Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь

Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь

Реферат

 

Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь, выполненный из пластины монокристаллического кремния с концентрацией легирующей примеси - 10¹⁵-10¹⁷ см^-3, имеющей p-n переход, омические контакты к легированной и базовой областями расположенные с двух сторон просветляющие и защитные покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и надежности измерения температуры, участок базовой области, площадь которого составляет 5-10% от площади фотопреобразователя, выполнен свободным от p-n перехода и содержит, по крайней мере, два омических контакта, расположенных на одной из его сторон.