Федоренко В.Н.

 1. Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом, включающий подачу исходного порошка через факел пламени на затравку, разращивание кристалла до заданного диаметра, выращивание кристалла при поддержании постоянных условий процесса, сужение диаметра кристалла в конце процесса, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода кристаллов 30-90o - ориентации...

  Изобретение относится к производству огнеупорных изделий на основе карбида кремния и/или углерода для полупроводниковой технологии, в частности для оснастки в спецтехнологии. Сущность изобретения: полые пористые изделия, содержащие карбид кремния или углерод, пропитывают расплавом кремния, подаваемым через элемент с капиллярной структурой, при температуре изделия 1260 - 1400 С и температ...