СИМАШКЕВИЧ А.В.
Изобретатель СИМАШКЕВИЧ А.В. является автором следующих патентов:
Способ осаждения слоев теллурида цинка
1. СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ТЕЛЛУРИДА ЦИНКА'из раствора-расплава методом жидкостной эпитаксии в закрытой откачанной качающейся ампуле, включающий загрузку в ампулу подложки и вещества, 'из расплава которого производят осаждение, откачку и отпайку ампулы, нагрев ее до температуры растворения и вьщержку при постоянной температуре, последующую эпитаксию в процессе понижения температуры...
625509Способ определения ширины запрещенной зоны и положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника (его варианты)
1. Способ определения ширины запрещенной зоны и положения локальнык энергетических уровней, в запре .щенной зоне полупроводника, включающий предварительное возбуждение полупроводника и измерение зависимости фотопроводимости волны излучения последующего облучения, о т л и ч яю щ и и с я тем, что, с целйю повыйенйя чувствительности способа и точности определения ширины запре 1ценно...
1086999