Способ осаждения слоев теллурида цинка

Способ осаждения слоев теллурида цинка

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1. СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ТЕЛЛУРИДА ЦИНКА'из раствора-расплава методом жидкостной эпитаксии в закрытой откачанной качающейся ампуле, включающий загрузку в ампулу подложки и вещества, 'из расплава которого производят осаждение, откачку и отпайку ампулы, нагрев ее до температуры растворения и вьщержку при постоянной температуре, последующую эпитаксию в процессе понижения температуры с определенной скоростью, слив раствора с подложки и освобождение подложки со слоем от остатков раст-. ворителя, отличающийся тем, что, с целью получения •. фоточувствительных самолегированных монокристаллических слоев теллурида цинка и упрощения технологического процесса, слой осаждают в ампуле из раствора в расплаве соли - галогенида цинка и осажденный слой освобождают от растворителя промывкой в дистиллированной воде или спирте.2. Способ поп.1,отличающ и и с я тем, что температура раствора-расплава при осаждений 400- 65.0° С.(Лась 1CСП СПо се

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

00Ut

РЕСПУБЛИН

09) (11) А зШ Н 01 Ь 21/20

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

K ABTQPCKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОИИТЕТ СССР

IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И QfHPblTHA, (21) 2428704/18-25 (22) 07. 12. 76 (46) 23.12.84.Бюл. У 47 (72) А.В.Симашкевич, P.Ë.Öèóëÿíó и Ю.П.Чукова (71) Кишиневский ордена Трудового

Красного Знамени государственный университет им.В.И.Ленина . >(53) 621.382(088. 8) (56) 1. УФЖ.Т.Х1, В 5, 1966, с.547.

2. Jap.of J.AppI Phys. v. 12, Ф 12, 1973, р. 1841-1849. (54) (57) 1. СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ

ТКЛЛУРИДА ЦИНКА"из раствора-расплава методом жидкостной эпитаксии в закрытой откачанной качающейся ампуле, включающий загрузку в ампулу подложки и вещества, из расплава которого производят осаждение, откачку и отпайку ампулы, нагрев ее до температуры растворения и выдержку при постоянной температуре, последующую эпи— таксию в процессе понижения температуры с определенной скоростью, слив раствора с подложки и освобождение подложки со слоем от остатков растворителя, отличающийся тем, что, с целью получения: фоточувствительных самолегнрованных монокристаллических слоев теллурида цинка н упрощения технологического процесса, слой осаждают в ампуле из раствора в расплаве соли — галогенида цинка и осажденный слой освобождают от растворителя промывкой в дистиллированной воде или спирте.

2. Способ по п.1, о т л и ч а юшийся тем, что температура раст- уев вора-расплава при осаждений 400650 С.

Мю

625509 4 с резкой границей раздела при низикх (до 650 С) температурах эпитаксии.

Остатки растворителя t поверхности осажденного слоя удаляют простой промывкой в воде или спирте, что освобождает как подложку, так и выращенный слой от дополнительной термической обработки и упрощает технологию.

Редактор О.Юркова

Корректор В.Бутяга

Техред A.À÷

Заказ 9224/3

Тираж 682 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5.Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 монокристаллическую подложку Kn Se.

-э

Ампулу откачивают до 10 торр и эапаивают.

Залив раствора на подложку осуществляют поворотом печи.

После охлаждения печи до комнатной температуры подложку с осажденнь слоем Kn Te извлекают из ампулы и промывают дистиллированной водой или спиртом для удаления с поверхности выращенного слоя остатков растворителя (2n СВ ) .

Способ позволяет получить моно,кристаллические слои теллурида цинка толщиной до 20 мкм на монокристал- лических подложках селенида цинка

Выращенные слои обладают выраженной фоточувствительностью (кратностью изменения сопротивления при освещенности 250 лк достигает значения 10 ) в широком спектральном

5 диапазоне 550-800 нм.