Способ изготовления фольговых тензорезисторов

Способ изготовления фольговых тензорезисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик р>993009 (63) Дополнительное к авт. свид-ву)$g) + gg 3 (22} Заявлено 290981 (21) 3342394/25-28 с присоединением заявки ¹â€”

G 01 В 7/18

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (23) ПриоритетОпубликовано 30.01,83. Бюллетень ¹ 4

РЗ) УДК 531. 781.2 (088. 8 ) Дата опубликования описания 30. 01. 83

A.A.Öûâèí, A.P.Ëåïoðñêèé, В.З.Петрова, Б.H.A и О.Е.Конева (72) Авторы изобретения дронов

$!9 ь b4

Научно-исследовательский и конструкторский инстйтут--===-:, испытательных машин, приборов и средств измерения масс (71) Заявитель (54 ) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОЛЬГОВЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ

Недостатком известного способа является невозможность изготовления на его основе фольговых тензорезисторов с рабочей температурой выше

350 С, что обусловлено способностью тенэорезистивных фольг подвергаться окислению при температурах выше 450 С, Второй недостаток заключается в необходимости использования двух различных по составу стекол, что усложняет и удорожает технологический процесс изготовления тенэорезисто30 ров.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении высокотемпературных фольговых тензорезисторов и резисторов на металлической основе.

Известен способ изготовления высокотемпературных проволочных тензорезисторов, заключающийся в том, что на,металлическую основу газопламенным напылением наносят первый слой диэлектрика из жаростойких окислов, закрепляют в слое фиксирующие штыри, укладывают между штырями тенэореэистивную проволоку в форме меандра, образуя решетку тенэорезистора, напылением наносят второй слой диэлектрика из жаростойких окислов для закрепления решетки к первому слою и изготавливают выводы 11.

Недостаток известнотЪ способа заключается в сложности обеспечения технологических режимов, позволяющих получать воспроизводимые, контролируемые слои жаростойкого окисла с равномерной толщиной, что обусловливает разброс метрологических характеристик тензореэисторов s партии.

Кроме того, способ трудоемок, требует применения специального оборупования и исключает возможность использования групповых методов изготовления.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ изготовления фольговых тензорезисторов, заключающийся в том, что на металлическую основу наносят слой диэлектрика нз стекла, затем на нем размещают тензорезистивную фольгу, соединяют их под давлением при температуре плавления диэлектрика, фотогравируют тензорезисторы, герметиэируют их вторым слоем диэлектрика из стекла другого состава и изготавливают выводы (2).

993009

Цель изобретения — расширение температурного диапазона тензореэисторов. укаэанная цель достигается тем, что согласно способу изготовления фольговых тензорезисторов, заключаю- 5 щемуся в нанесении на металлическую основу слоя диэлектрика, размещение на нем тензореэистивной фольги, соецинении их под давлением при температуре плавления диэлектрика, фото- 10 гравирование тензорезисторов, герметизации их вторым слоем диэлектрика и изготовлении выводов, в качестве ,цизлектрика используют ситаллоцемент, тензорезистивную фольгу перед соеди- 15 нением защищают бт окисления ситал,лоцементом того же химического состава, что и для,изоляции тенэорезис/ торов от основы, соединяют тенэорезистивную фольгу с основой при тем- 20 пературе кристаллизации ситаллоцемента, удаляют защитное покрытие и герметизируют открытые поверхности тензорезисторов слоем ситаллоцемента того же химического состава. 25

На чертеже показана последовательносcb основных технологических операций предлагаемого способа.

Способ осуществляют следующим образом. 30

На одну из сторон металлической основы 1, например из сплава НМ23ХЮ толщиной 100 мкм, наноаят электрофоретическим способом слой 2 ситаллоцемента толщиной 20 мкм, укладывают на этот слой тенэореэистивную фольгу из сплава НМ23ХЮ толщиной

5 мкм, которая предварительно защищается от окисления защитным покрытием 4 ситаллоцемента того же химического состава, что и для изо- 40 ляции тензорезйстивной фольги 3 от основы, соединяют тензорезистивную фольгу 3 с основой 1 через слой 2

«италлоцемента под давлением при температуре кристаллизации ситаллоцемента, после чего путем травления удаляют с фольги 3 защитное покрытие из ситаллоцемента 4. Далее проводят фотогравировку рисунка тенэорезисторов 5 и открытие поверх- 50 ности тенэорезисторов герметизируют . слоем 6 ситаллоцемента толщиной 15 мкм того же химического состава, После этого в герметиэирующем слое 6 ситаллоцемента вскрывают окна 55

7 и 8 для разрезки на отдельные тенэорезисторы и под злектричеекие контакты, приваривают электрические выводы 9 и разрезают основу 1 для образования отдельных тензорезисторов 10.

Предлагаемый способ может найти применение при изготовлении групповыми методами высокотемпературных фольговых тензорезисторов и резисторов на металлической основе со стабильными метрологическими характеристиками для рабочих температур

600 С и выае. Использование способа позволит упростить технологию изготовления высокогемпературных тензорезисторов за счет использования одной марки ситаллоцемента для изоляции тензореэисторов от основы, защиты тенэбрезистивной фольги от окисления и герметизации тензореэисторов.

Формула изобретения

Способ изготовления фольговых тензоргзисторов, заключающийся в том, что на металлическую основу наносят слой диэлектрика, затем на нем размещают тенэорезистивную фольгу, соединяют их под давлением при температуре плавления диэлектрика, фотогравируют тензореэисторы, герметизируют их вторым слоем диэлектрика и изготавливают выводы, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью расширения температурного диапазона ,тензорезисторов, в качестве диэлектрика используют ситаллоцемент, тензорезистивную фольгу перед соединением защищают от окисления ситаллоцементом того же химического состава, что и для изоляции тензорезисторов от основы, соединяют тенэорезистивную фольгу с основой при температуре кристаллизации ситаллоцемента, удаляют защитное покрытие и герметизируют,открытые поверхности тенэорезисторов слоем ситаллоцемента того же химического состава.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Ильинская Л.С. и др. Высокотемпературные тензореэисторы на основе жаростойких окислоВ. М., "Энергия", 1973, с. 19-21.

2. Авторское свидетельство СССР

9 815479, кл. G 01 B 7/18, .1981 (прототип ).

993009

lO

Составитель А.Босой

Редактор Н.Безродная Техред A.Áàáèíåö КорРектоР A .Лзятко т

Заказ 4 39/5 3 Тираж 600 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, .Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал fltltt "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4