PatentDB.ru — поиск по патентным документам

КОСТЫШИН МАКСИМ ТИМОФЕЕВИЧ

Изобретатель КОСТЫШИН МАКСИМ ТИМОФЕЕВИЧ является автором следующих патентов:

Способ изготовления материала, чувствительного к электромагнитному излучению

Способ изготовления материала, чувствительного к электромагнитному излучению

  ; ц 553579 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ R ABTOPCKO Y «:ВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 01.09.75 (21) 2170618/12 с присоединением заявки № (23) Приоритет Опубликовано 05.04.77. Бюллетень № 13 Дата опубликования описания 15.04.77 (51) М Кл G 03G 500 Государственный комитет Совета Министров СССР (53) УДК 621.382....

553579

Способ получения рельефного изображения на диэлектрической подложке

Способ получения рельефного изображения на диэлектрической подложке

  СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФНОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ , включающий нанесение на нее слоя олова, экспонирование ультрафиолетовым и (или) видимым светом и проявление в водном растворе,6 т л ич а ю щ и и с я тем, что, с целью одновременного повьвиения светочувствительности системы и сокращения числа операций обработки, наносят слой олова толщиной 20-100 нм, слой йодида...

1091107

Способ изготовления оригинала оптической сигналограммы

Способ изготовления оригинала оптической сигналограммы

  ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОРИГИНАЛА ОПТИЧЕСКСЙ СИГНАЛОГРАЮШ путем вакуумного нанесения на дисковую основу полупроводникового халькогенидного слоя, на который воздействуют лазерным лучом с последующим травлением , отличающийся тем, что, с целью повьшения снектраль ной чувствительности в видимой области и в области высших чдртот и селективности травления, перед нанесением пoлyпpoвo шикoвoгo хал...

1153354

Способ изготовления оригинала оптической сигналограммы

Способ изготовления оригинала оптической сигналограммы

  Изобретение относится к накоплению информации. Для улучшения свето- ,энергетических х-к оригинала оптической сигналограммы на дисковую основу I с напыленной металлической пленкой 2 дополнительно напыляют пленку 3 из Си или CuClj , или СггВгг , или Cul, или С1)д5, или , или толщиной 1-5 нм. Затем наносится слой 4 полупроводникового халькогенида,часть приповерхностной зоны вступает...

1425777