УЛЬЯНОВ ВЛАДИСЛАВ ВИКТОРОВИЧ

  0 ll H C A H M E ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (11) 593О94 Сова Ооввтских й.оаиапистичеоиих Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 05.04.76 (21) 2343821/18-10 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 15.02.78. Бюллетень № 6 (45) Дата опубликования описания 20.02.78 (51) М, Кл.2 G 01L 9/04 Государственный комитет Совета Министро...

  СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАДИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН 3(Я) С 01 В 7 20 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ H ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21 ) 3451455/25-28 (22) 11. 06. 82 (46) 15,.12.83. Бюл. М 46 (72) Ю.А.Зеленцов, В.П.Стрельцин, С.А.Козин, К.И.Афанасьев и В.В-.Ульянов (53) 531.781.2(088.8) (56) 1. Патент am Р 3873956; кл. 338-2 $973. 2....

  ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащий упругую мембрану с размещенными на ней диффузионными тензорезисторами и калибровочными резисторами, включенными в мостовую схему, причем калибровочные резисторы выполнены с приливами vi окнами под металлизацию в последних, отличающийся тем, что с целью повышения точности преобразования, он снабжен по крайней мере одним высоколегированным диффузион...

  ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР , содержащий резистнвную полоску из полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, отличной от предельной концентрации для данного материала, И металлические токовыводы , закрепленные на концах полоски, отличающийся тем, что, с целью педаышения точности измерения, резистивная полоска выполнена с областями предельной концентрации н...

  Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано приизгот'овлении полупроводниковых преобразователей механических величин. Целью изобретения является упрощение способа и повышение выхода годных. Сущность изобретения заключается в том, что на поверхности кристалла или корпуса со стороны их соприкосновения при сбррке формируют методами напыления, фотолитографи...

  Изобретение может быть использовано для повышения технологичности, надежности и стабильности струнных датчиков за счет выявления на ранних стадиях изготовления потенциально ненадежных узлов и уменьшения величины и неравномерности термических напряжений, возникающих в узле изолятор - струна во время изготовления . В способе, заключающемся в формировании упругого элемента 1 с двумя...

  Изобретение может быть использовано при конструировании малогабаритных полупроводниковых датчиков физических величин повышенной точности, работоспособных в широком диапазоне рабочих температур и в условиях быстроизменяющейся температуры измеряемой среды. В интегральном преобразователе давления конфигурация слоя базы 7 термокомпенсирующего n-p-n-транзистора (Т) выполнена в виде дв...

  Использование: изобретение относится к измерительной технике, в частности к датчикам , предназначенным для использования в различных областях науки и техники, связанных с измерением давления, усилий и других механических величин. Целью изобретения является повышение технологичности . Сущность изобретения: в способе изготовления струнного датчика, заключающемся в формировании упру...

  Использование: при измерении давления . Сущность изобретения: в интегральном полупроводниковом датчике давления, 2 содержащем опорное основание, упругую мембрану, ребра жесткости, выполненные в форме прямоугольных балок, и тензочувствительные элементы, упругая мембрана выполнена с жестким центром, расположенным в обеих ее сторон, толщина которого меньше толщины опорного основания...