САПОЖНИКОВ ВЛАДИМИР МИХАЙЛОВИЧ

  к на он САН СПИ ИЕ ИЗОБРЕТЕН Ия Союз Советских Социалистимеских Республик (>>) 565766 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено23.06.72 (21) 1801182/27 (И) М. Кл.2 В 21 J 13/02 с присоединением заявки № Государственный номитет Совета Министров СССР so делам изобретений и открытий (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.07.77 бюллетень ¹ 27 (45...

  ОПИСАНИЕ ЫИЮ: ИЗОБРЕТЕНИЯ (сиз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 06.01.77 (21) 2439197/25-27 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет (51) М. Кл."- В 21J 13/02 Государственный комитет (43) Опубликовано 30.04.79. Бюллетень № 16 (53) УДК 621.733.5 (088.8) по делам изобретений и открытий (45) Дата оп...

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИ ИТЕДЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (i»780040 (61) Дополнительное к авт. сеид-ву / (22) Заявлеио18.12.78 (21) 2697089/18-24 (51) М. Кл. с присоединением заявки № G 11 С 11/22 Государственный комитет СССР но делам изобретений и открытий (23) Приоритет Опубликовано 151 180. Бюллетень ¹ 42 Дата опубликования описания 15. 11...

  СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ, содержащий подложку с нанесенным на нее активным слоем сегнетоэлектрического материала г вэаимноортогоиальные шины -строк и столбцов, причем шины строк нанесены на активный олой сегнетоэлектрического материала, о т л и.ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения-надежности накопителя, подложка выполнена из полупроводникового материала о...

  СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ, содержаший подложку с нанесенньми на ее поверхность электродами строк, элементы памяти, выполненные в виде пластин сегнетоэлектрической керамики, и электроды столбцов, перпендикулярные электродам строк,отличающийся тем, что, с целью повышения надежное-ти за счет уменьшения механической связи между эл леитами памяти, пластины сегнетоэлек...

  СПОСОБ ЗАПИСИ . И СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ЭЛЕМЕНТЕ ПАМЯТИ, основанный на приложении к электродам элемента памяти импульсного напряжения поляризации с последующей индикацией поляризации элемента памяти, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, индикацию поляризашш элемента памяти осуществляют путем сравнения емкости элемента памяти до и после поляриза...

  СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ЗАПОMHHAKffllEE УСТРОЙСТВО, содержащее диэлектрическую подложку, сегнетоэлектрическую пластину, пары электродов записи-считывания, компланарн нанесенных на обе стороны сегнетоТЕНИЯ электрической пластины, и.две гру шин управления, причем шины управ ления первой группы нанесены на одну сторону сегнетоэлектрической пластины и соответствующие электро записи-счит...

  Использование: метеорологическое и геофизическое исследование местности. Сущность изобретения: измеряют частоту импульсных изменений электрического поля Земли одновременно в реперной точке и точках, равномерно расположённых на местности . Зоны повышенной грозопоражаемости выявляют по значению градиента отношения измеренных частот. 2 ил. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУ...