PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ПЕРОВ ПОЛИЕВКТ ИВАНОВИЧ

Изобретатель ПЕРОВ ПОЛИЕВКТ ИВАНОВИЧ является автором следующих патентов:

Оптоэлектронное устройство для вычисления двоичных логических функций

Оптоэлектронное устройство для вычисления двоичных логических функций

  ф енвнеруиеее монт ио-т х мну saa МБЛ 1) 566353 Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВМДЕТЕЛЬСТВ (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено18.07.73 (21) 1945991/2 11 M. Кл. 2 с присоединением заявки № Н 03 К 19/02 G 06 (» 9/00 Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий (23) Приоритет (43) Опубликована! 25.07.77 юлле...

566353

Оптическое запоминающее устройство

Оптическое запоминающее устройство

  -. 699567 ИЗОБРЕТЕН ИЯ и АВТОРСКОМУ СВИДВПЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 16.07.76 (21) 2385607/18-24 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. Кл. G 11 С 11 42 Гасударственный неинтет СССР на делан нзааретнннй н нтнрытнй (53) УДК 681.327. .66 (088.8) Опубликовано 25.11.79. Бюллетень № 43 Дата опубликования описания 10.12.79 (72) Автор...

699567

Оптоэлектронное устройство для вычисления логических функций многих переменных

Оптоэлектронное устройство для вычисления логических функций многих переменных

  Ютйитио" техническса3 библиотека МБА О П И C А Н И Е ()717766 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советск их Социалистических Респубики (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 20.05.77 (21) 2488444/18-24 (51)M. Кл. G 06 F 7/58 с присоединением заявки РЙ4ВВУаафитвИИИЫй КИМИтвт 4 CCP ае деюм изибретвиий а вткрмтий (23) Приоритет -. Опубликовано 25.02.80. Бюл...

717766

Поляризационный интерферометрмодулятор

Поляризационный интерферометрмодулятор

  О П И -С-А- Е ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социвпистинеских Республик в которых поляризация, пространственное разделение и сведение пучков света осуществляется призмами Волластона или кварцевыми пластинами, 10 Наиболее близким техническим решением к предложенному можно считать поляризацнонный интерферометр-модулятор, содержащий источник линейно поляризованного излучения, систе...

771601

Оптоэлектронный элемент памяти

Оптоэлектронный элемент памяти

  Союз Советскнх Социалнстнческкх Республик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (II) 963098 (6I ) Дополнительное к авт. свнд-ву (22) Заявлено 06.06.80 (2l ) 2938785/18-24 (53)M. Кл. G ll С 11/42 с присоединением заявки № 9кударстванный комитет ССФР ао делам изобретений и открмтий (23) П рнорнтет ОпУбликовано 30 09 82 Бюллетень № 36 Дата опубликования описания...

963098


Способ определения потенциала границы раздела в полупроводниковых структурах

Способ определения потенциала границы раздела в полупроводниковых структурах

  ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советскик Социалистических Реслублнк К . АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 11. 06. 81 (21) 3299291/18-25 ($g) М. Кп.з с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет.— Н 01 1. 21/66 Государственный ноинтет СССР но делам нзобретеннй н открытнй (53) УДК621 ° 382 (088.8) Опубликовано 280283. Бюллетень ¹ 8 Дата опубл...

1001236

Способ определения эффективной концентрации примесей в полупроводниковых материалах гетеропереходов

Способ определения эффективной концентрации примесей в полупроводниковых материалах гетеропереходов

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВКДЕТЕЛЬСТВУ с оюз Саеетскии Сециалистическик Республик ( Eg1 ) Eg2. В Этом СЛУ» чае фото-ЭДС насыщенйя равна (-1/ф)х x(

1001237

Способ определения потенциалов на границе раздела в полупроводниковых структурах

Способ определения потенциалов на границе раздела в полупроводниковых структурах

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения потенциалов на границах раздела в полупроводниковых структурах. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей путем обеспечения возможности определения потенциалов на нескольких границах раздела в многослойных полупроводниковых структурах. Многослойную структуру облучаю...

1297133

Способ определения параметров энергетических уровней в полупроводниках и гетероструктурах

Способ определения параметров энергетических уровней в полупроводниках и гетероструктурах

  Изобретение касается контроля электрофизических свойств материалов и может быть использовано для исследования и контроля физических параметров полупроводников и гетероструктур. Целью изобретения является повышение точности и обеспечение возможности измерений для структур с малыми сопротивлениями утечки. К образцу прикладывают обедняющее напряжение в течение времени . Образец пере...

1629931