Фототермопластический материал и способ его получения
Патент 995058
Авторы
Фототермопластический материал и способ его получения
Иллюстрации
Реферат
(22) Авторы изобретения
Э. Ф. Ряинель и Л. В. Каплинская
Переславский филиал Всесоюзного государственного .исследовательского is проектного института химикофотографической промышленности (21) Заявитель (54) ФОТОТЕРМОПЛАСТИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ И СПОСОБ
ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ
Изобретение относится к электрофотографии, в частности к фототермопластическкм материалам (ФТП) и способу их получения, и может быть использовано для оперативной регистрации, хранения и обработки оптической информации, голографии, -прямой съемки и т.п. >
Известен ФТП материал, состояний кз металлизированной подложки, инжекцйониого слоя селена к фотопроводящего слоя, включаю. щего поли-й-винилкарбазол (ПВК) и теломер стирола с дивинилом 11).
Недостатками этого материала являются низкая электрофотографическая чувствительность в области спектра 600 — 700 нм, а также низкая термостабильность- и сохраняемосп.
Наиболее близким по технической сущности к изобретению является фототермопластический материал, состоящий из ленты — подложки с последовательно нанесенными на иее
20 электропроводящим слоем, инжекцконным слоем, содержащим селем и теллур, и фотопровЬдящим слоем на основе теломера стнрола с дивииилом (2) .
Известный материал имеет более высокую электрофотографическую чувствительность во всей видимой области спектра, включая область
600-650 нм, однако для ряда применений, в частности для прямой съемки и голографической записи на длине волны 695 нм, его чувствктельность недостаточно высока. Другим важным недостатком указанного материала является низкая термостабильность и сохраняемость.
Цель изобретения — увеличение электрофотографической чувствительности, термостабильности и жйзйеспособности материала прк хране. нкк.
Поставленная цель достигается тем, что известный фототермопластический материал, состоящий из ленты — подложки с последовательно нанесенными на нее электропроводящим слоем, инжекционным слоем, содержащим селен и теллур, и фотопроводящим слоем на основе теломера стирола с дивииилом, содержит инжекцконный слой толщиной 0,03 — 0,5 мкм с переменной по толщине данного слоя концентрацией теллура, возрастающей от новерхнос995058
Концентрация теллура, ат.% т у поверхностии
Светочувствительность
Время темнового спада до 0,9
Пример при 440 нм 1 при 630 нм,1 интегральная мг/Д ) мг/Дж лк с подложки
0,0 1
250
0,4
300
0,02
0,04
0,2
300
10 вес.% 10 вес.%
360
250
0,01
О,Ь
300
0,1
360
0,3
300
360
0,8
360
1,0
0,8
100
2,0
0,4 ги электропроводящего слоя до поверхности фотопроводящего слоя с 0,01 — 3,0 до 5,0—
20,0 ат.%.
Для достижения поставленной цели в известном способе получения указанного материала, включающем нанесение на ленту — подложку электропроводящего слоя, вакуумное напыление на электропроводящий слой инжекционного слоя иэ селена и теллура и полив иэ раствора фотопроводящего слоя на инжекционный слой, последний напыляют из раздельных источников на ленту — подложку, пе ремещаемую с постоянной скоростью в направлении от источника селена к источнику теллура, причем относительную скорость концентрации веществ вдоль зоны напыления в направлении движения подложки меняют от 0,01 — 3,0 до 5,0 — 20,0 ат.% для теллура и or 97,0 — 99,99 до 80,0 — 95 ат.% для селена.
Пример 1. На полимерную основу с нанесенным прозрачным электропроводящим слоем никеля, перемещаемую со скоростью
3 м/мин, наносится слой селена с примесью теллура термическим испарением селена и теллура в вакууме l — 5. 10 мм рт . ст. иэ раздельных источников нри температуре испарителя селена 330 — 335 С и теллура 420 — 425 С.
Подложка — лента перемещалась от источника селена к источнику теллура. Расстояние между источниками составляло 80 мм, а от источников до основы — 170 мм.
С помощью подвижных экранов: разделительного между источниками и двух, ограничивающих зону напыления со стороны селена и теллура, создавалось такое распределение скоростей конденсации селена и теллура вдоль зоны напыления, что концентрация теллура у подложки составляла 0,01 ат.%, а у поверхности слоя - 20 ат,%. Толщина сгтоя составляла 0,1 мкм.
Поверх инжекционного слоя из толуольного раствора наносилась композиция ПВК и теломера стирала с дивинилом в весовом соотношении 1: l. Электрофотографическая чувствительность измерялась после сушки полученного слоя толщиной 2 мкм и оценива10 лась по времени фотоиндуцированного спада . поверхностного потенциала до величины
Л V/×, =-0,1.
