Пискун А.Д.
Изобретатель Пискун А.Д. является автором следующих патентов:
![Установка для выращивания монокристаллов по методу вернейля Установка для выращивания монокристаллов по методу вернейля](/img/empty.gif)
Установка для выращивания монокристаллов по методу вернейля
Установка для выращивания монокристаллов по методу Вернейля, содержащая кристаллизационную камеру, нагревательное устройство, например водородно-кислородную горелку, бункер с дозатором и шихтопроводом, кристаллодержатель с механизмом для его вертикального перемещения и вращения, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности введения дополнительных компонентов на периферию кристал...
403236![Устройство для выращивания кристаллов по вернейлю Устройство для выращивания кристаллов по вернейлю](/img/empty.gif)
Устройство для выращивания кристаллов по вернейлю
Устройство для выращивания кристаллов по Вернейлю, содержащее кристаллизационную камеру с переменным поперечным сечением, отличающееся тем, что, с целью увеличения диаметра выращиваемого кристалла, кристаллизационная камера выполнена в виде четырех секций при следующем соотношении диаметров d1 : d2 : d3 = (3 - 4) : (6 - 7) : (5,5 - 5) и высот h1 : h2 : h3 : h4 = (11 - 13) : (4 - 6) : (3 -...
522567![Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом](/img/empty.gif)
Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом
1. Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом, включающий подачу исходного порошка через факел пламени на затравку, разращивание кристалла до заданного диаметра, выращивание кристалла при поддержании постоянных условий процесса, сужение диаметра кристалла в конце процесса, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода кристаллов 30-90o - ориентации...
731645