Источник постоянного тока

Источник постоянного тока

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(72) Авторы изобретеиия

О.Б. Лурье и В.Н. Мясников

Ленинградский ордена Ленина электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина) (7l ) Заявитель (54) ИСТОЧНИК ПОСТОЯННОГО ТОКА

Изобретение относится к электротехнике для использования в качестве высокого динамического сопротивления в различных электронных схемах, обеспечивая хорошие частотные свойства ималый температурный дрейф.

По основному авт. св. Р 750456 известен источник постоянного тока, содержащий два биполярных транзистора, кОллектор первого из которых соединен с выходным выводом источника, база через первый резистор соединена с общей шиной, эмиттер второго биполярного транзистора через второй резистор, а

его база через третий резистор соединены с питающей шиной, стабилитрон, включенный между базой первого и эмиттером второго биполярных транзисторов, коллектор второго биполярного транзис 2о тора подключен к эмиттеру первого, а база второго биполярного транзистора через четвертый резистор соединена с общей шиной $ 1 ).

Недостатком такого источника является сравнительно низкая температур-. ная стабильность выходного тока.

Целью изобретения является повышение темперэтурной стабильности при высоких значениях его внутреннего сопротивления и хороших частотных свойствах.

Поставленная цель достигается тем, что к эмиттеру второго биполярного транзистора подключена база введенного третьего биполярного транзистора, коллектор которого соединен с эмиттером четвертого введенного биполярного транзистора, база которого через вве" денный пятый резистор подключена к первой шине питания, а через введенный второй стабилитрон - к эмиттеру третьего биполярного транзистора, соединенного через введенный шестой резистор с второй шиной питания, при этом коллектор четвертого биполярного транзистора соединен с первой шиной питания.

97643

Формула изобретения

На чертеже представлен предлагаемый источник.

Источник содержит биполярные транзисторы 1-4, коллектор транзистора 1 соединен с эмиттером транзистора 2, а коллектор транзистора 3 - с эмиттером транзистора 4, между базой транзистора 2 и эмиттером транзистора 1 включен стабилитрон 5, а между базой транзистора 4 и эмиттером транзистора 3 - -стаяв билитрон 6, базы транзисторов 1, 2 и

4 соединены соответственно через резисторы 7, 8 и 9 с шиной питания, а база транзистора 3 соединена с эмиттером транзистора 1, эмиттеры транзисто 1э .ров 1 и 3 через резис горы 10 и 11, а также база транзистора 1 через резистор 12 подключены к общей точке схемы.

Источник работает следующим образом.

В известной схеме относительная тем- в пературная чувствительность выходного тока значительно выше, чем температур4 ная чувстви гельность схемы токового зеркала, что приводит к температурному дрейфу тока даже при незначительных изменениях температуры. В цепи эмиттера биполярного транзистора 1 дополнительно вводится каскадный транзистор, образуемый транзисторами 3 и

4 аналогично соединению биполярных транзисторов 1 и 2, Полагаеч транзисторы согласованными по температурным свойствам. При этом температурный дрейф сопротивления базы составного транзистора, образуемого транзисторами 3 и 4, за счет отрицательной обратной связи компенсирует дрейф сопротивления базы основного составного транзистора, образуемого транзисторами 1 и 2.

40 .Тогда чувствительность выходного тока источника определяется дрейфом коэффициента усиления транзистора 1.

3 4

Таким образом, используя в качестве транзистора 1 (и соответственно транзистора 3) транзистор с высоким коэффициентом усиления или схему Дарлингтона на двух транзисторах с общим высоким значением коэффициента усиления, можно обеспечить достаточно малый температурный дрейф источника, практически такого же порядка, что и

la простейшей схеме токового зеркала, при значительно более высоком внутреннем сопротивлении и сохранении частотных свойств.

В общем случае при сравнительно невысоких трвбованиях к частотным свой ствам источника вместо стабилитронов

5 и 6 могут быть включены резисторы.

Источник постоянного тока по авт. св. !! 750456, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности. выходного тока, к эмиттеру второго биполярного транзистора подключена база введенного третьего биполярного Транзистора, коллектор которого соединец с эмиттером четвертого введенного биполярного транзистора, база которого через введенный пятый резистор подключена к первой шине питания, а через введенный второй стабилитрон - к эмиттеру третьего биполярного транзистора, соединенного через введенный шестой резистор с второй шиной питания, при этом коллектор четвертого биполярного транзистора соединен с первой шиной питания.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР !! 750456, кл. G 05 F 1/56, 1978.

+ п

ВНИИПИ Заказ 9003/75

Тираж 914 Подписное филиал ППП "Патент", г.Ужгород,ул.Проектная,4