Пример 2. На,металлизированную подложку наносился слой чистого селена
I марки ОСЧ термическим испарением в вакууме при температуре испарителя 330 — 335 С, а затем фотопроводящий слой по примеру 1.
П р н м е р З.Наметаплйзированную подложку термическим испарением в вакууме механической смеси селена с добавками при температуре испарителя 330 — 335 С наносился однородный по толщине ийжекционный слой толщиной О, 1 мкм (содержание примесей в испаряемой j смеси -:составляло: Те — 8 вес.%;
Sb — 1 вес,%; S — 1 вес.%. Поверх инжекционного слоя наносился фотопроводящий слой по примеру l.
Пример ы 4 — 21. Изготавливались образцы ФТП материала по примеру 1, но перемещением экранов (5) и (12} и изменением направления движения подложки изменялись граничные концентрации теллура и знак градиента. его концентрации.
Значения граничных концентраций теллура и сравнительные характеристики образцов ФТП
35 материалов по примерам 1 — 21 приведены в таблице.
995058
ПРодолжение таблицы
Концентрация теллура, ат.% Смточувствительность. Пример йремя темОвого спада до 0,9 прн 440 нм м /Дж прн 630 нм, д подлож- у помрх ки ности интегральная
-1 лк с
3,0
0,3
10
0,2
20
0,8
450
360
0,3
0,9
0,3
1,0
360
0,3
0,6
100
3,0
30010
0,4
001
250
0,4
15
0,001
250
0,4
0,1
250
5 . 0,3
4 0,3
8 0,5
8 0,5
5 0,3
0,1
250
20
20
300
250.20
Как видно из таблицы, образцы предлагае- =: мого материала с градиентом содержания тел- З5 лура в инжекционном слое имеют электро- фотографическую чувствительность в 2 — 5 раэ большую, чем известные с однородным содержанием примеси (нрнмер 3), в 25 раз большую, чем известные с инжекционным слоем чисто селена, в 18 раз меньшую скорость темпового спада потенциала.
Результаты исследования влияния термообработки на характеристики образцов локазали, что образцы предлагаемого материала ие изменяют электрофотографической чувствите3пности при термообработке в течение 30 мин при температуре до 120 С.
В то же время у образцов известных материалов по примерам 2 и 3 термообработка уже прн температуре 80 С в течение 30 мии приводила к необратимому уменьшению электрофотографическон чувствительности более, . чем вдвое.
Исследование электрофотографической чувствительности образцов ло примерам 1 — 21 в
55 процессе нх хранения в комнатных условиях показало, что у образцов предлагаемого материала чувствительности в области 440 — 550 нм не изменяется, а в области 600 — 650 нм возрастает в течение десяти месяцев хранения.
У образцов известных материалов по примерам 1 и 2 через два месяца хранения чувствительность необратимо уменьшилась более, чем вдвое.
Формула изобретения
1. Фототермопластический материал, состоящий нэ ленты —" подложки с последовательно нанесенными на нее злектропроводящнм слоем, иижекпионным слоем„содержащим селен н теллур, и фотопроводящим слоем на основе теломера стирола с дивнннлом, о т л и -. ч а ю щ и "ся тем,,что,,с целью увеличения электрофотографической чувствительности, термостабильиостн и жизнеспособности материала прн хранении, он содержит ннжекционный слой толщиной 0,03 — 0,5 мкм с переменной по толщине данного слоя концентрацией теллура, возрастающей от поверхности электропроводящего слоя до поверхности фо: топроводящего слоя с 0,01 — 3,0 до 5,020,0 ат.%.
Составитель Ю. Смоляков
Техред С. Мигунова Корректор М. Шароши
Редактор В. Лазаренко
Заказ 639/32 Тираж 471
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий:
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Ю
Подписное
Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4
7 995058 8
2. Способ получения материала по п, 1, подлоя ки меняют от 001 — 3,0 до 5,0-20,0 ат.% включающий нанесение на ленту-подложку для теллура и от 97,0-99,99 до 80,0-95,0 ат.% электропроводящего слоя, вакуумное напыление для селена. на электропроводящий слой инжекционного слоЯ из селена и теллУРа и полив из РаствоРа з Источники инфо сточникн инч ормации, фотопроводящего слоя на инжекционный слой, - .клятые во внимание при экспертизе отличающийся тем, что инжек- I. Авторское свидетельство СССР N 336638, ционный слой напыляют иэ раздельных источ- кл. G 03 G 5/04, 1970. ников на;ленту — подложку,, перемещаемую 2. Недюжий С. А, Павлов А. В., Табас постоянной скоростью в направлении от тв тадзе Д . Г., Чельцова Т. В. Регистрирующие источника селена к источнику теллура, причем среды для изобразительной голографии и киноотиоснтельную скорость концентрации веществ голографии. Л. "Наука", 1979, с. 49 (протовдоль зоны напыления в направлении движения ти1т).