PatentDB.ru — поиск по патентным документам

СОСКИН БОРИС МОИСЕЕВИЧ

Изобретатель СОСКИН БОРИС МОИСЕЕВИЧ является автором следующих патентов:

Ячейка памяти

Ячейка памяти

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сова Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 14.04.75 (21) 2124394/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет Опубликовано 15.07.77. Бюллетень № 26 Дата опубликования описания 01.08.77 (51) М Кл G 11С 17/00 Государственный комите Совета Министров СССР ао делам изобретений и открыт...

565327

Постоянное запоминающее устройство

Постоянное запоминающее устройство

  О f3 И С А Н И Е,903982 ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз CosoTcKNx Соцнапнстнчвсннк Реснубпнн К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6! ) Дополнительное к авт. свнд-ву (22) Завалено 06.06.80 (2 I ) 2938783/18-24 (51)М. Кл. О 11 С 11/40 G 11 С 17/00 с присоединением заявки М3ЬеудеретекккыФ кенктет СССР ве делан изебретеккй к еткрыткй (23)Приоритет Опубликовано 07.02.82. Бюллетень М 5 Дата опубликов...

903982

Элемент памяти

Элемент памяти

  ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий ВДП-транзисторГ I с плавающим и управляющим затворами, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации, он содержит ВДП-конденсатор, затвор и сток которого соединены соответственно с плавающим затвором и стоком МДП-транзистора. СОЮЗ СОВЕТСКИХ tN3W РЕСПУБЛИК аю

1084893

Способ записи информации в элемент памяти на @ -канальном моп-транзисторе (его варианты)

Способ записи информации в элемент памяти на @ -канальном моп-транзисторе (его варианты)

  Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении полупроводниковых запоминающих устройств. Цель изобретения - повышение надежности записи информации в элемент памяти на П-канальном МОП-транзисторе - достигается увеличением амплитуды импульса записи, равной потенциалу вторичного стокового перехода МОП-транзистора, либо увели-, чением амплитуд...

1287231

Устройство для автоматического смещения напряжения подложки интегральной схемы

Устройство для автоматического смещения напряжения подложки интегральной схемы

  Изобретение относится к области импульсной техники, в частности к интегральным схемам на МДП-транзисторах. Устройство для автоматического смещения нанряжения подложки интегральной схемы содержит транзисторы 1, 2, образующие инвертор , накопительный конденсатор 3, транзистор 4 заряда, общую щину 5, шины 6, 9 управляющих импульсов, подложку 7 интегральной схемы, МДП-транзистор 8 ра...

1408424


Устройство для защиты мдп-интегральных схем от статического электричества

Устройство для защиты мдп-интегральных схем от статического электричества

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК Al (19) (И) ! (51) 4 Н 03 К 19/094 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ К АBTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4174155/24-21 (22) 06.01.87 (46) 07.09.88. Бюл. Р 33 (72) А.С. Свердлов и Б.М. Соскин (53) 621.374 (088,8) (56) Интегральные схемы на МДП-прибо рах./ Под ред. А.Н. Кармазинского. М.: М...

1422398