Оптическое запоминающее устройство

Оптическое запоминающее устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

-. <- .ь ..., дн я патентно тели чес

ОП И

Союз Советских

Социелистииеских

Республик »>699567

ИЗОБРЕТЕН ИЯ и АВТОРСКОМУ СВИДВПЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 16.07.76 (21) 2385607/18-24 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. Кл.

G 11 С 11 42

Гасударственный неинтет

СССР на делан нзааретнннй н нтнрытнй (53) УДК 681.327. .66 (088.8) Опубликовано 25.11.79. Бюллетень № 43

Дата опубликования описания 10.12.79 (72) Авторы изобретения

Л. А. Авдеева, С. А. Айтхожин,И. И. Елинсон, Б. Г. Игнатов, В. Б. Новиков, П. И. Перов и В. И. Поляков (71) Заявитель

Ордена Трудового Красного Знамени институт радиотехники и электроники АН СССР (54) ОПТИЧЕСКОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОИСТВО

Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к оптоэлектронным системам обработки и хранения информа ции.

Известны запоминающие устройства, содержащие слой электрооптического материала с поверхностью, способной захватывать заряд, в которых для записи или считывания информации используется перенос зарядов f l ).

Наиболее близким к изобретению техническим решением является устройство, содержащее активный слой, расположенный на прозрачной проводящей подложке (2) .

Однако в данном устройстве необходимо использовать коронный разряд, что приводит к усложнению устройства и использованию высоких рабочих напряжений (7 — 10 кВ).

К тому же, использование сегнетоэлектрических материалов требует применения поляризованного света для считывания информации, что дополнительно усложняет устройство, а также приводит к уменьшению быстродействия и разрешающей способности его.

Целью изобретения является увеличение быстродействия и разрешающей способности устройства.

Это достигается тем, что устройство содержит прозрачный электрод, расположенный на активном слое, причем активный слой выполнен в виде пленки из высокоомного полупроводникового материала с избирательным спектром поглощения.

На чертеже схематически изображено предложенное устройство.

Оно выполнено в виде тонкопленочной структуры таким образом, что активный слой 1 нанесен на прозрачную проводящую подложку 2, являющуюся одновременно одним из электродов, а второй прозрачный электрод 3 расположен с другой стороны активного слоя 1. При этом толщина активного слоя (от 0,1 до 1 мкм) обусловливает высокую разрешающую способность устройства (порядка 104 лин./см или порядка

108 бит/см ). Одна из границ между слоя2ц ми устройства обладает способностью захватывать заряды и разряжаться под действием света. При этом распределение заряда (потенциальный рельеф1 соответствует рас699567

Формула изобретения

ГГ2БЛ 2Е ЯБББЕГ. ютж юмю.

Ф Ж у,ф

Ф Ф Ф

Составитель В. Боголюбов

Редактор T. Клюкина Техред О. Луговая Корректор Г. Решетник

Заказ 7237/55 Тираж 681 Подписное

ЦН И И ПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раугвская наб., д. 4г5 " .,иал ППП «Патент», r. Ужгород, ул. Проектная, 4 пределению интенсивности в действующем на структуру световом пучке. Время образования захваченного заряда и высокая чувствительность к свету обеспечивает достаточно большое быстродействие структуры, порядка 1 мкс.

Для подготовки к записи информации,га электроды подают импульс напряжения величиной до 5 В, вполне достаточного для появления равномерно распределенных зарядов на границе 4. При этом в пленке l (активный слой) толщиной порядка 0,1 — 0,5 мкм соз- 4б дается электрическое поле величиной до

105 В/см. Затем структуру освещают пучком света, пространственное распределение интенсивности в котором соответствует записываемой информации.

Под действием света заряд с границы 4 уменьшается: оставшиеся заряды создадут потенциальный рельеф в соответствии с интенсивностью светового потока.

Для воспроизведения информации структуру освещают слабым пучком монохрома- ы тического света с длиной волны в экситонной области.

Распределение заряда и, следовательно, электрического поля, соответствующее за писанной картине, вызывает IlpocTpBHcTBEH33 ную модуляцию оптических свойств структуры, что позволяет проводить эффективное оптическое считывание записанной информации.

Предложенное устройство позволяет обеспечить достижение разрешающей способности порядка 10 лин /см, рабочее напряжение составляет несколько вольт (в известных

vcTpoHcTBBx — несколько киловольт), увеличивается быстродействие (примерно до

1 мкс).

1. Оптическое запоминающее устройство, содержащее активный слой, расположенный на прозрачной проводящей подложке, отличагои4ееся тем, что, с целью увеличени". быстродействия и раз,.-. шающей способ-lo.,.Tи, оно содержит про=::-.чньгй электрол, р.:.сполс" женный на актиьч-;ом слое.

2. Устройство но и. 1, атлантов .. чтО активный слой выполнен в виде .—.:.нки из высокоомногс полупроводникового материала с избирательным спектром Ioi zIouxeния.

Источники Híфсрмапии, ППИНЯтЫЕ ВО ВН,,àH;Е ПРИ -::сСПЕРт.".,:=

1. Патент США 1 гв 3623027, кл. ЗА0 — -173, 1971.

2. Патент США Я 3660818., кл. 340 †1.3, 1972 (прототип).