Полупроводниковый тензорезистор

Полупроводниковый тензорезистор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР , содержащий резистнвную полоску из полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, отличной от предельной концентрации для данного материала, И металлические токовыводы , закрепленные на концах полоски, отличающийся тем, что, с целью педаышения точности измерения, резистивная полоска выполнена с областями предельной концентрации носителей в зонах размещения токовыводов по всей толщине.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК.ЗО„„11 878

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 360639! /25-28 (22) 06.04.83 (46) 23.09.84. Бюл. № 35 (72) В. В. Ульянов, 1О. А. Зеленцов, С, А. Козин и К. И. Афанасьев (53) 531.78 !.2 (088.8) (56) l. Авторское свидетельство СССР

¹ 691682, кл. G 01 В 7/18, 1978.

2. Авторское свидетельство СССР № 1002825, кл. б Ol В 7/18, 1981 (прототип). (543 (57) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ TEM30PE3HCTOP, . содержащий резистивиую полоску из полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, отличной от предельной концентрации для данного материала, и металлические токовыводы, закрепленные на концах полоски, отли-. чающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, резистивная полоска выполнена с областямн предельной концентрации носителей в зонах размещения токовыводов по всей толщине.

1114878

Составитель H. Тимошенко

Техред И. Верее Корректор М. Демчнк

Тираж 586 Поди нс но е

ВИИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий !! 3035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4(5

Филиал ППП <Патент». r Ужгород, ул. Проектная, 4

Редактор Л. Мотыль .Заказ 6574/26

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к полупроводниковым тензорезисторам, и может быть использовано прн создании полупроводниковых датчиков механических параметров.

Известен полупроводниковый теизорезнстор, содержащий основную и дополнительную резистивные полоски из полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, отличной от предельной концентрации для данного материала, несколько металлических токовыводов, закрепленных на различных участках полосок, и металлические перемычки, соединяющие токовыводы между собой (!).

Однако такой полупроводниковый тензореэистор характеризуется ограниченной температурной и временной стабильностью, сопротивления, так как сопротивление перехода полупроводник — металл определяется неоднородностью получаемого при этом потенциального полл, а последнее существенно меняется от температуры и от длительности временного интервала эксплуатации тензорезнстора..

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату является полупроводниковый тензорезистор, содержащий реэистивную полоску из полупроводникового материала с концент ра цией основных носителей, отличной от предельной концентрации для данного материала, и металлические токовыводы, закрепленные на концах полоски 2).

Известный тенэорезистор небтабилен во времени и от действия температуры, так как он имеет две области неоднородного потенциального поля на концах полоски.

Цель изобретения — - повышение точности измерения.

Укаэанная цель достигается тем, что в

«олупроводниковом тензорезисторе, содержащем резистивную полоску нз полупроводникового материала с концентрацией основных- носителей, отличной от предельной концентрации для данного материала, и металлические токовыводы, закрепленные на концах полоски, резистивная полоска выполнена с областями предельной концентрации носителей в зонах размещения токовыводов по всей толщине.

Полупроводниковый тензорезистор содержит резистивную полоску из. полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, равной предельной для данного материала, на концах полоски и отличной от предельной в средней части полоски, а также металлические токовыводы, закрепленные на концах полоски в облас15 тях предельной концентрации носителей.

Области предельной концентрации носителей расп ростра няются на всю тол шину полоски и занимают всю площадь под токовыводами.

Полупроводниковый тенэорезистор ра.

20 ботает следующим образом.

При включении тензорезистора в измерительную схему и подаче на него напряжения питания изменение сопротивления тензорезистора определяется его деформа25 цией. В то же время наличие областей предельной концентрации носителей в зоне кон- такта с металлическими токовыводами обус-: лавливает низкую температурную чувствительность этого участка резистора и высокую временную стабильность его сопротивления.

Переход же от области предельной концентрации носителей к области более низкой концентрации внутри самой полоски не вызывает такого существенного разброса сопротивления во времени, как переход от полу35

Таким образом, предлагаемый полупроводниковый тензорезистор с переменной концентрацией носителей по длине полоски обе спеч ива ет бол ее высокую точ ность из- . мерения путем повышения стабильности его

40 сопротивления во времени и от действия температуры.