Сегнетоэлектрический керамический материал

Сегнетоэлектрический керамический материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е ()977437

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскин

Социал истическин

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (51)lN. Кл. (22) Заявлено 08.10.80 (2! ) 2993229/29 — 33 с присоединением заявки М

С 04 В 35 46

3Ъеударстванный комитет

СССР но делан нзабретеннй

i и атнрытнй (28) П риоритет

Опубликовано 30.11.82. Бюллетень М 44

Дата опубликования описания 30.11.82 (53) УДК666.655 (088.8) Н. Е. Заремба, В. И. Жуковский, Н. И. Пахомова, Г.1П. Симо;, н Д. А. Бойкова г -

° .:.1!С (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к радиоэлектронной технике н может быть использовано, преимущественно, для изготовления дисковых керамических конденсаторов.

Известны дисковые конденсаторы, в которых используют. в качестве материала электродов серебро (1).

Однако использование серебра удорожает конденсаторы.

1О

Известны конденсаторы, в которых благородный металл заменен на неблагородный. Эти конденсаторы требуют наличия керамики, допускающей обжиг в восстановительной среде, так как для того, чтобы не допусппь окисления неблагородного металла при вжиганни, необходимо обжигать заготовки в защитной среде (2) и 131.

При этом большинство видов конденсатор ной керамики либо приобретает полупроводниковые свойства, либо имеет недостаточно высокие значения диэлектрической проницаемости Е .

Наиболее близким к предла1.аемому являлся материал, содержащий BaTi0q и МпО в следующем соотношении компонентов, мас.%:

BaTiOз 37,82 — 86,79

МпО 13,21 — 62,18

Данный материал имеет величину е - 3400, но допускает вжнганне во влажном водороде электродов на основе Fe, Ni нли NiO 14).

Однако этот материал имеет диэлектрическую проницаемость недостаточную для изготовления конденсаторов с высокой удельной емкостью.

Цель изобретения — повышение диэлектрической проницаемости.

Указанная цель достигается тем, что сегнето. электрический керамический материал, содержащий ВаТ iO и МпО, дополнительно содержит BaZr0q при следующем соотношении компонентов, мас.%:

ВаТ i03 84,83-85,93

Ва2гОэ 13,87-15,07

МпО 0,10 — 0,20

Пример 1 (по минимуму мас.%).

Загружают в вибромельницу в виде порошков титанат бария (ВаТ Оэ) в количестве 84,83, Составитель Е. Фельдман

ТехредМ.Гергель

Редактор С. Юско

Корректор Ю. Макаренко

Заказ 9106/29

Тираж 641

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035,Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 977437 затем добавляют в нему цирконат бария (BaZr0q) 15,07 и закись марганца (MnO) 0,1.

Перемешивают компоненты в течение 2 — 3 ч, к тонкоизмельченному порошку добавляют поливиниловый спирт, формуют образцы и обжигают их в воздушной среде при 14001450 С. На спеченные заготовки наносят

Мо-Мп пасту и вжигают ее в увлажненном водороде (точка росы 10-18 С) при 1200 С.

Получают следующие характеристики мате- 111 риала: диэлектрическая проницаемость

= 10000 — 12400; та,.нгенс угла диэлектрических потерь tg d 00,008 — 0,017; удельное (Ъ объемное сопротивление Р (0,95 — 1,81) 10 Ом.м.

Пример 2 (по максимуму), Загружают1 в вибромельницу в виде порошков титанат рия (ВаТ Оэ) в количестве 85,93, затем добавляют к нему цирконат бария (BaZrO ) 13,87 и закись марганца (MnO) 0,2.

Получают следующие характеристики матери-2О ала: диэлектрическая проницаемость 11600—

14000; тангенс угла диэлектрических потерь

tgg0,011 — 0,015; удельное объемное сопротивление 1 (1,08 — 3,44) 10 Ом.м.

Пример 3 (по среднему значению). д

Загружают в вибромельницу в виде порошков гатанат бария (ВаТ Оэ) в количестве 85,38, . затем добавляют к нему цирконат бария (BaZrOq) 14,47 и закись марганца (MnO) О,IS !

Характеристики материала в этом случае следующие: диэлектрическая проницаемость

f - 10800 — 15000; тангенс угла диэлектрических потерь tg Д 0,008 — 0,020; удельное объемное сопротивление э (1,67 — 7,6) 10 Ом,м.

Составы без Мп0 имеют F 4000 — 6000, при содержании МПО, равном 0,05%, Е = 4000—

5000, а при содержании МпО равном 0,3%

Я вЂ” 8000 — 9000, Формула изобретения

Сегнетозлектрический керамический материал, содержащий BaTi03 и МпО, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости, он дополнительно содержит BaZrOa при следующем соотношении компонентов, мас.%:

BaTiOэ 84,83 — 85,93

BaZrOa 13,87--15,07

МпО 0,10 — 0,20

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Окадзаки K. Технология керамических диэлектриков. "Энергия", 1976, с. 210-2I3.

2. Патент Франции У 2331533, кл. С 04 В 75/00, 1977.

3, Авторское свидетельство СССР N 662582, кл. С 04 В 35/46; 1979.

4. Патент Великобритании Ii 1064325, кл. С 1 F, 1963.