Способ изготовления материала, чувствительного к электромагнитному излучению

Способ изготовления материала, чувствительного к электромагнитному излучению

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

; ц 553579

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

R ABTOPCKO Y «:ВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 01.09.75 (21) 2170618/12 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 05.04.77. Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 15.04.77 (51) М Кл G 03G 500

Государственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 621.382.4 (088.8) по делам иаобретеиий и открытий (72) Авторы изобретения

М. T. Костышин и В. И. Минько

Институт полупроводников АН Украинской ССР (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛА, ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО К ЭЛЕКТРОМАГНИТНОМУ ИЗЛУЧЕНИЮ

Изобретение относится к способам приготовления материалов, чувствительных к электромагнитному и корпускулярному излучению.

Оно может применяться для изготовления материалов, пригодных как для записи информа ции с высокой плотностью в широкой спектральной области, так и для изготовления ряда изделий в оптотехнике (дифракционные решетки, поляризаторы электромагнитного излучения и др.), электронной технике (фотошаблоны и др.), полиграфии и других отраслях.

Известен способ приготовления светочувствительного материала, заключающийся в нанесении на диэлектрическую подложку слоев серебра и халькогенида мышьяка As S3. Слои наносят методом термического испарения в вакууме порядка 10 †мм рт. ст. на диэлектрическую подложку, находящуюся при комнатной температуре. Полученный таким способом материал чувствителен к электромагнитному излучению в области спектра до 700 нм.

Этот способ приготовления светочувствительного материала, представляющего собой систему полупроводник — металл, не позволяет получить стехиометрические слои сложных полупроводниковых соединений и использовать их свойства для создания материала с высокой чувствительностью к электромагнитному излучению в ближней инфракрасной области спектра, так как при нанесении полупроводникового слоя термическим испарением в вакууме происходит диссоциация соединения и на подложку оседает смесь его различных

5 компонентов, не обладающая свойствами исходного материала.

Целью изобретения является повышение чувствительности материала к электромагнитному излучению в ближней инфракрасной об10 ласти спектра.

Это достигается тем, что в качестве полупроводника используют сегнетополупроводник

SbSI, при этом нанесение его осуществляют методом дискретного взрывного испарения на

15 подогретую до 50 — 60 С подложку с последующим выдерживанием материала в вакууме не менее 4 час при температуре 50 — 60 С.

Способ осуществляется следующим образом.

На диэлектрическую подложку наносят слой

20 серебра. В случае применения светочувствительной системы для записи информации, при необходимости считывания ее на пропускание, слой серебра выбирают небольшой толщины.

На слой серебра наносят слой сегнетополупро25 водника SbSI, Возможен и обратный порядок нанесения слоев.

Слой серебра наносят термическим испарением в вакууме порядка 10 — мм рт. ст. Слой

553579

Формула изобретения

Составитель В. Юскав

Техред В. Рыбакова Корректор В. Якоаледа

Редактор Г. Кузьмина

Заказ 761/17 Изд. Ке 490 Тираж 609 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 сегнетополупроводника SbSI наносят методом дискретного взрывного испарения в вакууме того же порядка на слой серебра, при этом подложка со слоем серебра нагрета до 50—

60 С. После нанесения слоев материал, представляющий собой систему SbSI — Ag, выдерживают в вакууме порядка 10 мм рт. ст. при температуре 50 — 60 С 4 — 5 час.

При температуре 20 С система SbSI — Ag характеризуется наряду с высокой устойчивостью без облучения чувствительностью к излучению в области длин волн до 1000 нм. При температуре 26 27 С в слое SbSI происходит сегнетоэлектрический фазовый переход первого рода. При такой температуре светочувствительность системы SbSI — Ag возрастает в несколько раз и длинноволновый край ее смещается при этом до 12БΠ— 130О нм.

Способ изготовления материала, чувствительного к электромагнитному излучению, за5 ключающийся в том, что на диэлектрическую подложку последовательно наносят слои серебра и полупроводника путем термического их испарения в вакууме, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности

10 материала к электромагнитному излучению в ближней инфракрасной области спектра, в качестве полупроводника используют сегнетополупроводник SbSI, при этом нанесение его осуществляют методом дискретного взрывного ис15 парения на подогретую до 50 — 60 С подложку с последующим выдерживанием материала в вакууме не менее 4 час при температуре

50 — 60 С.