Маркеев Андрей Михайлович (RU)

Настоящее изобретение относится к устройствам микро- и наноэлектроники на основе перспективных материалов. Такие мемристорные устройства со стабильными и повторяемыми характеристиками могут быть использованы для создания компьютерных систем на основе аналоговой архитектуры искусственных нейронных сетей. Данное устройство состоит из активного слоя, расположенного между двумя токопроводящими слоями...

Изобретение относится к устройствам микро- и наноэлектроники. Мемристорные устройства являются устройствами энергонезависимой памяти и могут быть использованы для создания компьютерных систем на основе архитектуры искусственных нейронных сетей. Данное устройство состоит из активного слоя, расположенного между двумя токопроводящими слоями, находящегося с ними в электрическом контакте. Активный сл...

Предложенное изобретение относится к области электротехники, а именно к твердотельным суперконденсаторам на основе многокомпонентных оксидов. Увеличение емкости и плотности запасаемой энергии и уменьшение токов утечки конденсатора является техническим результатом изобретения. Суперконденсатор содержит два электрода и размещенный между ними диэлектрический слой, при этом нижний электрод выполнен...

Изобретение относится к медицине и заключается в способе получения биоактивного покрытия на титановом имплантате. Покрытие содержит слои из по меньшей мере одного оксида металла, выбранного из оксида титана, оксида циркония, оксида гафния, оксида тантала, оксида ниобия. Способ включает нанесение многослойного или многокомпонентного покрытия методом атомно-слоевого осаждения при пониженном давлен...

Изобретение относится к области медицины. Описано многослойное биоактивное покрытие титанового имплантата, вводимого в костную ткань человека, полученное атомно-слоевым осаждением и состоящее, по крайней мере, из слоев одного оксида переходного металла, выбранных из группы, включающей слои оксида титана, слои из оксида циркония, слои из оксида гафния, слои из оксида тантала, слои из оксида ниоби...

Изобретение относится к области нанесения тонких диэлектрических пленок для создания устройств микро- и наноэлектроники на основе перспективных материалов, в частности элементов энергонезависимой памяти на основе явления сегнетоэлектричества (FeRAM, ferroelectric random access memory) с деструктивным считыванием, к которому предъявляются жесткие требования к ресурсу, времени хранения информации и...