Добровенский В.В.

  № 106684 Класс 49а, 55а 8И, 9 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Я АВТОРСЯOMУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В, В. Добровенский и К. П. Бондаренко АВТОМАТИЧГСКИЙ СТАНОК ДЛЯ СВЕРЛЕНИЯ OTBEPCTHA В ТВЕРДЫХ МЛТЕРИЛЛЛХ Заяв;.оно 25 апреля 1955 г, за М 27534/550008 в Минис ерство ма иииостроения и приборостроения Станки для изготовления отверстий, в которых использован суппорт, несущий шпиндель с инструмент...

  И 108648 Класс 40d, 1;с В. В. Добровенский СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА МЕТОДОМ ВЫТЯГИВАНИЯ (ПО ЧОХРАЛЬСКОМУ) Заявлено 24 октября 1956 г. за № 559644 в Комитет по делам изобретений и открытий прп Совете Ынистров СССР В подавляющем больш1и нстве случаев выращивание кр испаллов ведется без пр имене ния каких-либо сло>ины...

  ,% 113806.Класс 12с, 2 СССР /:: 1 ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В. В. Добровенский СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА Заявлено 2 ноября 1956 г. за № 560241 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Методом кристаллизации по Штоберу выращивают целый ряд люминесцентных монокристаллов...

  Класс 40d, 13Q 12с, 2 42r, 3 ¹ 121237 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В. В. Добровенский и В. П. Бутузов СПОСОБ РЕГУЛ И РОВАН ИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИ ВАН ИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА Заявлено 10 февраля 1955 г, за Лов 27230/497359/26 в Главное управление приборостроения Министерства мап нностроения и приборостроения СССР Опубликовано в «Б|оллетепе изобретен...

  Мо 136888 Kdl ace 4P d, 1 за ссср ВГ С,6: I.i "1 ; ii 12 ПАтгнтн0 1 ч i) (У 49 ЬИЬi;IIЭТ1. . А ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Пог7паспая группа Л 1б1 В. В. Добровенский, Д. П, Ловцов и А. Ю. Малинин СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССА БЕСТИГЕЛЬНОЙ ЗОННОЙ ПЛАВКИ Завалено 22 августа !960 г. за Хч 677061/22 в Комитет по делам изобретений и открытий при...

 Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы. Технический результат - повышение производительности и рентабельности, снижение стоимости процесса. Способ включает размещение плоской основы в камере, пода...

 Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния осаждением на нагретые подложки (основы) в процессе водородного восстановления хлорсиланов или из газовой фазы моносилана. Сущность изобретения: реактор для получения исходного поликристаллического кремния в процессе водородного восстановления хл...

 Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния осаждением на нагретые основы в процессе водородного восстановления хлорсиланов или из газовой фазы моносилана. Сущность изобретения: способ включает размещение в реакторе химически инертной к пару или парогазовой смеси плоской основы с удельным...