Стекло для резисторов

Стекло для резисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ 1

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Соеетскии

Социалистических

Рес убп

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 040 681 (21) 3299570/18-21 (3! ) М. КЛ.З

Н 01 С 7/00 с присоединением заявки Ио (23) ПриоритетГосударственный комитет

СССР но делам изобретений н открытий (331 УДК 621 ° 396 ° .69(088.8) Опубликовано 301«82. Бюллетень HP 44

Дата опубликования описания 30.1182

В.3. Петрова, P.Ô. Шутова, Т.М, Морозова, В Н,,Фнпатов и Н.А, Румянцева

f ",.

l:""-"- :

Московский институт электронной техники (72) Авторы иэобретения (71) Заявитель (54) CTEKJIO ДЛЯ РКЗИСтОРОВ

5-15

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления резисторов термЬпечатающих матриц.

Известно стекло, используемое для изготовления регистров, методами толстопленочной технологии. Резистивные композиции, содержащие рутений и стеклосвязку, обеспечивают требуемый диапазон удельного поверхностного сопротивления резисторов и величину температурного коэффициента, сопротивления, но не обладают достаточной твердостью и стабильностью сопротивления в процессе эксплуатации (1).

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является стекло для резисторов, имеющее высокую плотность за счет содержания оксида висмута (III), и позволяющее получать качественную печать (21.

Недостатком этого стекла является малая твердость, что приводит к истиранию поверхности резистора и изменению сопротивления.

Цель изобретения — повыаение твердости и термостойкости стекла для резисторов, Поставленная цель достигается тем, что стекло для реэисторов,вклю чающее оксид свинца (11) диоксид кремния (ХУ), полутарооксид бора (I:1) и полутарооксид висмута (III), дополнительно содержит полутарооксид

5 алюминия (111) при следу|ощем соотношении компонентов, вес.в:

Оксид свинца (II) 55-70

Диоксид кремния (IУ) 10-20

Полутарооксид бо IO pa (III) 5-15

Полутарооксид висмута (III)

Полутарооксид алюминия (III) 5 "15

Стекла, содержащие менее 70 вес.в .тяжелых оксидов PbO и В1 0, не обеспечивают требуемой плотности стекла - 5,4 г/см 3, поэтому введение

РЪО менее 55 и В110> менее 5% неэффективно. Стекла, содержащие более

70% PbO или более 15% BigOg, имеют низкую микротвердость - менее

420 кг/мм и проявляют склонность 9 кристаллизации. Совместное введение

РЪО и В1 0 снижает склонность стекол к крйсталлизацни.

Стекла, содержащие менее 10% 810у менее химически устойчивы, а содержащие более 20% S10> более тугоплав кие и вязкие при температурах вжи978204

Состав

Предлагаемый

60 10

70 15

60 20

65 10

55 10

66 11

l0

15

Известный

Таблица

Свойства .

Состав

Плотность, Микротвердость, Термостойкость, г/см кг/мм С

Предлагаемый

5 5

450

130

440

120

5 4

450

130

5,4

500

140

5,5

460

120

5,5

Известный

400

90 гания резисторов, что ухудшает качество поверхности резистора, Введение менее 5% Bi>03 в состав стекла также повышает „тугоплавкость стекол и приводит к повышению температуры вжигания резисторов более

850ОС, введение Bi<0> более 15% ухудшает термостойкость стекол и резисторов на их основе до 1004С.

А0>О> является компонентом стекла, повышающем его термостойкость; введение менее 5% АР203 незначительно повышает его, а содержание АР О3 более 15%, хотя и желательно с .точки зрения повышения термостойкости, но резко повышает температуру вжигения резисторов более 850ОC что нежелательно.

В табл.1 приведены составы синтезированных стекол.

Каждое стекло оплавляют отдельно в корундиэовом тигле в силиковой печи при .1200 C s течение, 30 мин, В табл.2 приведены характеристики стекол, Характеристики резисторов на основе предлагаемых стекол и известного представлены в табл.3.

Иэ приведенных в табл.3 данных следует, что предлагаемый состав стекла обеспечивает получение резисторов термопечатающих матриц, выдерживающих без истирания и разрушения более 1 10 циклов печати и измене6 ние сопротивления не более 1,5%.

Стекло для резисторов может быть использовано для изготовления рутенийсодержащих толстопленочных резис15 торов, пригодных для работы в составе термопечатающих матриц. Также резисторы могут найти применение в составе ГИС для радио- и электронной техники. Материал прост в

26 изготовлении и имеет существенные отличия, дающие положительный эффект — повышение стабильности толстопленочных резисторов, работающих в составе термопечатающих матриц.

Таблица 1

Содержание компонентов, вес,%

2 2 3 З 2 3

978204

Таблица 3

Характеристики резисторов

Состав

Изменение сопротивления, %

TFC i

10 + 1/Град при 20 90 о

Удельное поверхностное сопротивление, Ом/кв

После

10 циклов печати

После

5 термоциклов от

-60 до

+120 C

Предлагаемый

+170

+218

+126

190

+90

460

280

+140

125

Известный

" Изменение сопротивления дано после 10 циклов печати.

Полутарооксид бора (I I1) 5-15

Полутарооксид висмута (111) 5-15

Полутарооксид алюминия (III) 5-15

И сточ ники. ин формации, принятые во внимание при экспертиаа

1. Авторское свидетельство СССР

Р 633831, кл. С 03 С 3/10, 1978, 2.Патент США В 3324049,кл,252-514

1967.

Составитель Н. Еондратов

Редактор П. Макаревич Техред Ж.Кастелевич Корректор Г. Решетняк

Заказ 9228/67 Тирам 761 Подписное

ВНИИПИ Государственного,. комитета СССР по делам изобретений и открытий

1 1 30 35, Москва, И-35, Раущская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Укгород, ул. Проектная, 4

Формула изобретення

Стекло для резисторов, включающее оксид свинца (II), диоксид кремния (IУ), полутарооксид бора (III) и полутарооксид висмута (III), о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения твердости и термостойкости, оно дополнительно содеркит полутароокскд алюминия (III) при следующем соотношении компонентов, вес.Ъ|

Оксид свинца (II) 55-70 ,Пиоксид кремния (1У) „ 10-20

«+О, 41

+0, 31

10,001

+0,28

+0,32

+0,82

После

10 сут при влажности 95% и температуре

40 + 2 С

+1,28

+О 12 ф1,70

j1i10 1,03

+2,38

«1,48

-1145

+0,38

+0,63

+0i85

+2,76