Стериополо Т.А.

 1. Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом, включающий подачу исходного порошка через факел пламени на затравку, разращивание кристалла до заданного диаметра, выращивание кристалла при поддержании постоянных условий процесса, сужение диаметра кристалла в конце процесса, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода кристаллов 30-90o - ориентации...

 Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов тугоплавких оксидов для конструкционных узлов и изделий. Технический результат - расширение сортамента изделий и увеличение выхода годного за счет повышения качества. Способ включает затравливание кристалла, его разращивание, поэтапное вытягивание из расплава через формообразователь в виде непрерывной последовательност...