Способ записи и считывания информации в сегнетоэлектрическом элементе памяти

Способ записи и считывания информации в сегнетоэлектрическом элементе памяти

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ ЗАПИСИ . И СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ЭЛЕМЕНТЕ ПАМЯТИ, основанный на приложении к электродам элемента памяти импульсного напряжения поляризации с последующей индикацией поляризации элемента памяти, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, индикацию поляризашш элемента памяти осуществляют путем сравнения емкости элемента памяти до и после поляризации . (Л

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (l 9) (! I) (5l)4. G 11 С 11/22. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

° «б с

° °

М« (2! ) 37106! 3/24 — 24 (22) 15.03.84 (46) 23.09.85. Бюл. No 35 (72) К. Г. Самофалов, Е; Г. Фесенко, А. Я. Данцигер, В. И. Кит, А. Н. Клевцов, А. Е. Панич, Ю. Н. Рухлядев, В, М, Сапожников, иностранец Стефан Милчев Христов (BG) и Ю. И. Шпак (71) Киевский ордена Ленина политехнический институт им. 50-летия Великой Октябрьской социалистической революции (53) 681.327 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР И 501420, кл; 6 11 С 11/00, 1974.

Патент CIA л 3623031, кл. 340 †1, онублик. 1971.

Авторское свидетельство СССР М 780040, .кл. g 11 С 11/22, 1980. (54) (57) СПОСОБ ЗАПИСИ . И СЧИТЫВАНИЯ

ИНФОРМАЦИИ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ

ЭЛЕМЕНТЕ ПАМЯТИ, основанный на приложении к электродам элемента памяти импульсного напряжения поляризации с последующей индикацией поляризации элемента памяти, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, индикацию поляризации элемента памяти осуществляют путем сравнения емкости элемента паьщти до и после поляризации.

1180977

Составитель В.Костин

Техред ЛМикеш

Редактор Л. Коссей

Корректор Л. Бескид

Подписное

Заказ 5934/52

Тираж 583

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть. использовано в сегнето электрических запоминающих устройствах.

Целью изобретения является упрощение способа записи и считывания информации в сегнетозлектрическом элементе памяти.

Величина изменения емкости у современных сегнетоэлектрических конденсаторов в поляризованном и деполяризованном состояниях диэлектрика достигает 50 — 80 o. !О

На практике способ реализуется тем, что к паре, состоящей иэ сегнетоэлектрического элемента памяти, который находится в поляризованном или деполяриэованном состоянии последовательно соединенного с ним элемента IS с постоянными электрическими параметрами, например конденсатора, прикладывают короткий импульс напряжения считывания. г

Напряжение считывания делится на этих элементах в зависимости от их электрических параметров.

По величине напряжения, снимаемого с любого элемента пары и зависящего от емкэс1,ти элемента памяти, можно судить о состоя-. нии сегнетоэлектрического элемента памяти, и значит, о хранимой информации в нем.

Амплитуда импульсов считывания выбирается в 5 — 10 раз меньше амплитуды импульсов, записи, а длительность импульсов считывания определяется временем заряда конденсаторов.

Изобретение позволяет осущественно упростить способ записи н считывания информации в сегнетозлектрическом элементе памяти.