Сегнетоэлектрический керамический материал

Сегнетоэлектрический керамический материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик л .(, Ъ т 9М г,, "г

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 17. 06. 81(21) 3304582/29-33 (51 j hh.3(ll. с присоединением заявки Мо (23) Приоритет

С 04 В 35/46

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий

Опубликовано 231182 Бюллетень М 43 {53) УДК 666.655 (088. 8) Дата опубликования описания 23.11.82

Н.A.Àíäðååâà, В.И.Жуковский, Г.Н.Макарова, В.А.Ротенберг,Д.А.Андреев и О.В.Константинов (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ

МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано для изготовления керамических конденсаторов.

Известны сегнетокерамические конденсаторы, изготовленные,преимущественно, на основе.титаната бария 1 1) .

Однако электрическое сопротивление таких материалов при высоких температурах недостаточно велико.

Известен сегнетокерамический материал на основе твердого раствора

ВаТ40 —  Π— Й1 0в с добавкой

Ъ двуокиси церия $2), удельное объемное сопротивление которого при 125 С равно 3 ° 10 о - . 10" Ом. см.

Диэлектрическая проницаемость

2300и2600 и изменение емкости в интервале температур -60- +125оC + 20%.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является сегнетоэлектрический керамический материал, содержащий ВОТ1 0, й1з Ов, 6тп О и Щ)э при следующем соотношенйи компонентов, мас.Ъ:

ВаТ1 0 94-98

141з

0,5-3

5 0,4-3 о, 0,1-1

Известный материал. имеет величину удельного объемного сопротивления при +125оС ч = 5. 10т1 †: 5 10т Ом.см тангенс угла диэлектрических потерь

0,015-0,02. Диэлектрическая проницаемость при +20 C E/Fo = 25002800, а изменение р в интервале температур -60 †: +125 С не превы10 шает - 20% f 3) .

Однако известный материал не обеспечивает получения удельного. о объемного сопротивления при +125 С более 6.10" Ом см и тангенса угла

15 диэлектрических потерь менее 0,015.

Целью изобретения является увеличение удельного объемного сопротивления и тангенса угла диэлектри20 . ческ их потерь .

Указанная цель достигается тем, что сегнетоэлектрическнй керамический материал, содержащий ВаТ4 О М Ов

5ул О, ЯРО,, дополнительно содерЯ У жит >у О прй следующем соотношении компойентов, мас.Ъ:

ВаТ1 Ок 95,0-98,0 и О О, 5-2

5ит.О О, 2-2,0 зд 0,1-1,0

ayO 0,2-1,0

) 975680

Формула изобретения

Составитель Н. чельдман

Редактор Л. Лукач Техред Т.Фанта Корректор Н. Король

Корректор 8922/37 Тираж 641 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, РауИская иаб., д. 4/5

«Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Пример 1 (по минимуму). Загружают в вибромельницу в виде порошков титанат бария в количестве

95,0%, затем добавляют к нему,В: оксид ниобия 1,0 окись самария 2,0> оксид иттербия 1,0 и оксид диспрозия 1,0. Характеристики материала следующие: удельное объемное сопротивление при +125 C Я = 1"10 э Ом .см тангенс угла диэлектрических потерь при +20 С ted = 0,008.

Пример 2 (по максимуму). Загружают в вибромельницу в виде порош. ков титанат бария в количестве 98,0%, затем добавляют к нему,В: оксид самария 0,2, оксид иттербия 0,1 и оксид диспрозия 0,2. Характеристики материала следующие: удельное объемное сопротивление при +125 C f>

6 10" Ом см тангенс угла диэлектI о рических потерь при +20 С р«

0,012.

Пример 3 (по среднему значению). Загружают в вибромельницу в виде порошков титанат бария в количестве 96,5%, затем добавляют к нему,В: оксид ниобия 1,25; оксид самария 1,1; окись иттербня 0,55 и оксид диспрозия 0;.6.

Характеристики материала следую- щие: удельное объемное сопротивление при + 125вC p = 8 10 0м см тангенс угла диэлектрических потерь нри +20 С fag = 0,009.

Компоненты, указанные в примерах

1-3, перемешивают в вибромельнице в течение 2-3 ч, в результате чего получают тонкоизмельченный порошок, к которому добавляют поливиниловый спирт либо раствор Каучука, а затем получают образцы либо прессованием дисков, либо отливкой через фильеру пленки„ на которую наносят палладиевые электроды, Образцы обжигают при 1320-1420 С в течение 2-4 ч и получают дисковые или монолитные заготовки конденсаторов из предлагаемого конденсаторного сегнетокерамического .материала.

Предлагаемый матеоиал имеет удельное объемное сопротивление при +125 С

6 10 - — 1. 10" Ом.см.

ТЧ

Тангенс угла диэлектрических потерь 0,008-0,012.

Диэлектрическая проницаемость при

+20 С Е = 2500-2800Конденсаторы, изготовленные из

5 предлагаемого материала, имеют высокую стабильность емкости ч — + 20%

С хо о в интервале температур -60 + +125 С.

Более высокие электрические характеристики предлагаемого материала

10 позволяют получать качественные конденсаторы с высоким сопротивлением изоляции при повышенных температурах и .с более низким значением тангенса угла потерь. Кроме того, f5 отсутствие в составе предлагаемого материала дефицитной окиси висмута позволяет получать монолитные конденсаторы с более дешевыми палладиевыми электродами, а не с дефицит .ными платиновыми, что приводит к существенной экономии драгоценных металлов

Сегнетоэлектрический керамичес15 кий материал, преимущественно для изготовления монолитных конденсатоторов, содержащий ВаТ 0, N Q, Swig, УП 0, отличающийся тем, что, с целью увеличения удельного объемного сопротивления и уменьшения тангенса угла диэлектрических потерь, он дополнительно содержит Эу 0 при следующем соотношении компонентов, мас.В:

3 «. ВаТ 03 95,0-98,0

@ 0 Ъ

Swi0 0,2-2,0

0,1-1,0

Зу 0 0,2-1,0

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Окадзаки К. Технология керамических диэлектриков, М., "Энергия", 45 1976, с. 203-208.

2. Авторское свидетельство СССР

Р 404815, кл. С 04 В 35/00, 1979.

3. Авторское свидетельство СССР

М 697462, кл. С 04 В 35/00, 1977 (прототип).