ИНЬ Хэчжу (US)
Изобретатель ИНЬ Хэчжу (US) является автором следующих патентов:
Способ для регистрации трещиноватости коллектора и диагональных пластов, использующий трехосные/многокомпонентные измерения анизотропии удельного сопротивления
Настоящая группа изобретений относится к разведке и добыче углеводородов и более конкретно к каротажу по методу удельного сопротивления. Заявленная группа изобретений представляет собой способ для инвертирования двуосной анизотропии пласта-коллектора и идентифицирования сложной трещиноватой/диагональной системы напластования (104), а также способ добычи углеводородов из подземной области, использ...
2475780Моделирование характеристики гамма-лучевого каротажного зонда
Изобретение используется для моделирования характеристики гамма-лучевого каротажного зонда. Сущность заключается в том, что представляют область исследования с использованием множества дискретных объемов источника излучения, область исследования содержит по меньшей мере один слой геологической структуры и моделируют характеристику каротажного гамма-лучевого (GR) зонда посредством того, что опреде...
2475784Обработка изображения на основе объема исследования
Использование: изобретение относится к обработке изображения или результатов исследований в скважине на основе объема исследования. Сущность: в предложенных способах точная информация о пласте обеспечивается независимо от геометрии пласта и буровой скважины, в том числе информация, увязанная с крутыми наклонными и горизонтальными скважинами. Согласно осуществлениям при выполнении обработки данны...
2483333