Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом
Патент 731645
Авторы
- Бородин В.А.
- Малахова К.П.
- Пискун А.Д.
- Стериополо Т.А.
- Татарченко В.А.
- Федоренко В.Н.
- Циглер И.Н.
- Чернышева Л.И.
- Чиркин А.П.
Классы МПК
Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом
Реферат
1. Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом, включающий подачу исходного порошка через факел пламени на затравку, разращивание кристалла до заданного диаметра, выращивание кристалла при поддержании постоянных условий процесса, сужение диаметра кристалла в конце процесса, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода кристаллов 30-90o - ориентации, сужение диаметра кристалла производят на 40-80% до соотношения высоты суженной части к диаметру, равного 1 : (0,3 - 1,5).
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что сужение диаметра кристалла производят путем одновременного уменьшения расхода сжигаемых газов и подачи исходного порошка.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что сужение диаметра кристалла производят путем одновременного увеличения подачи исходного порошка и скорости опускания кристалла.