668 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 06.04.81 (21) 3271652/18-21 (51)М Кл з с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет

Н 03 К 5/153

Н 04 N 5/08

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий

Опубликовано 301082. Бкзллетекь ¹ 40

Дата опубликования описания 30.10.82 ($3) УДК 621..373 (088. 8) (72) Авторы изобретения

В.П.Колмаков и А.И.Непомнящий

P с

) (71 ) Заявитель (54 ) АКПЛИТУДНЫЙ СЕЛЕКТОР

Изобретение относится к импульсной технике и телевидению, в частности к устройствам отделения синхронизирующих импульсов от видеосигнала, и предназначено для использования в 5 телевизионных .системах различного назначения. . Известны амплитудные селекторы, в которые для исключения влияния разбросов элементов схемы на уровень 10 отсечки селектора, вводятся цепи, обеспечивающие отдельное выделение нужного уровня отсечки, и затем сравнивающие с ним входной сигнал P l j, Однако эти цепи требуют управления синхронными сигналами, что ухудшает такие параметры схема как время вхождения в синхронизм, устой чивость к воздействию помех. Кроме того, схема содержит значительное ко- зр личество конденсаторов, что затрудняет ее выполнение.в виде интегральной микросхемы.

Наиболее близким к предлагаемому является селектор, который содержит транзистор отделения синхроимпульсов.

База транзистора подключена к генератору тока и через переходной конденсатор связана с входной шиной (2).

В этой схеме ток базы транзистора во время синкроимпульса, заряжаю» щий переходной конденсатор, является величиной постоянной, так как ток разряда этого конденсатора между импульсами стабилиэирован генератором тока, и тем самым устраняется влияние разброса параметров входной (базовой) цепи на стабильность работы селектора.

Недостатком известного устройства является зависимость качества селектирования от параметров коллекторной цепи и усиления транзистора, разброс которых влияет на величину тока базы (I< ) HpH которой происходит

6 ОТС отсечка части синхроимпульса за счет насыщения в коллекторной цепи, т.е. влияет на уровень отделения (отсечки) синхроимпульсов в селекторе акис c Вк Е, так как Чрк =IKRc NI

Е

I =, где Š— напряжение пи6 отс В„р тания, R - сопротивление коллекторной нагрузки; V „ напряжение на

R ó - коэффициент усиления транзйстара по току; ?кДос= 1к- р-ток коллектора в режиме насыщения.

В кристалле интегральной схемы с высокой точностью выдерживается соотношение сопротивлений и равен97О668 ство коэффициентов усиления транзисторов одинакового типа проводимости, но от кристалла к кристаллу эти параметры меняются с разбросом до

+50%. Поэтому н известном селекторе величина Т и уровень отделения синхроимпульсов могут изменяться в значительных пределах.

Цель изобретения — повышение стабильности =електора и, следова-.. тельно, качества синхронизации, за счет исключения влияния разбросов параметров элементов на уровень отделения синхроимпульсов.

Поставленная цель достигается тем, 1S что в амплитудный селектор, содержащий первый транзистор, база которого подключена к генератору тока и через переходной конденсатор соединена с входной шиной, введены второй транзистор, к базе которого подключен второй генератор тока, и третий транзистор, база и эмиттер которого соединены с коллекторами первого и второго транзисторов соответственно, а коллектор подключен к вы- 25 ходной шине, причем первый и второй транзисторы имеют одинаковый тип проводимости.

На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого уст- 30 ройства.

Устройство содержит первый транзистор 1, первый генератор 2 тока, переходной конденсатор 3, второй транзистор 4, второй генератор 5 то- у ка, коллекторные резисторы 6 и 7 первого и второго транзисторов, третий транзистор 8 с коллекторным резистором 9.

Устройство работает следующим образом.

При воздействии синхроимпульсов на коллекторном резисторе 6 первого транзистора 1 возникает напряжение

ЧБ — IÜ„ R< ° где 16 так базы транзйстора 1; pi — коэффициент усиления транзистора 1; R — сопротивление коллекторного резистора 6.

Этот потенциал подается на базу транзистора 8, при этом на его эмиттер заведено запирающее напряжение, создаваемое током транзистора 4 на резисторе 7 V = I< p+ R где I q — ток генератора 5 тока; >.1 — коэффициент усиления транзис- 55 тора 4; R7-сопротивление коллекторного резистора 7.

При равенстве потенциалов на резисторах 6 и 7 транзистор 8 откроется, и на его выходе появится сигнал. 60

Условие появления выходного напряжения (независимо от параметров транзистора 8) имеет вид Ч =Ч или

БОГА 1л,4 7 >Lie Ото значение тока базы транзистора 1, соответствующее появлению импульса на выходе схемы. Отсюда

I5 64 В7 .. 6 27 ОТс Р Р 16 P„Р .Так как внутри кристалла коэффициенты усиления одинакового типа проводимости транзисторов равны, а соотношения номиналов резисторов выдерживаются с высокой точностью, то

Rv

Нб где 16 и — — постоянные величины.

Rg

Отсюда I < = const.

Следовательно, уровень отсечки не зависит от разбросов элементов схемы и определяется только постоянными величинами — соотношением номиналов коллекторных резисторов

6 и 7 и величиной тока генератора 5 тока.

Таким образом, введение второго транзистора, к базе которого подключен второй генератор тока, и третьего транзистора, база и эмиттер которого связаны с коллекторами первого и второго транзисторов, а коллектор связан с выходом устройства, при этом первый и второй транзисторы имеют одинаковый тип проводимости, отличает предлагаемы амплитудный селектор от прототипа тем, что стабилизация уровня отсечки происходит не только за счет исключения влияния на него разброса параметров входной цепи, но и за счет исключения влияния на него разброса параметров транзисторов и элементов выходной цепи.

Достигаемая при этом стабилизация уровня отсечки синхроимпульсов позволяет повысить качество селектирования и синхронизации при упрощении требований к технологии изготовления схем, повысить процент выхода годных микросхем, а также исключить необходимость установки внешних устройств селектирования.

Применение предлагаемого устройства повышает стабильность уровня отсечки °

Формула изобретения

Амплитудный селектор, содержащий первый транзистор, база которого подключена к генератору тока и I через переходной конденсатор соединена с входной шиной, о т л и ч а— ю шийся тем, что, с целью повышения стабильности, в него введены второй транзистор, к базе которого подсоединен второй генератор тока, и третий транзистор, база и эмиттер которого соединены с коллекторами первого и второго транзисторов соответственно, а коллектор подключен к выходной шине, причем первый и вто970668

Составитель В.Шагурин

Редактор Н.Ковалева Техред К.Мыцьо Корректор В. Прохненко

Заказ 8424/75 Тираж 959 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам .изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 рой транзисторы имеют одинаковый тип проводимости.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

l. кл. Н

2. кл. Н

Патент ФРГ Ю 2726493, 04 N 5/16, 1977.

Патент Франции 9 2179130, 04 и 5/08, 1973.