PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Добровенский В.В.

Изобретатель Добровенский В.В. является автором следующих патентов:

Автоматический станок для сверления отверстий в твердых материалах

Автоматический станок для сверления отверстий в твердых материалах

  № 106684 Класс 49а, 55а 8И, 9 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Я АВТОРСЯOMУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В, В. Добровенский и К. П. Бондаренко АВТОМАТИЧГСКИЙ СТАНОК ДЛЯ СВЕРЛЕНИЯ OTBEPCTHA В ТВЕРДЫХ МЛТЕРИЛЛЛХ Заяв;.оно 25 апреля 1955 г, за М 27534/550008 в Минис ерство ма иииостроения и приборостроения Станки для изготовления отверстий, в которых использован суппорт, несущий шпиндель с инструмент...

106684

Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава методом вытягивания (по чохральскому)

Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава методом вытягивания (по чохральскому)

  И 108648 Класс 40d, 1;с В. В. Добровенский СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА МЕТОДОМ ВЫТЯГИВАНИЯ (ПО ЧОХРАЛЬСКОМУ) Заявлено 24 октября 1956 г. за № 559644 в Комитет по делам изобретений и открытий прп Совете Ынистров СССР В подавляющем больш1и нстве случаев выращивание кр испаллов ведется без пр имене ния каких-либо сло>ины...

108648

Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава

Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава

  ,% 113806.Класс 12с, 2 СССР /:: 1 ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В. В. Добровенский СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА Заявлено 2 ноября 1956 г. за № 560241 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Методом кристаллизации по Штоберу выращивают целый ряд люминесцентных монокристаллов...

113806

Способ регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава

Способ регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава

  Класс 40d, 13Q 12с, 2 42r, 3 ¹ 121237 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В. В. Добровенский и В. П. Бутузов СПОСОБ РЕГУЛ И РОВАН ИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИ ВАН ИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА Заявлено 10 февраля 1955 г, за Лов 27230/497359/26 в Главное управление приборостроения Министерства мап нностроения и приборостроения СССР Опубликовано в «Б|оллетепе изобретен...

121237

Способ автоматического регулирования процесса бестигельной зонной плавки

Способ автоматического регулирования процесса бестигельной зонной плавки

  Мо 136888 Kdl ace 4P d, 1 за ссср ВГ С,6: I.i "1 ; ii 12 ПАтгнтн0 1 ч i) (У 49 ЬИЬi;IIЭТ1. . А ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Пог7паспая группа Л 1б1 В. В. Добровенский, Д. П, Ловцов и А. Ю. Малинин СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССА БЕСТИГЕЛЬНОЙ ЗОННОЙ ПЛАВКИ Завалено 22 августа !960 г. за Хч 677061/22 в Комитет по делам изобретений и открытий при...

136888


Способ изготовления исходного поликристаллического кремния в виде пластин с большой площадью поверхности и камера для осаждения кремния

Способ изготовления исходного поликристаллического кремния в виде пластин с большой площадью поверхности и камера для осаждения кремния

 Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы. Технический результат - повышение производительности и рентабельности, снижение стоимости процесса. Способ включает размещение плоской основы в камере, пода...

2158324

Реактор для получения широких пластин исходного поликристаллического кремния

Реактор для получения широких пластин исходного поликристаллического кремния

 Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния осаждением на нагретые подложки (основы) в процессе водородного восстановления хлорсиланов или из газовой фазы моносилана. Сущность изобретения: реактор для получения исходного поликристаллического кремния в процессе водородного восстановления хл...

2222648

Способ получения исходного поликристаллического кремния в виде широких пластин с малой концентрацией фоновых примесей

Способ получения исходного поликристаллического кремния в виде широких пластин с малой концентрацией фоновых примесей

 Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния осаждением на нагретые основы в процессе водородного восстановления хлорсиланов или из газовой фазы моносилана. Сущность изобретения: способ включает размещение в реакторе химически инертной к пару или парогазовой смеси плоской основы с удельным...

2222649