Преобразователь давления

Преобразователь давления

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Соаетскик

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

: (6 l) Дополнительное к авт. свид-ву1 (22) Заявлено 25. 09. 78, {21) 2666т02/18-10

f$g) + Кп 3

G 01 Х 9/06 с присоединением заявки М—

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет—

f5З1УДК 531.. .787 088.8) Опубликовано 1511.82. Бюллетень М42

Дата опубликования описания 15.11.82 (72) Авторы изобретения

М.И.Лунев, В.Н.Коковина, В.A .Æóêoâ и М.К.Запольнов (71) Заявитель (54) ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ

Изобретение относится к устройствам измерения давления.

Известны устройства, в которых. термокомпенсация производится приме нением методов схемной компенсации (1).

Однако введение дополнительных пассивных элементов в схему измерения ведет к снижению чувствительности.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому эффекту к изобретению является преобразователь давления, содержащий полупроводниковую мембрану с размещенными иа ней тензорезисторамн, образующую вместе с основанием вакуумную ячейку (2).

Недостатком известного устройства является низкая точность, ограниченный температурный диапазон измерений и сложность в виду наличия контура автоматического.регулирования температуры.

Бель изобретения — повыаение точ ности и расширение рабочего темпера« турного диапазона измерений.

Укаэанная цель достигается тем, что преобразователь давления снабжен позистором, расположенньм иа мембране в месте размещения тензореэисторов

На чертеже изображен преобразователь давления.

Преобразователь содержит, полупроводниковую пластину 1,мембрану преобразователя давления 2, тенэометрнческую схему 3, основание 4, вакуумную ячейку 5, диэлектрическую пленку

6, познстор 7, источник питания 8, схему обработки 9. указанные элементы соединеныв следующим образом.

Мембрана преобразователя 2 сформирована на полупроводниковой пластине 1. Полупроводниковая пластина

1 соединена с основанием 4 и adpasyет с ннм вакуумную ячейку 5. Тензометрнческая схема 3 оформирована на мембране 2. Диэлектрическая пленка

6 покрыэает полупроводниковую пластину 1 и прикреплена к ней, например, электростатичЕски. Поверх дн« электрической пленки 6 сформирован позистор 7 над тенэометрической схемой 3. Выход источника питания 8 соединен со входом тензометрической схемы 3 и с поэистором 7. Выход измерительной >схемы 3 соединен со входом схевев обработки 9.

974167

Формула изобрвтвния

7 6

Составитель В.Козлов

Редактор A.Ãóëüêî Твхрвд N.Êîøòóðà Корректор A.ÔåðåHö

М ° ,Дакаэ 8682/57 Тираж 887 Подписное

ВЫИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д,4/5 юм

Филиал ППП Патент, r.ужгород, ул.Проектная,4

Устройство работает следующим об 7 разом.

Напряжение питания с выхода источника питания 8 подается на вход тензометрической схемы 3 и на поэистор 7. При .воздействии на мембрану

2 измеряемого давления на выходе тензометрической схемы 3 появляется сигнал, пропорциональный величине измеряемого давления.

Ток протекающий через поэисторный элемент, нагревает вго. Мо приводит к увеличению сопротивления поэистора, и.:следовательно, уменьшению тока.

Близкая к релейной зависимость сопротивления поэистора от температуры позволяет стабилизировать температуру позистора и поверхности преобразователя, находящегося под ним.

Использование предлагаемого датчика по сравнению с известным, обеспечивает повышение точности измерения в 3-4 раза, расширение рабочего температурного диапазона (от -50 до +100 С), увеличение надежности г датчика за счет возможности замены оэисторного элемента сформирован ного на диэлектрической пленке.

Преобразователь давления, содержащий полупроводниковую мембрану с

10 ми размещенными на ней тензореэисторами, образующую с основанием вакуумную ячейку, о т .л и ч а ю шийся тем, что, с целью повьывния точности и расширения температурного диапазона измерений, он снабжен поэис15 тором, расположенным на мембране в месте размещения тензореэисторов °

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1, Авторское свидетельство СССР

i9 226909 g кл. G 01- L 9/04, 13.05.66.

2. Патент ГДР Р 110343, кл . 42 к 7/05, 1975 (прототип).