ДИРКСЕН Петер (NL)

Использование: для детектирования присутствия. Сущность: заключается в том, что предусмотрен датчик (800), в котором мембрана (830) сформирована поверх передней подложки (615); и пьезоэлектрический слой (820) сформирован поверх мембраны (830) на активном участке (821), и периферийные участки расположены рядом с активным участком (821). Структурированный электропроводный слой, включающий в себя пе...

Настоящее изобретение относится к емкостному микрообработанному ультразвуковому преобразователю, системе для генерирования или обнаружения ультразвуковых волн и к способу изготовления преобразователя. Заявленная группа изобретений включает емкостной микрообработанный ультразвуковой преобразователь, систему для генерирования или обнаружения ультразвуковых волн, содержащую преобразователь, и спосо...

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для температурной компенсации в устройстве CMUT. Устройства CMUT используют во многих применениях, например, ультразвукового формирования изображения и измерения давления. Эти устройства работают посредством считывания изменения электрической емкости, вызываемого отклонением мембраны (32), содержащей один из пары эл...

Группа изобретений относится к медицинской технике, а именно к катетерам для нагреваний пациента ультразвуковой энергией. Катетер содержит стержень с дистальным и проксимальным концами, при этом дистальный конец содержит модуль преобразователя с решеткой емкостных микромашинных ультразвуковых преобразователей с регулируемым фокусом для управляемого нагревания заданной зоны и соединитель на прокс...

Настоящее изобретение относится к ячейке (10) емкостного микрообработанного преобразователя предварительно прижатого типа, содержащей подложку (12) и мембрану (14), покрывающую полную мембранную область (Аполн), при этом между мембраной (14) и подложкой (12) образована полость (20), мембрана (14) содержит отверстие (15) и краевую часть (14а), окружающую отверстие (15), причем краевая часть (14а)...

Изобретение относится к предварительно сжатой ячейке (10) емкостного микрообработанного преобразователя, содержащей подложку (12) и мембрану (14), покрывающую суммарную площадь (Atotal) мембраны, причем между мембраной (14) и подложкой (12) образована полость (20), причем мембрана содержит отверстие (15) и краевой участок (14a), окружающий отверстие (15). Ячейка (10) дополнительно содержит напря...

Использование: для изготовления емкостного преобразователя, полученного микрообработкой, в частности CMUT. Сущность изобретения заключается в том, что способ содержит этапы, на которых осаждают первый электродный слой на подложку, осаждают первую диэлектрическую пленку на первый электродный слой, осаждают жертвенный слой на первую диэлектрическую пленку, причем жертвенный слой выполнен с возможн...

Использование: для изготовления емкостного преобразователя. Сущность изобретения заключается в том, что способ содержит этапы, на которых осаждают первый электродный слой на подложку, осаждают первую диэлектрическую пленку на первый электродный слой, осаждают жертвенный слой на первую диэлектрическую пленку, причем жертвенный слой выполнен с возможностью удаления для формирования полости прео...

Использование: для создания полупроводниковой пластины. Сущность изобретения заключается в том, что в пластине, подразделенной и разделимой на множество кристаллов, каждый кристалл содержит массив ячеек емкостного микрообработанного преобразователя, каждая ячейка содержит подложку, содержащую первый электрод, мембрану, содержащую второй электрод, и полость между подложкой и мембраной, каждая яче...