КОЗИН СЕРГЕЙ АЛЕКСЕЕВИЧ

  "" 76937О Саюа Советских Социалистических Республик ОПИС НИЕ ИЗОБРЕТЕН И Я К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 27.09.78 (21) 2667179/18-10 (51) М. Кл,а G 011 1/22 с присоединением заявки № Государственный комитет СССР (23) Приоритет (43) Опубликовано 07.10.80 Бюллетень ¹ 37 (45) Дата опубликования описания 07.10.80 по делам изобретений...

  О П И С А Н И Е 342397 ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советски к Социалистических Реснублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву",3 (5! )М. Кл. G 01 В 7/20 (22) Заявлено 20.08. 79 (21) 2810857/25-28 с присоединением заявки ¹â€” Гвсудэрстииииый квмитет (23) Приоритет Опубликовано30. 06. 81. Бюллетень ¹ 24 (53) УДК,531. 781 ° . 2 (088. 8) по делам изобретеиий и от...

  ОП ИСАНИЕ ИЗО6РЕТЕ Н ИЯ Х АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Ресттублик ц96449О (61) Долблнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 05.11.80 (21) 3003642/18-10 (5l)NL. Кл. G 01 1 1/22 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— Говударствсииы1 квиитвт СССР ао делаи изабритеиий и аткрытий Опубликовано 07.10.82. Бюллетень №37 Дата опубликования описан...

  СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАДИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН 3(Я) С 01 В 7 20 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ H ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21 ) 3451455/25-28 (22) 11. 06. 82 (46) 15,.12.83. Бюл. М 46 (72) Ю.А.Зеленцов, В.П.Стрельцин, С.А.Козин, К.И.Афанасьев и В.В-.Ульянов (53) 531.781.2(088.8) (56) 1. Патент am Р 3873956; кл. 338-2 $973. 2....

  ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР , содержащий резистнвную полоску из полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, отличной от предельной концентрации для данного материала, И металлические токовыводы , закрепленные на концах полоски, отличающийся тем, что, с целью педаышения точности измерения, резистивная полоска выполнена с областями предельной концентрации н...

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕШ, заключающийся в том, что изготавливают промежуточные фотошаблоны тензорезисторов преобразователя в виде полос с участками для корректировки номиналов тензорезисторов и выводными контактами,изготавливают по ним пробный преобразователь, измеряют сопротивления полученных тензорезисторов, изменяют конфигурацию участков для коррек...

  Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для систем управления и регулирования. Целью изобретения является повышение точности, быстродействия и расширение функциональных возможностей при воздействии нестационарной температуры. Благодаря размещению термоэлемента 5 на поверхности упругого элемента 1, контакти - рующей с измеряемой средой, а тензорезис...

  Изобретение может быть использовано для измерения давления с повышенной точностью в расширенном диапазоне температур. Цель достигается тем, что на поверхности упругого элемента 1 со стороны тензорезисторов 4 и на противоположной стороне расположен слой с типом проводимости и величиной концентрации носителей, идентичными типу проводимости и величине концентрации носителей тензорези...

  Изобретение относится к области измерительной техники и позволяет расширить эксплуатационные возможности устройства для испытания полупроводниковых чувствительных элементов датчиков давления. Для этого устройство имеет в корпусе 1 воздушный канал 5, связанный с источником давления, и систему регулирования температуры корпуса 1, содержащую термочувствительный элемент 4, задатчик те...

  Изобретение относится к измерительной технике и может найти применение при разработке и изготовлении миниатюрных преобразователей давления в электрический сигнал. Преимущественно преобразователя обеспечивается тем, что в нем полупроводниковая мембрана 1 соединена с корпусом 8 своей планарной стороной, а металлизированные площадки 6 для соединения с внешними выводами выполняют на н...

  Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при разработке и изготовлении полупроводниковых преобразователей механических величин. Целью изобретения является повышение чувствительности преобразователя за счет уменьшения толщины мембраны. Преобразователь содержит профилированный чувствительный элемент 1 с мембраной 2, в которой сформированы тензорезисто...

  Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления миниатюрных полупроводниковых датчиков неэлектрических величин. Целью изобретения является расширение эксплуатационных возможностей и обеспечение термоциклирования. Это достигается тем, что в устройство, содержащее корпус 1 с электромагнитной обмоткой, источник 20 давления, систему регулирован...

  Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано приизгот'овлении полупроводниковых преобразователей механических величин. Целью изобретения является упрощение способа и повышение выхода годных. Сущность изобретения заключается в том, что на поверхности кристалла или корпуса со стороны их соприкосновения при сбррке формируют методами напыления, фотолитографи...

  Изобретение относится к измерительной технике, в частности к преоб разователям давления, и позволяет повысить чувствительность и точность преобразователя. Преобразователь содержит профилированную мембрану 1 со сформированными на ней через слой диэлектрика 2 тензорезисторами 3. Причем мембрана и тензорезисторы выполнены из идентичной легированной бором до а - Ь концентрации не мен...

  Использование: в измерительной технике , в частности при изготовлении малогабаритных полупроводниковых датчиков водорода . Сущность: изобретение позволяет повысить выход годных при изготовлении датчиков за счет формирования над областью затвора транзистора временной алюминиевой защиты, нанесения низкотемпературной пленки SlOa, предотвращающей воздействие травителя для палладия на...

  Использование: относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей механических величин. Сущность: При формировании первой кремниевой пластины с мембранами создают на пленарной поверхности пластины легированный бором до концентрации 5-10™ кремния толщиной 2...5 мкм, а на непланарной поверхности под...