PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ПЕТРОВ СТАНИСЛАВ ИВАНОВИЧ

Изобретатель ПЕТРОВ СТАНИСЛАВ ИВАНОВИЧ является автором следующих патентов:

Регулируемая развертка

Регулируемая развертка

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ((ц 588018 (Сои(а Советских Социалистических . Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 05.01.76 (21) 2309432/25-08 (51) М К(а В 23D 77/02 с присоединением заявки Ме Государственный ко(иитет Совета Министров СССР по дела(и изобретв(ий и открытий (23) Приоритет (43) Опубликовано 15.01.78. Бюллетень (ч" 2 (45) Д...

588078

Способ ультразвуковой обработки

Способ ультразвуковой обработки

  ОПИСАНИЕ Союз Советских Социаиистическик Республик (1I) 5913 00 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное н авт. свнд-ву 2 (6I) N. Кл. В 23 P 1/00 (22} ЗаЯвлено 0501.76 (21) 2311228/08 с нрнсоеднненнем заявки ¹ (23) Приоритет (43) Опубликовано 05и278.5толлетень № 5 (45) Дата опубликования описания 180178 Гевудеуетвеввмв ввавтвт Явветв Мвиветуее ШР ве дема ве...

591300

Способ механической обработки деталей

Способ механической обработки деталей

  «!)878503 ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ бай боеетских Социалистических республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04.03.77 (21) 2458263/25-08 (51) М. Кл.з В 24В 1/00 В 23Р 1/00 с присоединением заявки № Государственный комитет (23) Приоритет (43) Опубликовано 07.11.81. Бюллетень № 41 (45) Дата опубликования описания 07.11.81 ссср (53) УДК 62...

878503

Устройство для выращивания кристаллов из расплава

Устройство для выращивания кристаллов из расплава

  Изобретение относится к получению искусственных кристаллов и обеспечивает уменьшение габаритов устройства и повышение удобства обслуживания, а также повышение производительности. Устройство содержит камеру роста, которая выполнена из верхней, нижней частей и поддона. Нижняя часть камеры снабжена средством горизонтального перемещения. Между частями камеры и поддоном размещены сред...

1680810

Способ получения монокристаллов кремния

Способ получения монокристаллов кремния

  Использование: получение монокристаллов кремния методом Чохральского. Сущность изобретения: расплавляют загрузку в тигле, вытягивают монокристалл на затравку в герметичной камере из не более 2/3 расплава, содержащегося в тигле, отрывают кристалл от расплава, отделяют кристалл от затравки и размещают его в стороне от оси вытягивания, проводят подпитку расплава и вытягивание следую...

1773955


Устройство для выращивания кристаллов кремния из расплава

Устройство для выращивания кристаллов кремния из расплава

  Изобретение относится к технике получения искусственных кристаллов и обеспечивает повышение надежности работы устройства. Устройство содержит камеру роста, разделенную на верхнюю и нижнюю части. В нижней части установлен тигель для расплава с тепловым углом, а в верхней - кассета для выращивания кристаллов, установленная с возможностью вращения вокруг вертикальной оси и снабженна...

1798395