Холева М.Н.
Изобретатель Холева М.Н. является автором следующих патентов:
Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь
Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь, выполненный из пластины монокристаллического кремния с концентрацией легирующей примеси - 1015-1017 см-3, имеющей p-n переход, омические контакты к легированной и базовой областями расположенные с двух сторон просветляющие и защитные покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и надежности измерения температуры, участок...
673088